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公开(公告)号：CN110031511A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201910317402.7
申请日：2019-04-19
申请人： 清华大学深圳研究生院 , 中国电力科学研究院有限公司
IPC分类号： G01N25/72
摘要： 一种缺陷检测装置，用于检测复合绝缘子金具压接处的缺陷，所述缺陷检测装置包括一固定装置、一电磁激励源、一红外热像采集仪、一电磁屏蔽罩及一放置台，所述固定装置具有一空腔，所述电磁激励源及红外热像采集仪固定在所述空腔内，所述放置台置于所述空腔内，所述固定装置的外部设置所述电磁屏蔽罩，所述电磁激励源用于发射电磁激励信号于所述复合绝缘子金具压接处，所述红外热像采集仪用于采集所述金具压接处的红外热图信息。本发明还提供一种复合绝缘子金具压接处的缺陷检测系统及缺陷检测方法。
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公开(公告)号：CN108680602A
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201810481646.4
申请日：2018-05-18
申请人： 云南电网有限责任公司电力科学研究院 , 清华大学深圳研究生院
IPC分类号： G01N25/72
CPC分类号： G01N25/72
摘要： 本申请公开了一种瓷绝缘子内部缺陷的检测装置、方法及系统，利用光脉冲热激励加载装置向被待测瓷绝缘子施加光脉冲热激励作用，利用红外热像采集装置采集待测瓷绝缘子表面的红外热图序列，并由数据处理器将采集到的红外热图序列经拟合、压缩、重建等预处理，并根据预处理得到的原始红外热图序列提供的缺陷信息，与特征数据库中的数据进行分析比对，得到瓷绝缘子的缺陷类别及定量计算结果。本申请通过光脉冲热激励作用在瓷绝缘子的表面，利用被测瓷绝缘子表面动态温度场的变化来判断缺陷类型及对缺陷信息进行分析，具有测量快速、单次测量面积大、测量结果直观、非接触等特点，并可对瓷绝缘子内部缺陷相关信息进行准确、全面且深入的处理和分析。
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公开(公告)号：CN108693453A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201810482651.7
申请日：2018-05-18
申请人： 云南电网有限责任公司电力科学研究院 , 清华大学深圳研究生院
CPC分类号： G01R31/1245 , G01J5/00 , G01J2005/0077
摘要： 本发明公开了一种复合绝缘子内部缺陷的主动红外热像检测装置及方法，包括可调制光辐射热激励加载装置、红外热像采集装置、控制及数据处理分析装置。控制可调制光辐射热激励加载装置对复合绝缘子施加可控热激励，使复合绝缘子表面形成动态温度场数据；控制红外热像采集装置采集动态温度场数据；利用控制及数据处理分析装置对动态温度场数据进行识别和分析，获取复合绝缘子的内部缺陷的具体情况。因此，本发明提供的复合绝缘子内部缺陷的主动红外热像检测装置及方法，能够解决现有的复合绝缘子缺陷的检测方法灵敏度低，复杂耗时，具有破坏性，检测条件要求高的问题。
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公开(公告)号：CN208443772U
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201820746054.6
申请日：2018-05-18
申请人： 云南电网有限责任公司电力科学研究院 , 清华大学深圳研究生院
IPC分类号： G01N25/72
摘要： 本申请公开了一种瓷绝缘子内部缺陷的检测装置，利用光脉冲热激励加载装置向被待测瓷绝缘子施加光脉冲热激励作用，利用红外热像采集装置采集待测瓷绝缘子表面的红外热图序列，并由数据处理器将采集到的红外热图序列经拟合、压缩、重建等预处理，并根据预处理得到的原始红外热图序列提供的缺陷信息，与特征数据库中的数据进行分析比对，得到瓷绝缘子的缺陷类别及定量计算结果。本申请通过光脉冲热激励作用在瓷绝缘子的表面，利用被测瓷绝缘子表面动态温度场的变化来判断缺陷类型及对缺陷信息进行分析，具有测量快速、单次测量面积大、测量结果直观、非接触等特点，并可对瓷绝缘子内部缺陷相关信息进行准确、全面且深入的处理和分析。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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