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公开(公告)号：CN117802543B
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410066606.9
申请日：2024-01-17
申请人： 深圳市联合蓝海应用材料科技股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种用于制备耐磨抗氧化镀层的金银电镀液、电镀方法及产品，属于电镀技术领域。所述金银电镀液包含金离子含量为1~30g/L的水溶性含氰金盐，银离子含量为5~200mg/L的水溶性含氰银盐，10~120g/L的焦磷酸盐，乙内酰脲或其衍生物，乙内酰脲或其衍生物与银离子的摩尔比在2以上，溶剂为水。该金银电镀液具有极高稳定性，不需要额外添加游离的氰根离子；镀液在碱性条件下操作，避免生产过程中的氰化物毒害风险；不需要使用结晶调整剂也可以获得很平整的镀层。本发明获得的金银合金镀层耐磨特性优异，耐氧化能力显著高于镍或钴，长期使用后接触电阻保持在较低水平，从而改善相应电气设备长期使用后的性能。
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公开(公告)号：CN118504367A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410980769.8
申请日：2024-07-22
申请人： 深圳市联合蓝海应用材料科技股份有限公司 , 季华实验室
IPC分类号： G06F30/23 , G06F113/08
摘要： 本申请实施例提供一种电镀仿真模型构建及仿真方法、装置、处理器及存储介质，涉及虚拟仿真技术领域，电镀仿真模型构建方法包括：对目标电镀设备的电镀腔体进行几何建模，得到几何模型；确定几何模型的仿真参数信息；确定几何模型的目标物理场及目标物理场的初边值条件，并基于目标物理场进行多物理场耦合，构建出电镀仿真模型；其中，目标物理场包括三次电流分布物理场、层流物理场和电极壳物理场。本申请通过更全面地考虑各种因素对镀层形成过程的影响，提高了仿真结果的准确性和可靠性，从而便于相关人员基于仿真结果提高产品质量和生产效率。
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公开(公告)号：CN118326466A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410750386.1
申请日：2024-06-12
申请人： 深圳市联合蓝海应用材料科技股份有限公司
IPC分类号： C25D5/18 , H01L21/768 , H01L23/373 , H01L23/367 , C25D7/12
摘要： 本发明公开了一种提高化合物半导体器件背孔导热性能的方法及相应产品，属于电镀技术领域。方法包括以下步骤：S1对化合物半导体器件预处理，在背孔内形成金属种子层；S2准备金属电镀液；S3将步骤S1预处理后的化合物半导体器件放入步骤S2的金属电镀液中，采用周期电镀的方法获得电镀金属层；所述周期电镀的工艺参数包括：大电流密度及其时间周期，小电流密度及其时间周期。本发明提供的方法，既可以提高背孔孔内填充率，又可以调节电镀金属表面粗糙度，从而显著提高化合物半导体背孔导热性能，易于操作和实现，同时不影响生产效率。
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公开(公告)号：CN117646259B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202410121348.X
申请日：2024-01-29
申请人： 深圳市联合蓝海应用材料科技股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种制备金银合金镀层的方法及相应镀层和产品，属于电镀技术领域。制备金银合金镀层的方法包括以下步骤：待电镀工件预处理，准备金银电镀液，设定电镀温度；测试确定低电流密度区间和高电流密度区间，将待电镀工件放入电镀液中，控制电流密度在低电流密度区间和高电流密度区间之间周期性切换；获得预定金银沉积量的金银镀层后，结束电镀；对金银镀层退火处理。本发明消除了电流密度小幅波动对金银合金镀层中金含量的影响，从而解决了由于光刻胶开口导致不同位置的金银合金镀层中金含量存在随机差异的技术问题，通过调节高电流密度区间和低电流密度区间的时间周期时长，从而控制各层镀层的厚度，即可准确控制最终镀层中的金含量。
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公开(公告)号：CN116240597B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202211706098.3
申请日：2022-12-29
申请人： 华为技术有限公司 , 深圳市联合蓝海应用材料科技股份有限公司
摘要： 本申请实施例提供了一种电镀金镀液，包括：作为金源的氰化亚金盐、草酸盐、含铅化合物、水溶性多糖类物质和有机酸传导介质；其中，有机酸传导介质包括有机膦酸或其盐。在所述有机酸传导介质与其他组分的协同配合下，可以保证该镀液的电传导速率较高、电镀所得金凸块的表面平整度高及热处理后硬度高，特别适合小间距的半导体基片与基板之间的可靠互连。本申请实施例还提供了上述电镀金镀液的相关应用。
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公开(公告)号：CN118064943A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410077009.6
申请日：2024-01-19
申请人： 深圳市联合蓝海应用材料科技股份有限公司
摘要： 本发明公开了含氰金银电镀液的稳定剂、电镀液和电镀方法，属于电镀技术领域。所述稳定剂为乙内酰脲或其衍生物，稳定剂与含氰金银电镀液中银离子的摩尔比为2以上。所述金银电镀液包含水溶性含氰金盐、水溶性含氰银盐、导电盐、上述稳定剂和水；金离子浓度为1‑20g/L，银离子浓度为0.3‑10g/L，导电盐浓度为10‑120g/L。本发明的稳定剂对含氰金银电镀液中的银离子具有优异的保护能力，同时还能起到整平剂的作用；电镀液具有极高的稳定性，不需要额外添加游离的氰根离子和整平剂，对于半导体芯片制造涉及到光刻胶的制程比较友好；不改变电镀设备和电镀液，仅需改变电流密度，就可以获得不同金含量的金银合金镀层。
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公开(公告)号：CN117926355A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410133611.7
申请日：2024-01-30
申请人： 深圳市联合蓝海应用材料科技股份有限公司
IPC分类号： C25D3/48
摘要： 本发明涉及电镀金领域，具体公开了一种多配位剂无氰电镀金镀液及其电镀金方法；本发明使用含金盐、配位剂、PH调节剂、助镀剂、添加剂和纯水制备镀液，其中助镀剂包括硝酸铈和甘油，硝酸铈能够显著增强镀液与基体的结合能力，使得镀液能够更为牢靠地贴合在基体表面，同时采用甘油，甘油能够迟滞亚硫酸盐在高温下向硫酸盐的转化，进而有效延长镀液的保存时间，采用多种主配位剂和多种辅配位剂混合制作配位剂，该配位剂能够显著提高阴极极化、降低晶粒尺寸，提升基体表面镀层的结合力、硬度、钎焊性和厚度，而且还能够有效提升镀层的平整性和镀层应力。
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公开(公告)号：CN117542818B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410033246.2
申请日：2024-01-10
申请人： 深圳市联合蓝海应用材料科技股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种金银合金凸块及其制备方法和应用，属于半导体倒装芯片封装技术领域。所述金银合金凸块由两层金银合金层组成，分别为连接层和防护层；所述连接层金的含量为20‑50wt%；所述防护层的厚度远小于连接层，金的含量为60wt%以上。本发明提供的金银合金凸块，具有与纯金凸块相当的硬度、粗糙度和抗硫化性能，能够满足倒装芯片封装的技术需求，同时能够大幅降低成本。本发明提供的金银合金凸块方法，可以通过同一设备和镀液，仅改变电流密度，即可获得本发明的双层结构金银合金凸块，简化制备工艺，提高生产效率，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN117542818A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202410033246.2
申请日：2024-01-10
申请人： 深圳市联合蓝海应用材料科技股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种金银合金凸块及其制备方法和应用，属于半导体倒装芯片封装技术领域。所述金银合金凸块由两层金银合金层组成，分别为连接层和防护层；所述连接层金的含量为20‑50wt%；所述防护层的厚度远小于连接层，金的含量为60wt%以上。本发明提供的金银合金凸块，具有与纯金凸块相当的硬度、粗糙度和抗硫化性能，能够满足倒装芯片封装的技术需求，同时能够大幅降低成本。本发明提供的金银合金凸块方法，可以通过同一设备和镀液，仅改变电流密度，即可获得本发明的双层结构金银合金凸块，简化制备工艺，提高生产效率，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN118398588A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410852249.9
申请日：2024-06-28
申请人： 深圳市联合蓝海应用材料科技股份有限公司
IPC分类号： H01L23/488 , H01L21/60
摘要： 本发明公开了一种用于半导体器件的金银合金结构及其制备方法，属于半导体器件制备技术领域。所述金银合金结构的主体为金银合金凸块，在金银合金凸块的表面有多孔金层。在电镀制备金银合金凸块以后，使用同一电镀液或者使用刻蚀液进行反向电镀，刻蚀金银合金凸块表面的银，在金银合金凸块表面形成多孔金层，从而解决金银合金凸块中的银容易氧化或者硫化的技术问题，实现用金银合金替代纯金用于半导体器件。本发明不需要增加新的电镀设备或者化学镀设备，工艺简单、易于实现。
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