公开(公告)号：CN118213405A

公开(公告)日：2024-06-18

申请号：CN202410315856.1

申请日：2024-03-19

Applicant: 湖南大学

Inventor： 陈卓俊 ,  徐江

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/40

Abstract: 本发明提出一种增强抗单粒子烧毁能力的LDMOS器件，包括衬底P‑SUB和设置于衬底P‑SUB内的第一埋层BNL和第二埋层HVNWELL，第一埋层BNL和第二埋层HVNWELL邻接，衬底P‑SUB上部设置有第一N阱和第一P阱，第一N阱与第二埋层HVNWELL邻接，第一N阱上设置有第二P阱，第二P阱上设置有H型的第二P+注入区，在H型的第二P+注入区中部横向部分两侧的空白区域分别采用第一场氧区和第二场氧区进行填充。本发明增加非平衡载流子泄放通道，使得重离子辐射产生的非子能从新增空穴泄放电极路径快速排出，寄生三极管更难导通，从而大幅提升LDMOS抗单粒子烧毁的能力。此外本发明结构对LDMOS的阈值电压、导通电阻参数基本无影响。

公开(公告)号：CN118263327A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202410552325.4

申请日：2024-05-06

Applicant: 湖南大学

Inventor： 陈卓俊 ,  徐江

IPC: H01L29/78 ,  H01L23/552

Abstract: 本发明提出一种提升单粒子烧毁阈值的LDMOS器件，包括衬底P‑SUB和在衬底P‑SUB上部依次设置的第一P阱、第一N阱和第二P+注入区，第一P阱上设置有第一P+注入区和第一N+注入区，第一P+注入区和第一N+注入区之间设置有第一P‑柱注入区，第二P+注入区一侧设置有第二P‑柱注入区，在第一P‑柱注入区和第二P‑柱注入区尾部向其相向面方向延伸分别设置有第三埋层P‑BL和第四埋层P‑BL，第一P‑柱注入区与第三埋层P‑BL构成第一L型非子收集网区，第二P‑柱注入区与第四埋层P‑BL构成第二L型非子收集网区。本发明通过两个L型非子收集网区来新增泄放非平衡载流子的路径，新增第一P‑柱注入区来降低寄生基区的电阻，抑制LDMOS中寄生三极管发射结导通，提高LDMOS的单粒子烧毁阈值电压。