公开(公告)号：CN107010604B

公开(公告)日：2019-05-31

申请号：CN201710255849.7

申请日：2017-04-17

Applicant: 清华大学

Inventor： 李亚栋 ,  伍晖 ,  欧刚

IPC: C01B13/14 ,  C01F17/00 ,  C01G9/02 ,  C01G19/02 ,  C01G23/08 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明涉及一种在常温下调控氧化物材料缺陷浓度的方法，该方法在选定的氧化物材料中加入适量的高反应活性的金属粉体和分散介质，研磨均匀使其充分反应，离心干燥后即可得到具有一定缺陷浓度的氧化物材料，通过调节金属锂粉的加入量即可调控氧化物材料中缺陷的含量。本发明的方法在研磨过程中夺取部分氧化物材料晶格中的氧，利用缺陷的引入对氧化物材料的表面结构以及光学、电学和催化等性能进行调控，常温下即可在氧化物材料中引入缺陷，同时具有快速、节能、环保和适用范围广等优点，尤其对于材料缺陷比较敏感和材料缺陷调控相对困难的体系有更加显著的优势。

公开(公告)号：CN106624369A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201610900058.0

申请日：2016-10-14

Applicant: 清华大学

Inventor： 伍晖 ,  钟敏霖 ,  欧刚 ,  范培迅

IPC: B23K26/362 ,  C23C8/14 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: B23K26/361 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C23C8/14

Abstract: 本发明公开了一种快速制备氧化物多级纳米结构的方法，包括以下步骤：选定一种固体材料，采用聚焦高能密度脉冲激光束在含氧气氛中对选定材料进行烧蚀处理，材料烧蚀氧化形成氧化物多级纳米结构；或者气化成微小颗粒发生氧化反应，冷却沉积后形成氧化物多级纳米结构。

公开(公告)号：CN104973576A

公开(公告)日：2015-10-14

申请号：CN201510155588.2

申请日：2015-04-02

Applicant: 清华大学

Inventor： 欧刚 ,  李东珂 ,  潘伟 ,  伍晖

IPC: C01B13/14 ,  H01L31/0296 ,  B01J23/06

Abstract: 本发明属于材料科学与工程领域，特别涉及一种半导体材料及其调制禁带宽度的方法与应用。本发明对于一种特定的半导体材料，首先采用高温热源将其熔化，让材料中各原子或离子迅速扩散达到原子级均匀分布，然后将熔体快速冷却凝固，在材料内部引入一定量的缺陷，利用缺陷能级的引入对半导体材料的禁带宽度进行调制。本发明具有快速、节能、适用范围广等优点，尤其对于对缺陷比较敏感和禁带宽度调制困难的体系有更加显著的优势。

公开(公告)号：CN107010604A

公开(公告)日：2017-08-04

申请号：CN201710255849.7

申请日：2017-04-17

Applicant: 清华大学

Inventor： 李亚栋 ,  伍晖 ,  欧刚

IPC: C01B13/14 ,  C01F17/00 ,  C01G9/02 ,  C01G19/02 ,  C01G23/08 ,  B82Y30/00

CPC classification number: C01B13/145 ,  B82Y30/00 ,  C01F17/0043 ,  C01G9/02 ,  C01G19/02 ,  C01G23/08 ,  C01P2002/72 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/64

Abstract: 本发明涉及一种在常温下调控氧化物材料缺陷浓度的方法，该方法在选定的氧化物材料中加入适量的高反应活性的金属粉体和分散介质，研磨均匀使其充分反应，离心干燥后即可得到具有一定缺陷浓度的氧化物材料，通过调节金属锂粉的加入量即可调控氧化物材料中缺陷的含量。本发明的方法在研磨过程中夺取部分氧化物材料晶格中的氧，利用缺陷的引入对氧化物材料的表面结构以及光学、电学和催化等性能进行调控，常温下即可在氧化物材料中引入缺陷，同时具有快速、节能、环保和适用范围广等优点，尤其对于材料缺陷比较敏感和材料缺陷调控相对困难的体系有更加显著的优势。