公开(公告)号：CN1206793C

公开(公告)日：2005-06-15

申请号：CN02124140.6

申请日：2002-07-12

Applicant: 清华大学 ,  山西长治市防爆电器有限公司

Inventor： 周伟松 ,  王培清

IPC: H02P1/28 ,  H02P1/40 ,  H02H7/08

Abstract: 矿用隔爆软启动器属于矿用异步电动机控制设备领域，其特征在于：中央处理器，分别和中央处理器相连且又彼此互连的电源及相序板和驱动板，串接于主回路中且各控制端与驱动板相连的三组单相反并可控硅开关，串于主回路和三相电机定子回路间的三个电流互感器，由单相电源供电且副边又分别与电源及相序板、各相轴流风机相连的变压器，与三相电源相连的换向开关，以及可控硅开关的温度检测电路和电机的漏电检测电路。它把目前的隔爆1型启动器与常规软启动器设计成一体，用单片机统一控制，在提高原有设备响应速度和运行可靠性的同时也降低了设备投资。

公开(公告)号：CN2566534Y

公开(公告)日：2003-08-13

申请号：CN02240332.9

申请日：2002-07-12

Applicant: 清华大学 ,  山西长治市防爆电器有限公司

Inventor： 周伟松 ,  王培清 ,  石碧善 ,  刘铭贤

IPC: H02P1/28 ,  H02P1/40 ,  H02H7/08

Abstract: 矿用隔爆型软启动器属于矿用异步电动机控制设备领域，其特征在于：它把目前的隔爆1型启动器与常规软启动器设计成一体，用单片机统一控制，在提高原有设备响应速度和运行可靠性的同时也降低了设备投资。

公开(公告)号：CN102820225A

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN201210285197.9

申请日：2012-08-10

Applicant: 清华大学 ,  清华大学电力电子厂

Inventor： 周伟松 ,  刘道广 ,  张斌 ,  王培清

IPC: H01L21/329 ,  H01L21/225

Abstract: 本发明公开了属于半导体器件范围的一种具有扩散型缓冲层的高压快速软恢复二极管的制造方法。扩散缓冲层快恢复二极管采用两次扩散方法制作缓冲层，在PN结和电极制备之前，首先采用一次磷扩散，在硅片两面生成低浓度和深结深的磷扩散区，其后在二次磷扩散和硼铝扩散过程中，一次磷扩散的结深继续推进，最终一次磷扩散比二次磷扩散的结深深出20μm左右，一次磷扩散前沿浓度小于1×1015/cm－3区域的深度不少于15μm；采用无缺陷区熔硅单晶和扩散型缓冲层，可以大幅提高快速软恢复二极管的电压和电流水平。

公开(公告)号：CN1214468A

公开(公告)日：1999-04-21

申请号：CN98117966.5

申请日：1998-09-11

Applicant: 清华大学

Inventor： 段生权 ,  王培清 ,  张斌 ,  王小兵 ,  陈永麒 ,  洪啸吟

IPC: G03F7/00

Abstract: 本发明涉及一种酸性无显影气相光刻胶刻蚀氮化硅的工艺,无显影气相光刻胶由成膜物质、增感剂、光敏产酸物、溶剂组成。各组分的配比为∶成膜物质∶增感剂∶光敏产酸物∶溶剂为(8－9)∶(0.5－1.0)∶(0.8－1.0)∶90。用上述光刻胶刻蚀氮化硅的工艺流程为硅片上涂光刻胶,烘干,掩膜曝光,再用稀释氢氟酸气体腐蚀,洗去硅片表面的光刻胶,即得正性光刻图形。

公开(公告)号：CN1157426A

公开(公告)日：1997-08-20

申请号：CN96114150.6

申请日：1996-12-27

Applicant: 清华大学

Inventor： 王培清 ,  卢建平 ,  洪啸吟 ,  陈永麒

IPC: G03F7/00

Abstract: 一种无显影气相光刻胶，属于光刻技术领域。本发明光刻胶由成膜物质，光敏剂、具有光敏性的刻蚀促进剂和溶剂组成，所说的成膜物质为可紫外光固化的光敏树脂如肉桂酸酯类树脂、丙烯酸类树脂。所说的光敏剂可用5-硝基苊，安息香二甲醚、二苯酮等；光敏性刻蚀促进剂为带有叔胺基的光敏化合物如N，N二甲胺基甲基丙烯酸乙酯，2-甲基-1-(对甲硫苯基)-2-吗啉丙酮，2-苄基-2-二甲氨基-1-(对吗啉苯基)丁酮-1；所说的溶剂为能溶解上述物质的有机溶剂如环己酮，N，N-二甲胺基甲酰胺，乙酸乙二醇乙醚，上述各组分的配比为∶成膜物质∶光敏剂∶光敏性刻蚀促进剂∶溶剂为(8-9)∶(0.7-1.0)∶(0.3-1.0)∶90。采用本发明光刻胶可达到刻蚀深度1600nm，曝光量可减少至400mJ/cm2。

公开(公告)号：CN102820225B

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201210285197.9

申请日：2012-08-10

Applicant: 清华大学 ,  北京卅普科技有限公司

Inventor： 周伟松 ,  刘道广 ,  张斌 ,  王培清

IPC: H01L21/329 ,  H01L21/225

Abstract: 本发明公开了属于半导体器件范围的一种具有扩散型缓冲层的高压快速软恢复二极管的制造方法。扩散缓冲层快恢复二极管采用两次扩散方法制作缓冲层，在PN结和电极制备之前，首先采用一次磷扩散，在硅片两面生成低浓度和深结深的磷扩散区，其后在二次磷扩散和硼铝扩散过程中，一次磷扩散的结深继续推进，最终一次磷扩散比二次磷扩散的结深深出20μm左右，一次磷扩散前沿浓度小于1×1015/cm－3区域的深度不少于15μm；采用无缺陷区熔硅单晶和扩散型缓冲层，可以大幅提高快速软恢复二极管的电压和电流水平。

公开(公告)号：CN100372126C

公开(公告)日：2008-02-27

申请号：CN200510086992.5

申请日：2005-11-25

Applicant: 清华大学

Inventor： 周伟松 ,  王培清 ,  志大器 ,  王均平 ,  张斌

IPC: H01L29/74

Abstract: 高频晶闸管，属于功率开关器件技术领域。为了解决现有高频晶闸管工作电流无法达到1200A，不能满足大功率逆变设备要求的问题，本发明提供了一种高频晶闸管，包括硅片、蒸发在所述硅片上的门极、放大门极和阴极，其特征在于：所述放大门极采用分布式结构，分为四部分，每部分由一条放大门极主干和三条弧形支路组成，各部分之间的间距以及同一部分中支路之间的间距均由电流扩展速度决定，范围在3.5～5mm。本发明工作电压高，工作电流大，开通时间和关断时间短，dv/dt和di/dt耐量高，能在8～10kHz下工作。

公开(公告)号：CN1767206A

公开(公告)日：2006-05-03

申请号：CN200510086992.5

申请日：2005-11-25

Applicant: 清华大学

Inventor： 周伟松 ,  王培清 ,  志大器 ,  王均平 ,  张斌

IPC: H01L29/74

Abstract: 高频晶闸管，属于功率开关器件技术领域。为了解决现有高频晶闸管工作电流无法达到1200A，不能满足大功率逆变设备要求的问题，本发明提供了一种高频晶闸管，包括硅片、蒸发在所述硅片上的门极、放大门极和阴极，其特征在于：所述放大门极采用分布式结构，分为四部分，每部分由一条放大门极主干和三条弧形支路组成，各部分之间的间距以及同一部分中支路之间的间距均由电流扩展速度决定，范围在3.5～5mm。本发明工作电压高，工作电流大，开通时间和关断时间短，dv/dt和di/dt耐量高，能在8～10kHz下工作。

公开(公告)号：CN1467908A

公开(公告)日：2004-01-14

申请号：CN02124140.6

申请日：2002-07-12

Applicant: 清华大学

Inventor： 周伟松 ,  王培清

IPC: H02P1/28 ,  H02P1/40 ,  H02H7/08

Abstract: 矿用隔爆软启动器属于矿用异步电动机控制设备领域，其特征在于：它把目前的隔爆1型启动器与常规软启动器设计成一体，用单片机统一控制，在提高原有设备响应速度和运行可靠性的同时也降低了设备投资。

公开(公告)号：CN1214469A

公开(公告)日：1999-04-21

申请号：CN98117969.X

申请日：1998-09-11

Applicant: 清华大学

Inventor： 段生权 ,  王培清 ,  张斌 ,  王小兵 ,  陈永麒 ,  洪啸吟

IPC: G03F7/00

Abstract: 本发明涉及一种适用碱性无显影气相光刻胶及其刻蚀氮化硅的工艺,无显影光刻胶由成膜物质、增感剂、有机碱、溶剂组成,各组分的配比为∶成膜物质∶增感剂∶有机碱∶溶剂为(8－9)∶(0.5－1.0)∶(0.8－1.0)∶90。采用上述光刻胶刻蚀氮化硅的工艺是首先在表面沉积有氮化硅的样品上涂上光刻胶,烘干,掩膜曝光,然后用稀释氢氟酸对其进行腐蚀,最后洗去样品表面的光刻胶,即得正性光刻图形。