公开(公告)号：CN103337362A

公开(公告)日：2013-10-02

申请号：CN201310146546.3

申请日：2013-04-24

Applicant: 清华大学

Inventor： 郭宁 ,  韦进全 ,  王宇航 ,  赵克寒 ,  石晓兰 ,  张留碗 ,  贾怡 ,  孙欢欢 ,  朱宏伟 ,  王昆林 ,  吴德海

IPC: H01G4/08 ,  H01G4/008

Abstract: 本发明提供一种纳米电容器及其制备方法，其中，该纳米电容器包括上电极板、下电极板、以及位于所述上电极板与所述下电极板之间的介电层，其中，所述介电层为厚度0.4nm～60nm的六方氮化硼薄膜。根据本发明上述实施例的纳米电容器，具有良好的高频稳定性，且在温度为77～300K范围内，随着温度的升高，电容器的比电容值呈缓慢上升趋势，但总体变化量较小，表现出较好的温度稳定性。