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公开(公告)号：CN106643470B
公开(公告)日：2019-04-23
申请号：CN201611215267.8
申请日：2016-12-26
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明涉及一种绝对式电容角位移测量传感器，其特征在于包括敏感结构、信号调制解调电路和误差补偿及融合模块；敏感结构包括纵向平行设置的第一定子、转子和第二定子；第一定子顶部外侧设置精测采集电极，第一定子顶部内侧设置精测激励电极；转子底部外侧设置精测敏感电极，转子底部内侧设置精测耦合电极，转子顶部外侧设置粗测敏感电极，转子顶部内侧设置粗测耦合电极，精测/和粗测敏感电极及精测/和粗测耦合电极为等势体；第二定子底部外侧设置粗测采集电极，第二定子底部内侧设置粗测激励电极；信号调制解调电路用于测量精测角位移和粗测角位移；误差补偿及融合模块用于进行误差补偿后计算绝对角位移，本发明可广泛用于角位移测量传感器中。
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公开(公告)号：CN108544739A
公开(公告)日：2018-09-18
申请号：CN201810319845.5
申请日：2018-04-11
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明涉及一种半球谐振器的热成型装置及半模压热成型加工方法，其中的热成型装置，包括：用于承载成型材料片的承载台，与所述承载台密封连接的凹模，以及与所述承载台密封连接且支撑在所述凹模下方的密封头；其中，在所述凹模的型腔的底部中心设置有用于固定成型材料柱的插槽，在所述凹模的型腔的底部还设置多个抽气孔；在所述密封头的下端密封连接抽气管，在所述抽气管中布置可升降的顶杆，所述顶杆的上端与顶针固定连接，所述顶针的上端布置于开设在所述凹模底部的顶针孔中，所述顶针孔与插槽相通。
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公开(公告)号：CN105953721B
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201610339806.2
申请日：2016-05-20
Applicant: 清华大学
IPC: G01B7/30
Abstract: 本发明涉及一种偏心电容式角位移传感器结构及其使用方法，它包括解调电路和敏感结构，解调电路产生正弦激励信号作用于敏感结构，由敏感结构将电容变化信息返回至解调电路进而获得转角信息。敏感结构包括定子和转子，在定子表面设置有保护电极、激励电极和采集电极；在定子表面最内侧和最外侧均设置有保护电极，紧邻内环保护电极的外侧设置有激励电极，激励电极的外侧设置有采集电极。转子包括保护电极、耦合电极和偏心敏感电极，在转子表面最内侧和最外侧也均设置有保护电极，紧邻内环保护电极外侧设置有耦合电极，耦合电极外侧设置有偏心敏感电极。采集电极和偏心敏感电极呈正对设置，组成测量电容。本发明可减小因径向跳动而导致的测量误差。
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公开(公告)号：CN106052546A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610341028.0
申请日：2016-05-20
Applicant: 清华大学
IPC: G01B7/30
CPC classification number: G01B7/30
Abstract: 本发明涉及一种分瓣电容式角位移传感器，它包括解调电路和敏感结构，解调电路产生正弦激励信号作用于敏感结构，由敏感结构将电容变化信息返回至解调电路进而获得转角信息。敏感结构包括定子和转子，在定子表面设置有保护电极、激励电极和采集电极；在定子表面最内侧和最外侧均设置有保护电极，紧邻内环保护电极的外侧设置有激励电极，激励电极的外侧设置有采集电极。转子包括保护电极、耦合电极和敏感电极，在转子表面最内侧和最外侧也均设置有保护电极，紧邻内环保护电极外侧设置有耦合电极，耦合电极外侧设置有敏感电极。采集电极和敏感电极呈正对设置，组成测量电容。本发明可减小因径向跳动而导致的测量误差。
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公开(公告)号：CN117190994A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311088706.3
申请日：2023-08-28
Applicant: 清华大学
IPC: G01C19/5691
Abstract: 本公开涉及一种针对半球谐振子的质量调平系统及质量调平方法，所述系统包括：激励模块用于激励待调平的半球谐振子产生振动；激光干涉仪包括至少两个检测探头，至少两个检测探头用于采集半球谐振子的至少两个位置的振动信息；离子束刻蚀模块，用于使用离子束对半球谐振子进行刻蚀；控制模块用于根据半球谐振子在振动衰减过程中的至少两个位置的振动信息，确定半球谐振子的振动主轴的方位以及频率裂解的大小；根据半球谐振子的振动主轴的方位以及频率裂解的大小，控制离子束刻蚀模块使用离子束对半球谐振子进行刻蚀，以实现对半球谐振子的质量调平。由此，能够实现更高精度的质量调平且自动化程度高，同时不会降低半球谐振子的品质因数。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106052546B
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201610341028.0
申请日：2016-05-20
Applicant: 清华大学
IPC: G01B7/30
Abstract: 本发明涉及一种分瓣电容式角位移传感器，它包括解调电路和敏感结构，解调电路产生正弦激励信号作用于敏感结构，由敏感结构将电容变化信息返回至解调电路进而获得转角信息。敏感结构包括定子和转子，在定子表面设置有保护电极、激励电极和采集电极；在定子表面最内侧和最外侧均设置有保护电极，紧邻内环保护电极的外侧设置有激励电极，激励电极的外侧设置有采集电极。转子包括保护电极、耦合电极和敏感电极，在转子表面最内侧和最外侧也均设置有保护电极，紧邻内环保护电极外侧设置有耦合电极，耦合电极外侧设置有敏感电极。采集电极和敏感电极呈正对设置，组成测量电容。本发明可减小因径向跳动而导致的测量误差。
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公开(公告)号：CN108544739B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN201810319845.5
申请日：2018-04-11
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明涉及一种半球谐振器的热成型装置及半模压热成型加工方法，其中的热成型装置，包括：用于承载成型材料片的承载台，与所述承载台密封连接的凹模，以及与所述承载台密封连接且支撑在所述凹模下方的密封头；其中，在所述凹模的型腔的底部中心设置有用于固定成型材料柱的插槽，在所述凹模的型腔的底部还设置多个抽气孔；在所述密封头的下端密封连接抽气管，在所述抽气管中布置可升降的顶杆，所述顶杆的上端与顶针固定连接，所述顶针的上端布置于开设在所述凹模底部的顶针孔中，所述顶针孔与插槽相通。
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公开(公告)号：CN106643470A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201611215267.8
申请日：2016-12-26
Applicant: 清华大学
CPC classification number: G01B7/30 , G01D5/2412
Abstract: 本发明涉及一种绝对式电容角位移测量传感器，其特征在于包括敏感结构、信号调制解调电路和误差补偿及融合模块；敏感结构包括纵向平行设置的第一定子、转子和第二定子；第一定子顶部外侧设置精测采集电极，第一定子顶部内侧设置精测激励电极；转子底部外侧设置精测敏感电极，转子底部内侧设置精测耦合电极，转子顶部外侧设置粗测敏感电极，转子顶部内侧设置粗测耦合电极，精测/和粗测敏感电极及精测/和粗测耦合电极为等势体；第二定子底部外侧设置粗测采集电极，第二定子底部内侧设置粗测激励电极；信号调制解调电路用于测量精测角位移和粗测角位移；误差补偿及融合模块用于进行误差补偿后计算绝对角位移，本发明可广泛用于角位移测量传感器中。
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公开(公告)号：CN105953721A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201610339806.2
申请日：2016-05-20
Applicant: 清华大学
IPC: G01B7/30
CPC classification number: G01B7/30
Abstract: 本发明涉及一种偏心电容式角位移传感器结构及其使用方法，它包括解调电路和敏感结构，解调电路产生正弦激励信号作用于敏感结构，由敏感结构将电容变化信息返回至解调电路进而获得转角信息。敏感结构包括定子和转子，在定子表面设置有保护电极、激励电极和采集电极；在定子表面最内侧和最外侧均设置有保护电极，紧邻内环保护电极的外侧设置有激励电极，激励电极的外侧设置有采集电极。转子包括保护电极、耦合电极和偏心敏感电极，在转子表面最内侧和最外侧也均设置有保护电极，紧邻内环保护电极外侧设置有耦合电极，耦合电极外侧设置有偏心敏感电极。采集电极和偏心敏感电极呈正对设置，组成测量电容。本发明可减小因径向跳动而导致的测量误差。
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公开(公告)号：CN208232294U
公开(公告)日：2018-12-14
申请号：CN201820508434.6
申请日：2018-04-11
Applicant: 清华大学
Abstract: 本实用新型涉及一种半球谐振器的热成型装置，包括：用于承载成型材料片的承载台，与所述承载台密封连接的凹模，以及与所述承载台密封连接且支撑在所述凹模下方的密封头；其中，在所述凹模的型腔的底部中心设置有用于固定成型材料柱的插槽，在所述凹模的型腔的底部还设置多个抽气孔；在所述密封头的下端密封连接抽气管，在所述抽气管中布置可升降的顶杆，所述顶杆的上端与顶针固定连接，所述顶针的上端布置于开设在所述凹模底部的顶针孔中，所述顶针孔与插槽相通。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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