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公开(公告)号：CN111061318A
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201911377703.5
申请日：2019-12-27
Applicant: 清华大学无锡应用技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅涂层沉积炉温度场的数字孪生控制方法，包括以下步骤：（1）将沉积炉的炉内空间划分成多个控制区域，并在各控制区域内分别安装温度传感器；（2）采集各控制区域内的温度传感器检测到的各控制区域的实际温度值并传送给数字孪生设备；（3）计算出各控制区域的实际温度值与各控制区域的理论温度值之间的差值；（4）根据差值对各控制区域进行温度补偿。本发明利用数字孪生技术，对沉积炉内空间分区域建造数字孪生模型，达到生产时，分区域实时监控沉积炉内温度，通过对采集的实际温度与理论数据融合，得到误差补偿结果，以此进行分区域温度补偿，解决了沉积炉内温度场分布均匀性差的问题，获得高质量的碳化硅涂层。
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公开(公告)号：CN111020536B
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN201911375201.9
申请日：2019-12-27
Applicant: 清华大学无锡应用技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种优化的化学气相沉积工艺，包括以下步骤：（1）将沉积炉的炉内空间划分成多个控制空间；（2）采集各控制空间内的实际温度值和实际流量值；（3）计算出实际与理论的差值；（4）根据差值进行温度补偿和流量补偿。本发明利用数字孪生技术，对沉积炉的内腔分空间建造数字孪生模型，达到生产时，分空间实时监控沉积炉内温度和影响沉积的物质的流量，实现整个温度场及流体场控制过程的可视化，通过对采集的实际温度和影响沉积的物质的实际流量与理论数据融合，得到误差补偿结果，以此分空间进行温度和流量补偿，从而实现了保证沉积炉内温度场和流体场分布均匀。
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公开(公告)号：CN111501027B
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN201911377705.4
申请日：2019-12-27
Applicant: 清华大学无锡应用技术研究院
IPC: C23C16/52 , C23C16/455
Abstract: 本发明公开了一种化学气相沉积设备流场均匀控制的方法，包括以下步骤：（1）划分出多个控制空间，在每个控制空间对应的沉积炉的炉壁区域上开设进料口并在内表面安装流量传感器和搅拌叶；（2）采集实际流量值；（3）计算出各控制空间的实际流量值与各控制空间的理论流量值之间的差值；（4）根据差值进行流量补偿。本发明将沉积设备的反应区分成多个控制空间，生产时，分空间实时监控沉积炉内影响沉积的物质的流量，通过对采集的实际流量与理论流量比较，得到误差补偿结果，以此分空间进行影响沉积的物质的流量补偿，从而保证沉积炉内流体场分布均匀。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111309070A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201911375203.8
申请日：2019-12-27
Applicant: 清华大学无锡应用技术研究院
IPC: G05D23/20
Abstract: 本发明公开了一种化学气相沉积设备温度均匀控制的方法，包括以下步骤：（1）划分出多个控制空间，在每个控制空间对应的沉积炉的炉壁区域的内表面安装温度传感器和电加热件，外表面安装冷却件；（2）采集实际温度值；（3）计算出各控制空间的实际温度值与各控制空间的理论温度值之间的差值；（4）根据得到的差值进行温度补偿。本发明将沉积设备的反应区分成多个控制空间，生产时，分空间实时监控沉积炉内温度，通过对采集的实际温度与理论温度值比较，得到误差补偿结果，以此分空间进行温度补偿，从而保证沉积炉内温度场分布均匀。
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公开(公告)号：CN111020536A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201911375201.9
申请日：2019-12-27
Applicant: 清华大学无锡应用技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种优化的化学气相沉积工艺，包括以下步骤：（1）将沉积炉的炉内空间划分成多个控制空间；（2）采集各控制空间内的实际温度值和实际流量值；（3）计算出实际与理论的差值；（4）根据差值进行温度补偿和流量补偿。本发明利用数字孪生技术，对沉积炉的内腔分空间建造数字孪生模型，达到生产时，分空间实时监控沉积炉内温度和影响沉积的物质的流量，实现整个温度场及流体场控制过程的可视化，通过对采集的实际温度和影响沉积的物质的实际流量与理论数据融合，得到误差补偿结果，以此分空间进行温度和流量补偿，从而实现了保证沉积炉内温度场和流体场分布均匀。
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公开(公告)号：CN110923675B
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN201911375207.6
申请日：2019-12-27
Applicant: 清华大学无锡应用技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅涂层沉积炉流体场的数字孪生控制方法，包括以下步骤：（1）将沉积炉的炉内空间划分成多个控制区域，并在各控制区域内分别安装流量传感器；（2）采集各控制区域内的流量传感器检测到的各控制区域的实际流量值并传送给数字孪生设备；（3）计算出各控制区域的实际流量值与各控制区域的理论流量值之间的差值；（4）根据差值进行流量补偿。本发明利用数字孪生技术，对沉积炉内空间分区域建造数字孪生模型，达到生产时，分区域实时监控沉积炉内影响沉积的物质的流量，通过对采集的实际流量与理论数据融合，得到误差补偿结果，以此进行分区域流量补偿，解决了沉积炉内流量场分布均匀性差的问题，获得高质量的碳化硅涂层。
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公开(公告)号：CN111501027A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN201911377705.4
申请日：2019-12-27
Applicant: 清华大学无锡应用技术研究院
IPC: C23C16/52 , C23C16/455
Abstract: 本发明公开了一种化学气相沉积设备流场均匀控制的方法，包括以下步骤：（1）划分出多个控制空间，在每个控制空间对应的沉积炉的炉壁区域上开设进料口并在内表面安装流量传感器和搅拌叶；（2）采集实际流量值；（3）计算出各控制空间的实际流量值与各控制空间的理论流量值之间的差值；（4）根据差值进行流量补偿。本发明将沉积设备的反应区分成多个控制空间，生产时，分空间实时监控沉积炉内影响沉积的物质的流量，通过对采集的实际流量与理论流量比较，得到误差补偿结果，以此分空间进行影响沉积的物质的流量补偿，从而保证沉积炉内流体场分布均匀。
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公开(公告)号：CN110923675A
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201911375207.6
申请日：2019-12-27
Applicant: 清华大学无锡应用技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅涂层沉积炉流体场的数字孪生控制方法，包括以下步骤：（1）将沉积炉的炉内空间划分成多个控制区域，并在各控制区域内分别安装流量传感器；（2）采集各控制区域内的流量传感器检测到的各控制区域的实际流量值并传送给数字孪生设备；（3）计算出各控制区域的实际流量值与各控制区域的理论流量值之间的差值；（4）根据差值进行流量补偿。本发明利用数字孪生技术，对沉积炉内空间分区域建造数字孪生模型，达到生产时，分区域实时监控沉积炉内影响沉积的物质的流量，通过对采集的实际流量与理论数据融合，得到误差补偿结果，以此进行分区域流量补偿，解决了沉积炉内流量场分布均匀性差的问题，获得高质量的碳化硅涂层。
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