公开(公告)号：CN106571425A

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201610863448.5

申请日：2016-09-29

Applicant: 湖北大学

Inventor： 王浩 ,  薛梦妮 ,  周海 ,  叶葱

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/44 ,  H01L51/46 ,  H01L51/48

CPC classification number: Y02E10/549 ,  H01L51/4206 ,  H01L51/0032 ,  H01L51/42 ,  H01L51/44 ,  H01L2251/30

Abstract: 本发明提出了一种基于ZnO‑钙钛矿结构的紫外‑可见可调光电探测器及其制备方法，器件的结构为FTO/ZnO纳米棒/CH3NH3PbI3/Spiro‑OMe TAD/Au,其中FTO层为阳极，ZnO纳米棒为电子传输层，CH3NH3PbI3为钙钛矿吸光层，Spiro‑OMe TAD为空穴传输层，金属电极是Au。此器件在未退火的条件下展示了9.56％的光电转换效率；同时，此器件展示了最高的光电响应度，其值在0偏压下高达7.8A/W；该器件经真空退火时探测度最高，达到1014的响应度，其光电探测性能为紫外光；该器件经空气退火时光电探测性能为可见光。另外器件有一定的自驱动能力，不需要外部偏压来驱动，有利于节约能源。本发明操作步骤简单，实验成本低廉，制作的探测器具有较高的响应度和探测灵敏度。

公开(公告)号：CN106571425B

公开(公告)日：2019-07-19

申请号：CN201610863448.5

申请日：2016-09-29

Applicant: 湖北大学

Inventor： 王浩 ,  薛梦妮 ,  周海 ,  叶葱 ,  马国坤

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/44 ,  H01L51/46 ,  H01L51/48

CPC classification number: Y02E10/549

Abstract: 本发明提出了一种基于ZnO‑钙钛矿结构的紫外‑可见可调光电探测器及其制备方法，器件的结构为FTO/ZnO纳米棒/CH3NH3PbI3/Spiro‑OMe TAD/Au,其中FTO层为阳极，ZnO纳米棒为电子传输层，CH3NH3PbI3为钙钛矿吸光层，Spiro‑OMe TAD为空穴传输层，金属电极是Au。此器件在未退火的条件下展示了9.56％的光电转换效率；同时，此器件展示了最高的光电响应度，其值在0偏压下高达7.8A/W；该器件经真空退火时探测度最高，达到1014的响应度，其光电探测性能为紫外光；该器件经空气退火时光电探测性能为可见光。另外器件有一定的自驱动能力，不需要外部偏压来驱动，有利于节约能源。本发明操作步骤简单，实验成本低廉，制作的探测器具有较高的响应度和探测灵敏度。

公开(公告)号：CN107275434B

公开(公告)日：2018-11-20

申请号：CN201710262660.0

申请日：2017-04-20

Applicant: 湖北大学

Inventor： 王浩 ,  薛梦妮 ,  周海 ,  叶葱

IPC: H01L31/103 ,  H01L31/0264 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提出了一种FTO/ZnO纳米棒/CsPbBr3/MoO3/Au结构的纯无机自驱动光电探测器及其制备方法，其具体结构为FTO衬底层，ZnO纳米棒为电子传输层，CsPbBr3钙钛矿为吸光层，半导体氧化物MoO3为空穴传输层，金属电极是由Au组成。采用旋涂、水浴、两步法合成、蒸镀等方法制备。本发明利用了ZnO纳米棒/CsPbBr3形成的全无机异质结结构及以半导体氧化物MoO3为空穴传输层，使本发明具有高稳定性和低廉成本，且响应度和探测度分别为0.45A/W和1.76×1013cmHz1/2/W，同时器件具有自驱动能力，工作时不需要外加偏压，低功耗工作，节约能源。本发明操作步骤简单，实验成本低廉，具有较好的应用前景。

公开(公告)号：CN107275434A

公开(公告)日：2017-10-20

申请号：CN201710262660.0

申请日：2017-04-20

Applicant: 湖北大学

Inventor： 王浩 ,  薛梦妮 ,  周海 ,  叶葱

IPC: H01L31/103 ,  H01L31/0264 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/103 ,  H01L31/0264 ,  H01L31/1876

Abstract: 本发明提出了一种FTO/ZnO纳米棒/CsPbBr3/MoO3/Au结构的纯无机自驱动光电探测器及其制备方法，其具体结构为FTO衬底层，ZnO纳米棒为电子传输层，CsPbBr3钙钛矿为吸光层，半导体氧化物MoO3为空穴传输层，金属电极是由Au组成。采用旋涂、水浴、两步法合成、蒸镀等方法制备。本发明利用了ZnO纳米棒/CsPbBr3形成的全无机异质结结构及以半导体氧化物MoO3为空穴传输层，使本发明具有高稳定性和低廉成本，且响应度和探测度分别为0.45A/W和1.76×1013cmHz1/2/W，同时器件具有自驱动能力，工作时不需要外加偏压，低功耗工作，节约能源。本发明操作步骤简单，实验成本低廉，具有较好的应用前景。