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公开(公告)号：CN104737235B
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201380054174.X
申请日：2013-10-10
Inventor： 关根尊史 , 栗田隆史 , 川嶋利幸 , 佐藤仲弘 , 菅博文 , 北川米喜 , 森芳孝 , 石井胜弘 , 藤田和久 , 花山良平 , 冲原伸一朗 , 砂原淳 , 米田修 , 中村直树 , 西村靖彦 , 东博纯
Abstract: 本发明能够比较容易地控制提供给靶的中心部的等离子体的能量。本发明的激光核聚变装置具备：将靶壳(Tg1)提供给腔室(2)的靶壳供给装置(3)、监视靶壳(Tg1)的姿势和位置的靶壳监视装置(4)、将压缩用激光(LS1)照射于靶壳(Tg1)的压缩用激光输出装置(5a)等、继压缩用激光(LS1)之后将加热用激光(LS3)照射于靶壳(Tg1)的加热用激光输出装置(6)，在靶壳(Tg1)，具有中空的球壳状的形状，在内侧设置有大致球状的空隙(Sp)，设置有连接外侧和空隙(Sp)的至少一个贯通孔(H1)，靶壳(Tg1)的外表面(Sf1)包含压缩用激光的照射被预定的照射区域(Ar1,Ar2)。
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公开(公告)号：CN102714062A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201080057004.3
申请日：2010-12-15
Abstract: 本发明的目的在于，能够以比较高的效率引发核聚变反应并且能够使装置小型化。本发明的核聚变装置（1）具备：包含含有氘或者氚的靶基板（7a）及层叠于靶基板（7a）上且含有氘或者氚的薄膜层（7b）的核聚变靶材（7）、容纳核聚变靶材（7）的真空容器（5）、朝着核聚变靶材（7）的薄膜层（7b）照射连续的2个第1及第2脉冲激光（P1,P2）的激光装置（3），第1脉冲激光（P1）的强度小于第2脉冲激光（P2）的强度，并且，被设定为能够从靶基板（7a）剥离薄膜层（7b）的值。
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公开(公告)号：CN104737235A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201380054174.X
申请日：2013-10-10
Applicant: 浜松光子学株式会社 , 学校法人光产业创成大学院大学 , 丰田自动车株式会社
Inventor： 关根尊史 , 栗田隆史 , 川嶋利幸 , 佐藤仲弘 , 菅博文 , 北川米喜 , 森芳孝 , 石井胜弘 , 藤田和久 , 花山良平 , 冲原伸一朗 , 砂原淳 , 米田修 , 中村直树 , 西村靖彦 , 东博纯
Abstract: 本发明能够比较容易地控制提供给靶的中心部的等离子体的能量。本发明的激光核聚变装置具备：将靶壳(Tg1)提供给腔室(2)的靶壳供给装置(3)、监视靶壳(Tg1)的姿势和位置的靶壳监视装置(4)、将压缩用激光(LS1)照射于靶壳(Tg1)的压缩用激光输出装置(5a)等、继压缩用激光(LS1)之后将加热用激光(LS3)照射于靶壳(Tg1)的加热用激光输出装置(6)，在靶壳(Tg1)，具有中空的球壳状的形状，在内侧设置有大致球状的空隙(Sp)，设置有连接外侧和空隙(Sp)的至少一个贯通孔(H1)，靶壳(Tg1)的外表面(Sf1)包含压缩用激光的照射被预定的照射区域(Ar1,Ar2)。
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公开(公告)号：CN102714062B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201080057004.3
申请日：2010-12-15
Abstract: 本发明的目的在于，能够以比较高的效率引发核聚变反应并且能够使装置小型化。本发明的核聚变装置（1）具备：包含含有氘或者氚的靶基板（7a）及层叠于靶基板（7a）上且含有氘或者氚的薄膜层（7b）的核聚变靶材（7）、容纳核聚变靶材（7）的真空容器（5）、朝着核聚变靶材（7）的薄膜层（7b）照射连续的2个第1及第2脉冲激光（P1,P2）的激光装置（3），第1脉冲激光（P1）的强度小于第2脉冲激光（P2）的强度，并且，被设定为能够从靶基板（7a）剥离薄膜层（7b）的值。
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公开(公告)号：CN106104948A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201580013164.0
申请日：2015-03-03
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01S5/14
CPC classification number: H01S5/4062 , H01S3/0804 , H01S3/08081 , H01S3/0815 , H01S5/02438 , H01S5/026 , H01S5/10 , H01S5/141 , H01S5/4025 , H01S5/405 , H01S5/4068 , H01S5/42
Abstract: 本发明所涉及的半导体激光装置具备：半导体激光阵列，出射慢轴方向的发散角为θs(＞4°)的激光的活性层沿着慢轴方向被并列设置而成；第1光学元件，在第1反射面上反射向慢轴方向的一方侧行进的第1部分光并使之返回到活性层；第2光学元件，在第2反射面上反射向慢轴方向的另一方侧行进的第2部分光的多个模式光中的一部分的模式光并使之返回到活性层；第1光学元件以第1反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成2°以上且小于(θs/2)的角度的形式进行配置，第2光学元件以第2反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成大于(‑θs/2)且‑2°以下的角度的形式进行配置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102473463B
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201080034854.1
申请日：2010-07-20
Applicant: 国立大学法人大阪大学 , 浜松光子学株式会社
IPC: G21B1/03
Abstract: 以有效地提高照射的能量线的一样性为目的。本发明的核聚变照射配位决定方法是一种计算在相对于核聚变靶照射能量线的时候的照射配位的方法，具备：假想性地将电荷(Qi)配置于使用随机数设定的球面(So)上的照射配位数(NB)的初始坐标的初始配置步骤(S202)、根据作用于电荷(Qi)之间的库仑力、将电荷(Qi)的坐标(ri)限制于球面(So)上并按照时间序列解析的坐标解析步骤(S203)、根据该坐标(ri)判定电荷(Qi)的电势能稳定化了的时间点的电势评价步骤(S205，S206)、将在电势能稳定化了的时间点上的坐标(ri)作为使核聚变靶配置于球面(So)的中心的情况下的能量线的照射配位而导出的照射配位导出步骤(S207)。
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公开(公告)号：CN102210029B
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN200980144433.1
申请日：2009-09-08
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01L33/34 , H01L33/0008 , H01L33/025
Abstract: 本发明提供了一种硅发光元件，具备：具有第1面(10a)和位于该第1面相反侧的第2面(10b)的第1导电类型的硅衬底(10)；设置在硅衬底(10)的第1面(10a)上的绝缘膜(11)；设置在绝缘膜(11)上不同于第1导电类型的第2导电类型的硅层(12)；设置在硅层(12)上的第1电极(13)；以及设置在硅衬底的第2面上的第2电极(14)，硅衬底(10)的载流子浓度为5×1015cm-3～5×1018cm-3，硅层(12)的载流子浓度为1×1017cm-3～5×1019cm-3并且比硅衬底(10)的载流子浓度大一个数量级以上，绝缘膜(11)的膜厚是0.3nm～5nm。由此，实现了可以适用于硅光子学的光源的硅发光元件。
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公开(公告)号：CN101192491A
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：CN200710196170.1
申请日：2007-11-29
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01J1/34
CPC classification number: H01L31/1035 , H01L31/0735 , Y02E10/544
Abstract: 一种半导体光电阴极，包括：掺杂有p型杂质且互相异质接合的第一以及第二III－V族化合物半导体层。第二III－V族化合物半导体层作为光吸收层而起作用，第二III－V族化合物半导体层的能带宽度小于第一III－V族化合物半导体层的能带宽度，使用Be或C作为各半导体层中的p型掺杂物。这时，第二III－V族化合物半导体层可以层压在第一III－V族化合物半导体层上。另外，第一III－V族化合物半导体层和第二III－V族化合物半导体层可以含有(In、Ga、Al)和(As、P、N)中的至少各一种以上。
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公开(公告)号：CN101010839A
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN200580029865.X
申请日：2005-09-06
Applicant: 大学共同利用机关法人自然科学研究机构 , 浜松光子学株式会社
IPC: H01S3/113
CPC classification number: H01S3/113 , H01S3/0014 , H01S3/0621 , H01S3/0627 , H01S3/08036 , H01S3/10061
Abstract: 激光装置(10)具备：激光介质(11)，其配置在构成光共振器(12)的一对反射机构(12A、12B)间，同时被激发而放出光；可饱和吸收体(14)，其配置在上述一对反射机构间在光共振器(12)的光轴(L)上，同时伴随着吸收来自激光介质的放出光(21)而增加透射率；激发光源部(13)，其输出激发激光介质的波长的光(22)。上述可饱和吸收体(14)是具有互相垂直的第1～第3晶轴的晶体，被配置在光共振器(12)内以使其分别互相垂直的2个偏光方向的放出光而具有不同的透射率。此时，激光振荡相对于透射率更大的偏光方向的放出光而产生，结果得到偏光方向稳定的激光。
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公开(公告)号：CN1853321A
公开(公告)日：2006-10-25
申请号：CN200480026620.7
申请日：2004-12-16
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01S5/024 , H01L23/473
CPC classification number: H01S5/02423 , H01L23/473 , H01L2924/0002 , H01S5/02476 , H01S5/4025 , H01S5/405 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体激光装置(1)，其特征在于包括：具有结合金属部件构成的冷却器本体(21)、在冷却器本体(21)的内部形成的流体流路(30)、外壁面(22)上的冷却区域(23)、以及保留冷却区域(23)并连续地覆盖在外壁面(22)上和内壁面(33)上的树脂层(40)的散热片(20)；以及在与外壁面(22)保持热接触的状态下被配置在冷却区域(23)中的半导体激光元件(80)。保留冷却区域(23)，用树脂层40连续地覆盖在外壁面(22)上和内壁面(33)上，实现防止内壁面与外壁面接触的部分附近的腐蚀。
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