考虑风速变化和转速恢复的风电机组自适应频率控制方法

    公开(公告)号:CN118971041A

    公开(公告)日:2024-11-15

    申请号:CN202411469395.X

    申请日:2024-10-21

    Abstract: 本发明公开了一种考虑风速变化和转速恢复的风电机组自适应频率控制方法,针对传统风机频率下垂控制中存在的动态调整能力弱、缺少考虑风速变化环节等不足,通过自适应频率下垂控制来实时调节风机在频率调节过程中的参考功率即在频率调节控制过程中,根据实时的风速、风速变化量得到风速频率调节系数,根据风力发电机的有效旋转动能的变系数频率控制确定基本频率调节系数,从而计算确定输出有功功率参考值;最后在转速恢复阶段,根据转速恢复函数确定转速恢复控制系数。本发明使得风机能够平稳切换至MPPT运行模式,从而在实现平稳可控的转速恢复的同时,消除了转速恢复对电网的二次频率冲击,增强了频率响应的安全性。

    考虑风速变化和转速恢复的风电机组自适应频率控制方法

    公开(公告)号:CN118971041B

    公开(公告)日:2025-05-16

    申请号:CN202411469395.X

    申请日:2024-10-21

    Abstract: 本发明公开了一种考虑风速变化和转速恢复的风电机组自适应频率控制方法,针对传统风机频率下垂控制中存在的动态调整能力弱、缺少考虑风速变化环节等不足,通过自适应频率下垂控制来实时调节风机在频率调节过程中的参考功率即在频率调节控制过程中,根据实时的风速、风速变化量得到风速频率调节系数,根据风力发电机的有效旋转动能的变系数频率控制确定基本频率调节系数,从而计算确定输出有功功率参考值;最后在转速恢复阶段,根据转速恢复函数确定转速恢复控制系数。本发明使得风机能够平稳切换至MPPT运行模式,从而在实现平稳可控的转速恢复的同时,消除了转速恢复对电网的二次频率冲击,增强了频率响应的安全性。

    一种基于多步时序预测的高速铁路大风限速动态处置方法

    公开(公告)号:CN112308336B

    公开(公告)日:2023-12-19

    申请号:CN202011295709.0

    申请日:2020-11-18

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于多步时序预测的高速铁路大风限速动态处置方法,本发明在离线训练阶段采用基于自注意力的多步时序预测模型,预测精度更高;采用基于动态时间规整的训练策略训练预测模型,能够把握目标序列的形状特征;本发明提出的区段设置方法考虑了未来时刻的多点风速,增设了潜在大风区段,解决了大风区段设置不及时导致的安全问题和时间设置过长导致的低效问题;本发明方法考虑了大风持续时间,过滤掉不必要的限速指令下达,提高了列车运行效率和乘客满意度。

    一种采用铌酸锂材料制成的波长高速调谐的激光器

    公开(公告)号:CN110729630B

    公开(公告)日:2020-12-11

    申请号:CN201910963141.6

    申请日:2019-10-11

    Applicant: 浙江大学

    Inventor: 储涛 刘晨

    Abstract: 本发明公开了一种采用铌酸锂材料制成的波长高速调谐的激光器,包括:铌酸锂薄膜芯片(即LNOI芯片);设置在所述铌酸锂薄膜芯片上的第一模斑转换器(SSC,spot size converter);与所述第一模斑转换器连接的复合谐振腔,所述的复合谐振腔采用铌酸锂材料。本发明复合谐振腔采用铌酸锂材料,具有很好的电光效应。X‑cut铌酸锂薄膜当光模式沿着y方向传播,电场方向为z方向,其电光系数r33可达30.8pm/V。本发明这种激光器波长调谐速度可达ns级,调谐范围可达10nm以上,可用于光交换网络中减少网络拥堵,使信息传输更快。

    一种采用铌酸锂材料制成的波长高速调谐的激光器

    公开(公告)号:CN110729630A

    公开(公告)日:2020-01-24

    申请号:CN201910963141.6

    申请日:2019-10-11

    Applicant: 浙江大学

    Inventor: 储涛 刘晨

    Abstract: 本发明公开了一种采用铌酸锂材料制成的波长高速调谐的激光器,包括:铌酸锂薄膜芯片(即LNOI芯片);设置在所述铌酸锂薄膜芯片上的第一模斑转换器(SSC,spot size converter);与所述第一模斑转换器连接的复合谐振腔,所述的复合谐振腔采用铌酸锂材料。本发明复合谐振腔采用铌酸锂材料,具有很好的电光效应。X-cut铌酸锂薄膜当光模式沿着y方向传播,电场方向为z方向,其电光系数r33可达30.8pm/V。本发明这种激光器波长调谐速度可达ns级,调谐范围可达10nm以上,可用于光交换网络中减少网络拥堵,使信息传输更快。

    基于单层石墨烯/绝缘层/硅/锗结构的电荷注入器件

    公开(公告)号:CN112420810B

    公开(公告)日:2024-10-08

    申请号:CN202011249244.5

    申请日:2020-11-10

    Abstract: 本发明公开了一种基于单层石墨烯/绝缘层/硅/锗结构的电荷注入器件,包括栅极、锗、硅衬底、氧化物绝缘层、源极、漏极和单层石墨烯薄膜;入射光照射到器件表面时,可见光被半导体硅吸收,其产生的少数载流子被积累到硅衬底中的深耗尽势阱;红外光穿过硅层,被锗,以及锗与硅形成的异质结所吸收,在电场的作用下,产生的少数载流子被注入到体硅的深耗尽势阱中。由于电容耦合效应,器件表面的石墨烯会耦合出与势阱中的空穴对应的等量电子,从石墨烯的电流中能够实时读出硅势阱中电荷。锗作为窄带隙半导体,对红外波段光线的吸收能力卓越。本发明通过使用石墨烯和锗,拓展了传统CCD器件的光谱响应范围,极大提高了传统CCD器件在红外波段的吸收效果。

    一种基于单层石墨烯/绝缘层/硅/多层石墨烯结构的电荷注入器件

    公开(公告)号:CN111599830B

    公开(公告)日:2023-09-29

    申请号:CN202010382069.0

    申请日:2020-05-08

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于单层石墨烯/绝缘层/硅/多层石墨烯结构的电荷注入器件,自下而上设有栅极、多层石墨烯、硅衬底、氧化物绝缘层,氧化物绝缘层上表面设有源极和漏极,并覆盖单层石墨烯薄膜;入射光照射到器件表面时,可见光被半导体硅吸收,其产生的少数载流子积累到硅衬底中的深耗尽势阱;红外光穿过硅层被异质结吸收,产生的少数载流子注入到体硅的深耗尽势阱中。器件表面的石墨烯会耦合出与势阱中的空穴对应的等量电子,从石墨烯的电流中能够实时读出硅势阱中的电荷。本发明通过使用多层石墨烯,拓展了传统CCD器件的光谱响应范围,提高了传统CCD器件在红外波段的吸收效果;同时保持了硅基CCD噪声小、可靠性高、工艺成熟、成本低廉等特点。

    一种基于多步时序预测的高速铁路大风限速动态处置方法

    公开(公告)号:CN112308336A

    公开(公告)日:2021-02-02

    申请号:CN202011295709.0

    申请日:2020-11-18

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于多步时序预测的高速铁路大风限速动态处置方法,本发明在离线训练阶段采用基于自注意力的多步时序预测模型,预测精度更高;采用基于动态时间规整的训练策略训练预测模型,能够把握目标序列的形状特征;本发明提出的区段设置方法考虑了未来时刻的多点风速,增设了潜在大风区段,解决了大风区段设置不及时导致的安全问题和时间设置过长导致的低效问题;本发明方法考虑了大风持续时间,过滤掉不必要的限速指令下达,提高了列车运行效率和乘客满意度。

    基于单层石墨烯/绝缘层/硅/锗结构的电荷注入器件

    公开(公告)号:CN112420810A

    公开(公告)日:2021-02-26

    申请号:CN202011249244.5

    申请日:2020-11-10

    Abstract: 本发明公开了一种基于单层石墨烯/绝缘层/硅/锗结构的电荷注入器件,包括栅极、锗、硅衬底、氧化物绝缘层、源极、漏极和单层石墨烯薄膜;入射光照射到器件表面时,可见光被半导体硅吸收,其产生的少数载流子被积累到硅衬底中的深耗尽势阱;红外光穿过硅层,被锗,以及锗与硅形成的异质结所吸收,在电场的作用下,产生的少数载流子被注入到体硅的深耗尽势阱中。由于电容耦合效应,器件表面的石墨烯会耦合出与势阱中的空穴对应的等量电子,从石墨烯的电流中能够实时读出硅势阱中电荷。锗作为窄带隙半导体,对红外波段光线的吸收能力卓越。本发明通过使用石墨烯和锗,拓展了传统CCD器件的光谱响应范围,极大提高了传统CCD器件在红外波段的吸收效果。

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