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公开(公告)号：CN111487717A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN202010386136.6
申请日：2020-05-09
申请人： 浙江大学绍兴微电子研究中心 , 浙江大学 , 绍兴市科技创业投资有限公司
摘要： 一种离子交换玻璃基表面型分段式模斑转换器，这种模斑转换器由n段(n≥2)玻璃基锥形波导芯片依次级联而成；每一段玻璃基锥形波导芯片均由玻璃基板(100)及其内部的表面型锥形离子掺杂区(102)构成；第n段玻璃基锥形波导芯片中的表面型锥形离子掺杂区(102)粗端的横截面尺寸与第n-1段玻璃基锥形波导芯片中的表面型锥形离子掺杂区(102)细端的横截面尺寸相匹配，第n段玻璃基锥形波导芯片中的表面型锥形离子掺杂区(102)细端作为模斑转换器的输出端。本发明可以实现更大幅度的模斑尺寸转换，提高器件性能，并进一步降低设计和制作的难度。
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公开(公告)号：CN111025471B
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN201911392536.1
申请日：2019-12-30
申请人： 浙江大学绍兴微电子研究中心 , 浙江大学 , 绍兴市科技创业投资有限公司
摘要： 本发明公开了一种电压分段式的玻璃基掩埋式光波导连续生产方法。放置隧道式高温炉，隧道式高温炉内有传送带和坩埚，传送带将坩埚从隧道式高温炉的进口端输送入隧道式高温炉，经高温离子迁移反应后输送至隧道式高温炉的出口端。隧道式高温炉设置有通过绝缘性滑轨接头连接的多段正电极滑轨组成正电极滑竿和负电极滑轨，坩埚在从隧道式高温炉进口端到出口端运输的过程中，玻璃基片两侧的电极引线分别在正电极滑竿和负电极滑轨上滑动，多段正电极滑轨依次可对玻璃基片施加电压。本发明可提高光波导芯片质量、提高生产效率、降低能耗的基础上，还可以减小掩埋式光波导制作过程中直流电场产生的焦耳热效应带来的不利影响。
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公开(公告)号：CN111487718A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN202010386539.0
申请日：2020-05-09
申请人： 浙江大学绍兴微电子研究中心 , 浙江大学 , 绍兴市科技创业投资有限公司
摘要： 一种离子交换玻璃基掩埋型分段式模斑转换器，这种模斑转换器由n段(n≥2)玻璃基锥形波导芯片依次级联而成；每一段玻璃基锥形波导芯片均由玻璃基板(100)及其内部的掩埋型锥形离子掺杂区(101)构成；其中第n段玻璃基锥形波导芯片中的掩埋型锥形离子掺杂区(101)粗端的横截面尺寸与第n-1段玻璃基锥形波导芯片中的掩埋型锥形离子掺杂区(101)细端的横截面尺寸相匹配，第n段玻璃基锥形波导芯片中的掩埋型锥形离子掺杂区(101)细端作为模斑转换器的输出端。这种玻璃基掩埋型分段式模斑转换器通过n段玻璃基锥形波导芯片级联的方式，可以实现更大幅度的模斑尺寸转换，提高器件性能，同时降低设计和制作的难度。
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公开(公告)号：CN111025470B
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN201911394278.0
申请日：2019-12-30
申请人： 浙江大学绍兴微电子研究中心 , 浙江大学 , 绍兴市科技创业投资有限公司
摘要： 本发明公开了一种基于抛物线型MMI的超紧凑硅基波导交叉结构，该结构由形状相同但垂直相交的两支波导组成，其中横支波导(H)由横支输入波导、抛物线型横支MMI和横支输出波导组成，竖支波导(V)由竖支输入波导、抛物线型竖支MMI和竖支输出波导组成。这种结构的特征在于，抛物线型横支MMI和抛物线型竖支MMI都采用相同的两端宽中间窄的抛物线型MMI结构。与现有MMI型波导交叉结构相比，本发明所述结构保持了MMI型波导交叉结构低损耗和低串扰的优势，同时由于MMI具有抛物线型结构，本发明所述结构具有更紧凑的尺寸，可以实现更大规模集成光路的制作。
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公开(公告)号：CN111025471A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201911392536.1
申请日：2019-12-30
申请人： 浙江大学绍兴微电子研究中心 , 浙江大学 , 绍兴市科技创业投资有限公司
摘要： 本发明公开了一种电压分段式的玻璃基掩埋式光波导连续生产方法。放置隧道式高温炉，隧道式高温炉内有传送带和坩埚，传送带将坩埚从隧道式高温炉的进口端输送入隧道式高温炉，经高温离子迁移反应后输送至隧道式高温炉的出口端。隧道式高温炉设置有通过绝缘性滑轨接头连接的多段正电极滑轨组成正电极滑竿和负电极滑轨，坩埚在从隧道式高温炉进口端到出口端运输的过程中，玻璃基片两侧的电极引线分别在正电极滑竿和负电极滑轨上滑动，多段正电极滑轨依次可对玻璃基片施加电压。本发明可提高光波导芯片质量、提高生产效率、降低能耗的基础上，还可以减小掩埋式光波导制作过程中直流电场产生的焦耳热效应带来的不利影响。
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公开(公告)号：CN111025470A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201911394278.0
申请日：2019-12-30
申请人： 浙江大学绍兴微电子研究中心 , 浙江大学 , 绍兴市科技创业投资有限公司
摘要： 本发明公开了一种基于抛物线型MMI的超紧凑硅基波导交叉结构，该结构由形状相同但垂直相交的两支波导组成，其中横支波导(H)由横支输入波导、抛物线型横支MMI和横支输出波导组成，竖支波导(V)由竖支输入波导、抛物线型竖支MMI和竖支输出波导组成。这种结构的特征在于，抛物线型横支MMI和抛物线型竖支MMI都采用相同的两端宽中间窄的抛物线型MMI结构。与现有MMI型波导交叉结构相比，本发明所述结构保持了MMI型波导交叉结构低损耗和低串扰的优势，同时由于MMI具有抛物线型结构，本发明所述结构具有更紧凑的尺寸，可以实现更大规模集成光路的制作。
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公开(公告)号：CN212846019U
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN202020752784.4
申请日：2020-05-09
申请人： 浙江大学绍兴微电子研究中心 , 浙江大学 , 绍兴市科技创业投资有限公司
摘要： 一种离子交换玻璃基表面型分段式模斑转换器，这种模斑转换器由n段(n≥2)玻璃基锥形波导芯片依次级联而成；每一段玻璃基锥形波导芯片均由玻璃基板(100)及其内部的表面型锥形离子掺杂区(102)构成；第n段玻璃基锥形波导芯片中的表面型锥形离子掺杂区(102)粗端的横截面尺寸与第n‑1段玻璃基锥形波导芯片中的表面型锥形离子掺杂区(102)细端的横截面尺寸相匹配，第n段玻璃基锥形波导芯片中的表面型锥形离子掺杂区(102)细端作为模斑转换器的输出端。本实用新型可以实现更大幅度的模斑尺寸转换，提高器件性能，并进一步降低设计和制作的难度。
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公开(公告)号：CN212846018U
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN202020752781.0
申请日：2020-05-09
申请人： 浙江大学绍兴微电子研究中心 , 浙江大学 , 绍兴市科技创业投资有限公司
摘要： 一种离子交换玻璃基掩埋型分段式模斑转换器，这种模斑转换器由n段(n≥2)玻璃基锥形波导芯片依次级联而成；每一段玻璃基锥形波导芯片均由玻璃基板(100)及其内部的掩埋型锥形离子掺杂区(101)构成；其中第n段玻璃基锥形波导芯片中的掩埋型锥形离子掺杂区(101)粗端的横截面尺寸与第n‑1段玻璃基锥形波导芯片中的掩埋型锥形离子掺杂区(101)细端的横截面尺寸相匹配，第n段玻璃基锥形波导芯片中的掩埋型锥形离子掺杂区(101)细端作为模斑转换器的输出端。这种玻璃基掩埋型分段式模斑转换器通过n段玻璃基锥形波导芯片级联的方式，可以实现更大幅度的模斑尺寸转换，提高器件性能，同时降低设计和制作的难度。
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公开(公告)号：CN111239894B
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202010083821.1
申请日：2020-02-07
申请人： 芜湖佳豪电子有限公司 , 浙江大学深圳研究院
摘要： 本发明公开了一种电压分段式的玻璃基掩埋式光波导连续生产方法。放置隧道式高温炉，炉内有传送带和坩埚；坩埚内有熔盐，且熔盐内部设置通过导线接地的负电极；玻璃基片和石英管组成的底部密闭腔置于石英花篮中，腔内有熔盐，石英花篮悬挂于传送带上且玻璃基片浸入坩埚内的熔盐中；底部密闭腔中设置正电极，正电极与石英花篮相对位置固定，且通过电极引线搭上正电极滑竿，并可沿正电极滑竿滑动；正电极滑竿由通过绝缘性滑轨接头连接的多段正电极滑轨组成，多段正电极滑轨分别连接不同的直流电源正极。本发明可提高光波导芯片质量、提高生产效率、降低能耗的基础上，还可以减小掩埋式光波导制作过程中直流电场产生的焦耳热效应带来的不利影响。
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公开(公告)号：CN111208607A
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：CN202010083642.8
申请日：2020-02-09
申请人： 浙江大学深圳研究院
摘要： 本发明公开了一种有槽热板温度梯度离子扩散制作玻璃基模斑转换器的方法，这种方法包括两个环节：第一个环节用离子交换法在玻璃基片的表面制作条形离子掺杂区；第二个环节是将玻璃基片竖直放置在水平有槽热板上的凹槽内进行梯度温度离子扩散。这种方法的特征在于：增大玻璃基片表面的条形离子掺杂区在贴近有槽热板一端的横截面尺寸，将条形离子掺杂区变成锥形离子掺杂区。这种锥形离子掺杂区的横截面的尺寸在两个轴向上的一致性得到改善，因而模斑转换器与光纤芯部横截面的形状与尺寸的匹配程度改善，器件插入损耗降低。而且，可以通过对有槽热板上凹槽形状和尺寸的调节优化模斑转换器的结构和性能。
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