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公开(公告)号：CN117976660A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410361538.9
申请日：2024-03-27
Applicant: 湖北江城实验室
IPC: H01L23/544 , H01L23/528 , H01L21/66 , G01R31/26
Abstract: 公开了一种半导体结构及其热测试方法，半导体结构包括：堆叠结构，堆叠结构包括测试结构以及位于测试结构相对的两侧并与测试结构接触的发热层和感测层，发热层内设置有第一导电层，感测层内设置有第二导电层，第一导电层包括第一输入端和第一输出端，第二导电层包括第二输入端和第二输出端；至少一个第一测试焊盘、至少一个第二测试焊盘、至少一个第三测试焊盘以及至少一个第四测试焊盘，分立设置在堆叠结构的上表面；多个互连结构，在堆叠结构内沿竖直方向延伸延伸；其中，第一测试焊盘和第二测试焊盘通过互连结构分别与第一输入端和第一输出端对应电连接，第三测试焊盘和第四测试焊盘通过互连结构分别与第二输入端和第二输出端对应电连接。
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公开(公告)号：CN117826541A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410045349.0
申请日：2024-01-11
Applicant: 湖北江城实验室
Abstract: 本公开实施例提供了一种光刻机的清洁方法，光刻机包括载台、设置于载台上方的物镜以及用于提供曝光光束的曝光光源，载台上附着有污染物；清洁方法包括：提供控片，将控片置于载台上；对控片执行曝光工艺，曝光光源通过物镜向控片辐射曝光光束以加热控片，控片将热量传递至附着在载台上的污染物，以降低污染物与载台之间的粘附性。
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公开(公告)号：CN117976660B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410361538.9
申请日：2024-03-27
Applicant: 湖北江城实验室
IPC: H01L23/544 , H01L23/528 , H01L21/66 , G01R31/26
Abstract: 公开了一种半导体结构及其热测试方法，半导体结构包括：堆叠结构，堆叠结构包括测试结构以及位于测试结构相对的两侧并与测试结构接触的发热层和感测层，发热层内设置有第一导电层，感测层内设置有第二导电层，第一导电层包括第一输入端和第一输出端，第二导电层包括第二输入端和第二输出端；至少一个第一测试焊盘、至少一个第二测试焊盘、至少一个第三测试焊盘以及至少一个第四测试焊盘，分立设置在堆叠结构的上表面；多个互连结构，在堆叠结构内沿竖直方向延伸延伸；其中，第一测试焊盘和第二测试焊盘通过互连结构分别与第一输入端和第一输出端对应电连接，第三测试焊盘和第四测试焊盘通过互连结构分别与第二输入端和第二输出端对应电连接。
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公开(公告)号：CN221612596U
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202323551976.1
申请日：2023-12-25
Applicant: 湖北江城实验室
Abstract: 公开了一种芯片的强度测试装置，包括：基座以及位于基座上的夹具；夹具包括沿第一方向相对设置的第一夹块和第二夹块，第一夹块与第二夹块相对的一侧嵌设有第一夹持部，第二夹块与第一夹块相对的一侧嵌设有第二夹持部；第一夹持部和第二夹持部用于固定待测试的芯片，第一方向平行于基座平面；滑杆，设置在夹具的上方且沿第一方向延伸；闸刀，与滑杆连接并设置在滑杆的下方；其中，闸刀可以在滑杆上沿第一方向来回滑动和/或夹具可以在基座上沿第一方向来回滑动，以使闸刀对齐待测试的芯片的中心点。
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