公开(公告)号：CN118387842A

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202410486526.9

申请日：2024-04-22

Applicant: 湖北大学

Inventor： 张军 ,  秦世伟 ,  王浩 ,  万厚钊 ,  马国坤 ,  饶毅恒 ,  陶野 ,  胡婷 ,  张少杰

IPC: C01B19/04 ,  H10N70/00 ,  H10N70/20 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种纳米花状MoSe2颗粒及其制备方法和在忆阻器中的应用，属于纳米材料和薄膜器件技术领域。本发明以Se粉为Se源，钼酸钠为Mo源，NaBH4为还原剂，溶剂热法的合成方式制备MoSe2，并采用XRD、SEM、XPS、EDS和拉曼光谱等表征手段对材料进行表征来验证合成的MoSe2。接着，本发明采用一步旋涂法旋涂MoSe2悬浮液在ITO导电玻璃上制备MoSe2薄膜，通过在薄膜上蒸镀Al或Ag电极来探究Al/MoSe2/ITO和Ag/MoSe2/ITO忆阻器的阻变性能。本发明不仅探究操作电压与限制电流对MoSe2忆阻器阻变性能的影响，本发明还采用PET为基底制备了柔性MoSe2忆阻器并对其性能进行探究，研究MoSe2忆阻器在可穿戴器件上的发展。