公开(公告)号：CN119364804B

公开(公告)日：2025-05-20

申请号：CN202411535150.2

申请日：2024-10-30

Applicant: 湖南大学

Inventor： 梁世维 ,  王俊 ,  米卢 ,  陈家祺

IPC: H10D30/60 ,  H10D30/01 ,  H01L23/552

Abstract: 本发明公开了一种抗辐射加固的SiC MOSFET器件结构及制备方法，包括N‑漂移层，所述N‑漂移层的下方设有N+衬底层，所述N+衬底层的下方设有漏极金属层，所述N‑漂移层的上方设有载流子存储层，所述载流子存储层的上方设有源极金属层，所述源极金属下方的中间设有JFET区，所述JFET区内部引入沟槽，所述沟槽的内部设有P型掺杂区和填充区，所述沟槽的两侧设有P‑base区，所述P‑base区内设有N+源区和P+区。本发明采用上述的一种抗辐射加固的SiC MOSFET器件结构及制备方法，大幅降低薄氧中的电场强度，从而提升SiC MOSFET器件抗单粒子穿能力；仅需增加沟槽刻蚀、沟槽侧壁和底部P型离子注入、沟槽回填等工艺既可，工艺复杂度不高。

公开(公告)号：CN119364779A

公开(公告)日：2025-01-24

申请号：CN202411535145.1

申请日：2024-10-30

Applicant: 湖南大学

Inventor： 梁世维 ,  王俊 ,  米卢 ,  陈家祺

IPC: H10D8/00 ,  H10D8/01 ,  H01L23/552

Abstract: 本发明公开了一种高压碳化硅二极管抗辐射加固结构和方法，包括碳化硅肖特基二极管主体、电极部分、肖特基接触部分、P型注入窗口、浮空P岛、深沟槽部分、N型外延层、N型碳化硅衬底，所述电极部分包括阳极电极和阴极电极，所述阳极电极的下方设有肖特基接触部分，所述肖特基接触部分下方的中间设有深沟槽部分，所述深沟槽部分的两侧设有P型注入窗口，所述阴极电极的上方设有N型碳化硅衬底，所述N型碳化硅衬底和肖特基接触部分之间设有N型外延层，所述N型外延层上设有浮空P岛。本发明采用上述的一种高压碳化硅二极管抗辐射加固结构和方法，器件表面和背面结构的共同作用可以有效提升碳化硅二极管的抗单粒子辐射能力。

公开(公告)号：CN119364804A

公开(公告)日：2025-01-24

申请号：CN202411535150.2

申请日：2024-10-30

Applicant: 湖南大学

Inventor： 梁世维 ,  王俊 ,  米卢 ,  陈家祺

IPC: H10D30/60 ,  H10D30/01 ,  H01L23/552

Abstract: 本发明公开了一种抗辐射加固的SiC MOSFET器件结构及制备方法，包括N‑漂移层，所述N‑漂移层的下方设有N+衬底层，所述N+衬底层的下方设有漏极金属层，所述N‑漂移层的上方设有载流子存储层，所述载流子存储层的上方设有源极金属层，所述源极金属下方的中间设有JFET区，所述JFET区内部引入沟槽，所述沟槽的内部设有P型掺杂区和填充区，所述沟槽的两侧设有P‑base区，所述P‑base区内设有N+源区和P+区。本发明采用上述的一种抗辐射加固的SiC MOSFET器件结构及制备方法，大幅降低薄氧中的电场强度，从而提升SiC MOSFET器件抗单粒子穿能力；仅需增加沟槽刻蚀、沟槽侧壁和底部P型离子注入、沟槽回填等工艺既可，工艺复杂度不高。