公开(公告)号：CN118973372A

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202411057023.6

申请日：2024-08-02

Applicant: 清华大学

Inventor： 任天令 ,  张佳贺 ,  囤冠华 ,  覃肯 ,  彭家丽 ,  谢丹

IPC: H10N70/00 ,  H10N70/20 ,  H10B63/00

Abstract: 本发明涉及一种具有可调节响应度的钙钛矿异质结光电忆阻器及其制备方法和应用。本发明的响应度可调节的原理是基于导电细丝调控异质结能带的新机制，通过施加电压编程，将器件的导电细丝状态调节到不同的状态，从而实现可调节的响应度。本发明的光电忆阻器展示了1～10000的可调比率，并具有超过104秒的长期记忆行为。本发明的忆阻器可用于图像识别任务的传感、存储、运算融合应用中。

公开(公告)号：CN119907327A

公开(公告)日：2025-04-29

申请号：CN202510039957.5

申请日：2025-01-10

Applicant: 清华大学 ,  无锡旭晶光电科技有限公司

Inventor： 任天令 ,  张佳贺 ,  谢丹 ,  耿祥顺 ,  囤冠华 ,  彭家丽 ,  覃肯

IPC: H10F39/18 ,  H10K71/60 ,  H10K39/36 ,  H10K39/18

Abstract: 本发明公开了一种硅通孔辅助的钙钛矿单晶阵列及与CMOS芯片互连方法，钙钛矿单晶阵列包括硅基底、隔离层、钙钛矿单晶、公共电极和像素化金属电极，硅基底具有阵列化的贯穿通孔，钙钛矿单晶位于通孔内部，公共电极沉积在硅基底和钙钛矿单晶的表面上，像素化金属电极沉积在硅基底和钙钛矿单晶远离公共电极一侧的表面上；在应用过程中，将钙钛矿单晶阵列与CMOS芯片通过倒装焊接技术实现互连。本发明通过利用硅通孔的高精度加工能力与钙钛矿材料的优异性能相结合，确保了与CMOS工艺的兼容性，实现了高质量钙钛矿单晶阵列的像素化和与底层的CMOS读出芯片的高密度集成互连，从而为低成本、高性能X射线成像器件的制造提供了一种创新的技术路径。

公开(公告)号：CN118946229A

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202411026133.6

申请日：2024-07-29

Applicant: 清华大学

Inventor： 任天令 ,  覃肯 ,  囤冠华 ,  张佳贺 ,  彭家丽 ,  谢丹

IPC: H10K71/40 ,  H10K85/50

Abstract: 本发明涉及一种简易高效的气相氛围钙钛矿退火方法，将钙钛矿前驱体溶液置于衬底上形成钙钛矿薄膜，在退火步骤之前将聚酰亚胺胶带紧贴在薄膜上并施加压力，随后整体在钙钛矿退火条件下进行退火。本发明通过比较简单的方法营造气相氛围对钙钛矿材料退火，在降低成本的同时，促进晶粒生长、减少杂质、提升钙钛矿薄膜平整度，可以满足商业化的需求。

公开(公告)号：CN118922035A

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202411007181.0

申请日：2024-07-25

Applicant: 清华大学

Inventor： 任天令 ,  囤冠华 ,  张佳贺 ,  覃肯 ,  彭家丽 ,  谢丹

IPC: H10K71/00 ,  H10K30/88 ,  H10K30/40 ,  H10K30/60 ,  H10K39/36

Abstract: 本发明涉及一种使用离子液体作为连接层实现钙钛矿单晶与CMOS芯片集成的方法。该方法以离子液体作为连接层，与钙钛矿单晶形成新的界面层，即通过化学焊接技术实现了大面积卤化物钙钛矿单晶与CMOS基底的强粘合，提高了X射线探测器的灵敏度和稳定性，为基于CMOS的高性能X射线探测器的集成制造提供了一种有效的解决方案。