公开(公告)号：CN114256355B

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202111674256.7

申请日：2021-12-31

Applicant: 湖南大学

Inventor： 王俊 ,  张锦奕 ,  俞恒裕 ,  梁世维 ,  邓高强 ,  刘航志

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/40 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种具有源极场板的高可靠性平面型分裂栅SiC MOSFET器件，元胞结构包括：漏极金属、N+衬底、N‑漂移区，N‑漂移区的顶部设有电流扩散层；N‑漂移区顶部设有P‑base区，P‑base区内还设有N+区和P+区，N+区以及P+区与源极金属相连；栅极结构包括多晶硅栅极与栅极氧化物、隔离填充层、绝缘层，所述栅极氧化物位于所述多晶硅栅极与源极金属、P‑base区、N+区、P+区和电流扩散层之间；电流扩散层通过栅极氧化物与源极金属相连；本发明在不削弱传统平面栅SiC MOSFET性能的情况下，改善了器件的高频品质优值(HF‑FOMs,High‑Frequency Figure‑of‑Merits)和动态工作性能。

公开(公告)号：CN114256355A

公开(公告)日：2022-03-29

申请号：CN202111674256.7

申请日：2021-12-31

Applicant: 湖南大学

Inventor： 王俊 ,  张锦奕 ,  俞恒裕 ,  梁世维 ,  邓高强 ,  刘航志

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/40 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种具有源极场板的高可靠性平面型分裂栅SiC MOSFET器件，元胞结构包括：漏极金属、N+衬底、N‑漂移区，N‑漂移区的顶部设有电流扩散层；N‑漂移区顶部设有P‑base区，P‑base区内还设有N+区和P+区，N+区以及P+区与源极金属相连；栅极结构包括多晶硅栅极与栅极氧化物、隔离填充层、绝缘层，所述栅极氧化物位于所述多晶硅栅极与源极金属、P‑base区、N+区、P+区和电流扩散层之间；电流扩散层通过栅极氧化物与源极金属相连；本发明在不削弱传统平面栅SiC MOSFET性能的情况下，改善了器件的高频品质优值(HF‑FOMs,High‑Frequency Figure‑of‑Merits)和动态工作性能。

公开(公告)号：CN114388621B

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202210059843.3

申请日：2022-01-19

Applicant: 湖南大学

Inventor： 梁世维 ,  王俊 ,  杨余 ,  俞恒裕 ,  陈炳如 ,  张锦奕

IPC: H10D30/66 ,  H01L23/552 ,  H10D30/01

Abstract: 本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种高抗辐射能力SiC MOSFET器件新结构，所述新型平面栅SiC MOSFET器件的元胞结构包括：漏极金属电极、N+型衬底和N‑漂移区；N‑漂移区(3)顶部设载流子存储层和P‑base区，载流子存储层一(4)中设P型阻挡区(6)和P+区(8)，载流子存储层二(41)位于P型阻挡区(6)与P+区(8)之间；P‑base区(5)内设N+区(7)和P+区(8)，N+区(7)和P+区(8)与源极金属电极(11)相连。本发明提高了SiC MOSFET器件的抗总剂量辐射(γ射线等)和抗单粒子辐射能力，可应用在航空航天等空间极端环境中。

公开(公告)号：CN114388621A

公开(公告)日：2022-04-22

申请号：CN202210059843.3

申请日：2022-01-19

Applicant: 湖南大学

Inventor： 梁世维 ,  王俊 ,  杨余 ,  俞恒裕 ,  陈炳如 ,  张锦奕

IPC: H01L29/78 ,  H01L23/552 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种高抗辐射能力SiC MOSFET器件新结构，所述新型平面栅SiC MOSFET器件的元胞结构包括：漏极金属电极、N+型衬底和N‑漂移区；N‑漂移区(3)顶部设载流子存储层和P‑base区，载流子存储层一(4)中设P型阻挡区(6)和P+区(8)，载流子存储层二(41)位于P型阻挡区(6)与P+区(8)之间；P‑base区(5)内设N+区(7)和P+区(8)，N+区(7)和P+区(8)与源极金属电极(11)相连。本发明提高了SiC MOSFET器件的抗总剂量辐射(γ射线等)和抗单粒子辐射能力，可应用在航空航天等空间极端环境中。