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公开(公告)号:CN117637730A
公开(公告)日:2024-03-01
申请号:CN202311580886.7
申请日:2023-11-22
Applicant: 湖北江城实验室 , 湖北江城实验室科技服务有限公司
Abstract: 公开了一种半导体结构及其制造方法,其中,半导体结构包括:衬底;位于衬底上的第一芯片组,第一芯片组包括至少一个第一芯片;位于第一芯片组上的第二芯片以及位于第二芯片上的第三芯片组,第三芯片组包括至少一个第三芯片;其中,第二芯片包括沿第一方向排布的第一端部和第二端部,第二端部沿第一方向相对于第一芯片组和第三芯片组的侧壁向外突出,第一方向平行于衬底平面;位于衬底上的支撑结构,支撑结构从衬底的表面延伸至第二端部的下方,第二端部覆盖支撑结构。
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公开(公告)号:CN221612596U
公开(公告)日:2024-08-27
申请号:CN202323551976.1
申请日:2023-12-25
Applicant: 湖北江城实验室
Abstract: 公开了一种芯片的强度测试装置,包括:基座以及位于基座上的夹具;夹具包括沿第一方向相对设置的第一夹块和第二夹块,第一夹块与第二夹块相对的一侧嵌设有第一夹持部,第二夹块与第一夹块相对的一侧嵌设有第二夹持部;第一夹持部和第二夹持部用于固定待测试的芯片,第一方向平行于基座平面;滑杆,设置在夹具的上方且沿第一方向延伸;闸刀,与滑杆连接并设置在滑杆的下方;其中,闸刀可以在滑杆上沿第一方向来回滑动和/或夹具可以在基座上沿第一方向来回滑动,以使闸刀对齐待测试的芯片的中心点。
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