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公开(公告)号：CN104759980A
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201510148639.9
申请日：2015-03-31
Applicant: 浙江工业大学
Abstract: 一种主动控制反应条件方式的SiC材料高效抛光设备，包括密封腔体、机架、抛光盘、工件夹具、碱性抛光液输入部件和氧化性气体输入部件，抛光盘、工件夹具均置于密封腔体内，工件夹具置于抛光盘上方，待抛光的SiC材料装夹在工件夹具的底面；抛光盘安装在驱动主轴上，所述驱动主轴伸出所述密封腔体的底部，驱动主轴与主轴驱动装置连接；碱性抛光液输入部件安装在密封腔体上，碱性抛光液输入部件上装有用于控制抛光过程中抛光液的流量的流量调节阀；氧化性气体输入部件安装在密封腔体上，氧化性气体输入部件上装有用于控制抛光过程中所述密封腔内的气压大小的气压调节阀。本发明材料去除率较高、过程可控、低成本。
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公开(公告)号：CN104742009B
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201510149170.0
申请日：2015-03-31
Applicant: 浙江工业大学
Abstract: 一种SiC材料化学机械抛光方法，将SiC材料置于密闭环境中，密闭环境内的气压、温度以及输入气体组份可控，向密闭环境内充入氧化性气体，调节密闭环境内的温度以及氧化气体的分压至高温高压状态；当化学机械抛光过程处于富含高压氧化气体的环境时，氧化气体会大量溶解进入抛光液中，并与碱性抛光液中的OH-一起参与对SiC材料表层的氧化，加速SiC材料表层的氧化速率，碱性抛光液中的O2与SiC材料反应表层生成一薄层SiO2，通过调节环境温度、气体组份、气压和催化剂条件，实现控制抛光过程中SiC材料表面的化学反应速率。本发明提供一种材料去除率较高、过程可控、低成本的SiC材料化学机械抛光方法。
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公开(公告)号：CN104985488A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201510277662.8
申请日：2015-05-27
Applicant: 浙江工业大学
IPC: B24B1/00
CPC classification number: B24B1/00
Abstract: 一种基于空化效应的软脆材料加工装置，包括加工池，所述加工池内设有用于固定待加工软脆材料工件的夹具，所述夹具上方设有弹性摩擦轮，所述夹具与所述弹性摩擦轮之间的区域为加工工位，所述夹具与用于带动所述夹具运动的夹具驱动机构连接，所述弹性摩擦轮与用于带动弹性摩擦轮运动的摩擦轮驱动机构连接，所述加工池的上方布置用于使加工池内的加工液在加工工位附近发生空化的空化系统。本发明提出了一种高效、高质量与低成本的基于空化效应的软脆材料加工装置。
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公开(公告)号：CN108145606A
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201711179777.9
申请日：2017-11-23
Applicant: 浙江工业大学
Abstract: 一种抛光过程中抛光液大颗粒实时在线监测装置，包括光学系统、数据采集与处理系统、系统标定与检验和辅助系统，光学系统包括观察窗口、激光光源、激光发射光路、激光衰减接收光路和激光散射接收光路，实现对抛光液中大颗粒光衰减、光散射信号的光电转换，数据采集与处理系统包括激光衰减、激光散射信号的采集与处理的模拟与数字电路；标定及检验系统利用标准颗粒悬浮液对抛光液大颗粒检测系统进行标定，建立激光衰减、激光散射电信号与标准颗粒已知尺寸之间的关系；辅助系统包括抽样系统、清洗系统和气泡消除系统。本发明检测范围大，实时在线检测，对提升高表面完整性的抛光加工的良品率有重要作用，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN104985489A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201510279746.5
申请日：2015-05-27
Applicant: 浙江工业大学
IPC: B24B1/00
CPC classification number: B24B1/00
Abstract: 一种基于空化效应的软脆材料加工方法，利用空化装置使加工区域的水基加工液发生空化，所形成的空泡溃灭在加工液中产生微射流、冲击波和氧化自由基；微射流和冲击波以机械作用的形式对工件表面反复作用，在工件表面形成厚度极小的疲劳破坏层，氧化自由基与工件表面发生化学反应生成氧化层；加工过程中，弹性摩擦轮与工件做相对运动，对工件表面的化学氧化层和疲劳破坏层施加机械摩擦作用；从而在机械与化学的共同作用下，实现对工件表面的材料去除。本发明提出了一种设备简单、高效、高质量与低成本的基于空化效应的软脆材料加工方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101266915A
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN200710164622.8
申请日：2007-12-25
Applicant: 浙江工业大学
Abstract: 一种CMP过程中晶圆下液体薄膜中间变量的测量方法，包括以下步骤：(1)、在抛光液中加入荧光物质，并将抛光液输送到抛光机的抛光垫和晶圆之间，形成液体薄膜；(2)、开启激光器照射所述液体薄膜，所述液体薄膜受到激发后产生荧光；(3)、液体薄膜发出的荧光通过滤光片传送到摄像头进行荧光信息的采集；(4)、将摄像头采集的荧光图像进行图片处理，计算得到荧光强度，依照荧光强度与厚度的对应关系得到液体薄膜的厚度；依照荧光强度与温度的对应曲线得到液体薄膜的温度；依照荧光强度与pH值的对应曲线得到液体薄膜的pH值。本发明能够对CMP过程中晶圆下中间变量(如厚度、温度、pH值)进行有效测量。
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公开(公告)号：CN108145606B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN201711179777.9
申请日：2017-11-23
Applicant: 浙江工业大学
Abstract: 一种抛光过程中抛光液大颗粒实时在线监测装置，包括光学系统、数据采集与处理系统、系统标定与检验和辅助系统，光学系统包括观察窗口、激光光源、激光发射光路、激光衰减接收光路和激光散射接收光路，实现对抛光液中大颗粒光衰减、光散射信号的光电转换，数据采集与处理系统包括激光衰减、激光散射信号的采集与处理的模拟与数字电路；标定及检验系统利用标准颗粒悬浮液对抛光液大颗粒检测系统进行标定，建立激光衰减、激光散射电信号与标准颗粒已知尺寸之间的关系；辅助系统包括抽样系统、清洗系统和气泡消除系统。本发明检测范围大，实时在线检测，对提升高表面完整性的抛光加工的良品率有重要作用，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN108051344A
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201711179766.0
申请日：2017-11-23
Applicant: 浙江工业大学
IPC: G01N15/02
Abstract: 一种抛光过程中抛光液大颗粒的实时在线监测方法，包括如下步骤：(1)抽样，通过抽样系统从抛光液供给主管道中提取检测样品，所述抽样系统是利用真空技术来实现；(2)稀释，将一定量的去离子水加入所述检测样品中，充分稀释；(3)消除气泡，通过抽真空的方式将所述检测样品中的气泡消除；(4)检测，抛光液经过观察窗，启动大颗粒检测。本发明实现对抛光液中颗粒高效率，高准确性，高精度的检测。
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公开(公告)号：CN104742009A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201510149170.0
申请日：2015-03-31
Applicant: 浙江工业大学
Abstract: 一种SiC材料化学机械抛光方法，将SiC材料置于密闭环境中，密闭环境内的气压、温度以及输入气体组份可控，向密闭环境内充入氧化性气体，调节密闭环境内的温度以及氧化气体的分压至高温高压状态；当化学机械抛光过程处于富含高压氧化气体的环境时，氧化气体会大量溶解进入抛光液中，并与碱性抛光液中的OH-一起参与对SiC材料表层的氧化，加速SiC材料表层的氧化速率，碱性抛光液中的O2与SiC材料反应表层生成一薄层SiO2，通过调节环境温度、气体组份、气压和催化剂条件，实现控制抛光过程中SiC材料表面的化学反应速率。本发明提供一种材料去除率较高、过程可控、低成本的SiC材料化学机械抛光方法。
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公开(公告)号：CN101275825A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200810059245.6
申请日：2008-01-11
Applicant: 浙江工业大学
Abstract: 一种CMP过程中晶圆下液体薄膜中间变量的测量装置，包括激光器、分光镜、滤光片、摄像头、用以计算测量的计算机以及用以提供具有两种荧光材料的抛光液的抛光液供给机构，激光器通过光纤连接发散透镜，发散透镜的出射光学范围覆盖晶圆下的液体薄膜，分光镜位于晶圆的上方，分光镜的两个出射方向设有两个滤光片，每个滤光片与各自摄像头相对，摄像头与计算机数据连接，计算机包括用以计算得到两种荧光强度后，将其比值作为相对荧光强度，计算得到厚度、温度和pH值的中间变量测量模块。本发明能够对CMP过程中晶圆下中间变量(如厚度、温度、pH值)进行有效测量。
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