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公开(公告)号：CN110868181A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201911200913.7
申请日：2019-11-29
Applicant: 清华大学 , 无锡市好达电子有限公司
Abstract: 本发明公开了一种具有GS分层式电极的薄膜材料声表面波器件及其制备方法与应用。它由下至上依次包括基片、第一层叉指换能器、二氧化硅薄膜、压电薄膜和第二层叉指换能器。其制备方法包括如下步骤：1)利用光刻技术和电子束蒸镀方法，在基片表面制备第一层叉指换能器；2)利用磁控溅射方法，在第一层叉指换能器和基片上生长二氧化硅薄膜；3)使二氧化硅薄膜表面平整，然后采用磁控溅射的方法在其表面上生长压电薄膜；4)采用步骤1)中方法在压电薄膜上制备第二层叉指换能器，并将其与第一层叉指换能器按照设置对准，并利用光刻技术露出第一层叉指换能器的电极PAD区，即得。本发明具有更高的频率、较高的温度稳定性，同时具有更强的集成性能。
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公开(公告)号：CN113098419B
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202110371349.6
申请日：2021-04-07
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种基于刻蚀压电薄膜的高机电耦合系数声表面波器件，属于电子信息材料领域。所述声表面波器件从下至上依次包括高声速衬底，部分刻蚀压电薄膜和顶电极。所述顶电极为叉指电极，对叉指之间压电薄膜进行部分刻蚀。本发明的声表面波器件具有两种模态，分别为准瑞利波模态和准西沙瓦波模态，其中准瑞利波模态具有低频高机电耦合系数的特点，可以实现声表面波器件低频小型化的需要；准西沙瓦波模态具有高频，高机电耦合系数的特点，适合制备高频大带宽声表面波器件。本发明的声表面波器件为多层复合结构，容易制备和批量生产，对实际应用具有重要意义。
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公开(公告)号：CN112383288A
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN202011278276.8
申请日：2020-11-16
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种温度补偿的免封装声表面波器件及其制备方法。它由下至上依次包括基片、叉指换能器、二氧化硅层、高声速层；所述基片包括压电单晶基片和/或生长了强织构压电薄膜的基片；当所述基片为所述生长了强织构压电薄膜的常规基片时，在其生长了强织构压电薄膜的一面上设置所述二氧化硅层；所述二氧化硅层设置在所述基片上并覆盖所述叉指换能器及其相邻叉指间隙。本发明通过将高声速层覆盖在器件上方的方式，抑制声波的向上传播，可以实现器件的免封装，进而推动声表面波器件在降低成本、提高良率、推进器件小型化等方面的进步，通过采用成熟的温度补偿声表面波器件中各功能层制备的方法，在提高器件温度稳定性的同时保证了器件的品质。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110670027B
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201911081522.8
申请日：2019-11-07
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种基于双层电极高机电耦合系数的声表面波器件及其制备方法。所述声表面波器件的结构如下：基片上依次为铜电极、压电薄膜和铝电极；铜电极的信号端与铝电极的接地端对应；压电薄膜为氧化锌薄膜。由于所采用的西沙瓦波模式是薄膜厚度振动和横向振动耦合而成，本发明的特点在于通过双层电极激励纵向电场(薄膜厚度方向)和横向电场(声表面波传播方向)，通过改变电场和压电薄膜的耦合方式从而提高声表面波器件的机电耦合系数。
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公开(公告)号：CN116805863A
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202210257387.3
申请日：2022-03-16
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种高频大带宽声表面波滤波器及其制备方法。所述声表面波器件包括串联谐振器和并联谐振器，串联谐振器与并联谐振器通过汇流电极连接；串联谐振器、并联谐振器和汇流电极均设于压电基片上；并联谐振器的线宽大于串联谐振器的线宽；串联谐振器和并联谐振器中的叉指电极的厚度不同。本发明通过在串并联谐振器中采用不同厚度的电极从而保证寄生模式被排除在主谐振之外。采用本发明声表面波滤波器在超过3GHz频率下具有极大的通道带宽，并且保证了较小的插入损耗和很低的带内波动。本发明高频大带宽声表面波滤波器容易实现，易于商业推广，在移动通讯领域具有较高的应用价值。
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公开(公告)号：CN113300687A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202110539227.3
申请日：2021-05-18
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种具有薄双层结构的高性能声表面波器件及其制备方法。本发明器件的结构包括压电单晶基片、叉指换能器、高声速层和二氧化硅层；压电单晶基片上设置叉指换能器和高声速层；当高声速层厚度小于等于叉指换能器的厚度时，高声速层设置于叉指换能器的相邻叉指间隙；当高声速层厚度大于叉指换能器的厚度时，高声速层设置于叉指换能器的相邻叉指间隙或同时设置于叉指换能器上及其相邻叉指间隙处；二氧化硅层设置于高声速层和/或叉指换能器的上方。本发将高声速层覆盖在传统压电单晶基片上方提高了器件频率；高声速层上方设置二氧化硅层抑制声表面波的向下耗散；二氧化硅层的加入也起到了增加器件温度稳定性的作用；其结构简单，造价低廉。
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公开(公告)号：CN113098419A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110371349.6
申请日：2021-04-07
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种基于刻蚀压电薄膜的高机电耦合系数声表面波器件，属于电子信息材料领域。所述声表面波器件从下至上依次包括高声速衬底，部分刻蚀压电薄膜和顶电极。所述顶电极为叉指电极，对叉指之间压电薄膜进行部分刻蚀。本发明的声表面波器件具有两种模态，分别为准瑞利波模态和准西沙瓦波模态，其中准瑞利波模态具有低频高机电耦合系数的特点，可以实现声表面波器件低频小型化的需要；准西沙瓦波模态具有高频，高机电耦合系数的特点，适合制备高频大带宽声表面波器件。本发明的声表面波器件为多层复合结构，容易制备和批量生产，对实际应用具有重要意义。
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公开(公告)号：CN110670027A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201911081522.8
申请日：2019-11-07
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种基于双层电极高机电耦合系数的声表面波器件及其制备方法。所述声表面波器件的结构如下：基片上依次为铜电极、压电薄膜和铝电极；铜电极的信号端与铝电极的接地端对应；压电薄膜为氧化锌薄膜。由于所采用的西沙瓦波模式是薄膜厚度振动和横向振动耦合而成，本发明的特点在于通过双层电极激励纵向电场(薄膜厚度方向)和横向电场(声表面波传播方向)，通过改变电场和压电薄膜的耦合方式从而提高声表面波器件的机电耦合系数。
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