公开(公告)号：CN115893327A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202211081003.3

申请日：2022-09-05

Applicant: 浙江大学温州研究院

Inventor： 李跃 ,  郑晋翔 ,  沈涛 ,  胡钟元 ,  杨辉 ,  刘振武

IPC: C01B19/00 ,  B82Y40/00 ,  C04B35/50 ,  C04B35/453 ,  C04B35/01 ,  C04B35/626

Abstract: 本发明涉及纳米材料制备技术，旨在提供一种双钙钛矿型In2Te‑M‑O6纳米材料的制备方法。包括：制备含有In2+和Te4+的混合溶液；继续加入含有结构修饰剂M的前驱体，搅拌获得均一溶液；加入络合剂，持续反应后形成前驱体溶胶；将前驱体溶胶加入反应釜中进行水热熟化反应，完成后去除上清液，离心洗涤固体产物，经冷冻干燥最终获得所述纳米材料。本发明制备的材料在性质上具有类似于“CdO”增强相的高温分解特性；其纳米材料结构有助于增大纳米材料之间的有效接触面积，拥有比SnO2增强相更高的导电特性，从而可以有效改善银基电接触材料电学性能。本发明产品形貌、尺寸可控，可以有效改善电接触材料电学、热学性能，且反应合成条件简易、成本低廉。