一种镓酸锌阻变存储器及其制备方法

    公开(公告)号:CN119136649A

    公开(公告)日:2024-12-13

    申请号:CN202411223224.9

    申请日:2024-09-03

    Applicant: 湖北大学

    Abstract: 本发明涉及半导体材料技术领域,公开了一种镓酸锌阻变存储器及其制备方法。本发明采用旋涂法在FTO底电极基底上制备镓酸锌薄膜,再在镓酸锌薄膜上制备活性金属顶电极,从而制备得到了三明治结构的镓酸锌阻变存储器,本发明制备的镓酸锌阻变存储器在200个循环后几乎没有退化,在高阻态(HRS)和低阻态(LRS)之间的切换具有优异的稳定性;而且本发明制备的镓酸锌阻变存储器不同的电极低阻集中在102Ω左右,高阻集中在103~104Ω左右,体现了良好的片内一致性;此外,本发明的制备方法制备成本低,制备周期短,使其大规模应用成为可能。

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