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公开(公告)号:CN117716695A
公开(公告)日:2024-03-15
申请号:CN202280049252.6
申请日:2022-03-31
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H04N23/30 , H04N5/32 , H04N25/768 , H04N25/77 , H04N25/772 , H04N25/78
Abstract: X射线图像取得装置包括:像素单元,其具有各自包含N个像素部的M个像素阵列(N、M为2以上的整数);M个电路单元;和控制部。各电路单元具有将与来自N个像素部的输出信号对应的电信号逐次相加的T个(T为N以上的整数)加法部、和切换N个像素部与T个加法部之间的连接状态的开关部。控制部与沿着第1方向的对象物的输送同步地切换该连接状态,以使与通过检测透过了对象物中的同一区域的X射线而从像素部输出的输出信号对应的电信号在同一加法部中被相加。
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公开(公告)号:CN118266171A
公开(公告)日:2024-06-28
申请号:CN202280076757.1
申请日:2022-09-29
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H03K5/15 , H04N25/76 , H04N25/779
Abstract: 本发明的时钟传递电路具备:具有相互共通的电路图案且沿一个方向排列的多个电路区域。多个电路区域各自的电路图案具有:至少二个电路要素,其能够在高阻抗状态与通过状态之间切换;及配线,其连接于多个电路区域中与该电路区域邻接的电路区域的电路图案。通过多个电路区域的至少二个电路要素的状态控制为针对每一电路区域确定的规定的状态,而构成横贯多个电路区域的时钟树的至少一部分。
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公开(公告)号:CN117652157A
公开(公告)日:2024-03-05
申请号:CN202280048849.9
申请日:2022-03-16
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H04N25/77 , H04N25/766 , H04N25/779
Abstract: 摄像元件具备:像素单元,其具有M个(M为2以上的整数)分别包含N个(N为2以上的整数)像素部的像素阵列;及M个电路单元。各电路单元具有:N个电荷放大器,它们将自对应的像素阵列的像素部输出的电荷信号转换为电压信号;N个A/D转换器,它们分别具有进行该电压信号的加法处理的加法处理部、及保持与加法处理部的加法状态对应的加法信号的保持部;及开关电路,其切换电荷放大器与A/D转换器的保持部之间的连接状态。开关电路以保持与自像素部输出的电荷信号对应的加法信号的保持部按照N个像素部的排列顺序切换的方式,切换该连接状态。
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公开(公告)号:CN112740656B
公开(公告)日:2023-08-25
申请号:CN201980061170.1
申请日:2019-09-05
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H04N25/75 , H04N25/60 , H04N25/767 , H04N25/677
Abstract: 固体摄像装置(1)具备像素阵列部(10)及电流源阵列部(20)。像素阵列部包含沿第1方向排列的N个像素部(P(1)~P(N))。各像素部包含光电二极管(PD)及放大用MOS晶体管(M11)。电流源阵列部包含N个电流源(I(1)~I(N))。各电流源包含第一MOS晶体管(M21)、第二MOS晶体管(M22)、第三MOS晶体管(M23)、第四MOS晶体管(24)及设定电路(SET)。设定电路(SET)基于信号线(L(n))的电压而设定第三MOS晶体管(M23)的接通/断开,由此抑制自Vr供给线经由共同节点(Nc)及第一MOS晶体管(M21)流向接地电位供给端的电流量的变动。由此,实现了可更可靠地抑制黑电平变动的固体摄像装置。
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公开(公告)号:CN112740656A
公开(公告)日:2021-04-30
申请号:CN201980061170.1
申请日:2019-09-05
Applicant: 浜松光子学株式会社
Abstract: 固体摄像装置(1)具备像素阵列部(10)及电流源阵列部(20)。像素阵列部包含沿第1方向排列的N个像素部(P(1)~P(N))。各像素部包含光电二极管(PD)及放大用MOS晶体管(M11)。电流源阵列部包含N个电流源(I(1)~I(N))。各电流源包含第一MOS晶体管(M21)、第二MOS晶体管(M22)、第三MOS晶体管(M23)、第四MOS晶体管(24)及设定电路(SET)。设定电路(SET)基于信号线(L(n))的电压而设定第三MOS晶体管(M23)的接通/断开,由此抑制自Vr供给线经由共同节点(Nc)及第一MOS晶体管(M21)流向接地电位供给端的电流量的变动。由此,实现了可更可靠地抑制黑电平变动的固体摄像装置。
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