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公开(公告)号：CN109941007A
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201910190396.3
申请日：2019-03-13
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种通用的形状记忆聚合物转印印章及其转印方法，印章本体为形状记忆聚合物的块体或者薄膜。其转印方法为：1)拾取时，在外加载荷作用下，将形状记忆聚合物转变到低模量的橡胶态，该状态下把施主基底上的元件嵌入形状记忆聚合物中；撤掉外加载荷，形状记忆聚合物转变到高模量的玻璃态，玻璃态的形状记忆聚合物将元件卡牢，将元件从施主基底上拾取起来。2)印刷时，在外加载荷作用下，形状记忆聚合物印章恢复初始形状，释放出其内部嵌入的元件，将元件印刷在受主基底上。本发明印章结构简单、加工方便且成本低廉；且通用性好，能够转印任意形状和尺寸的元件；可采用全局载荷驱动实现大规模转印，或采用局部载荷实现选择性的转印。
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公开(公告)号：CN109968852B
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201910152120.6
申请日：2019-02-28
Applicant: 浙江大学
IPC: B41M5/025
Abstract: 本发明公开了一种通用的二维平面到三维复杂表面的直接转印方法，使用折纸‑剪纸设计的可释放胶带作为转印印章来实现。具体转印步骤包括：1、使用微小平面单元逼近的方法，将三维受主基底曲面划分，切割后得到平面展开结构；2、按照步骤1得到的近似平面展开结构，设计元件分布图案并制备元件，同时切割折叠可释放胶带得到可释放胶带折‑剪纸；3、使用可释放胶带折‑剪纸将元件从制备基底上拾取；4、将带有元件的可释放胶带折‑剪纸包覆在三维曲面受主基底上；5、触发可释放胶带使其失去粘性，将元件印刷到受主基底上。该方法具有实施过程简单方便、成本低廉、通用性好、可以把平面上制备的元件转印到任意形状的三维复杂曲面上等优点。
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公开(公告)号：CN109968852A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201910152120.6
申请日：2019-02-28
Applicant: 浙江大学
IPC: B41M5/025
Abstract: 本发明公开了一种通用的二维平面到三维复杂表面的直接转印方法，使用折纸‑剪纸设计的可释放胶带作为转印印章来实现。具体转印步骤包括：1、使用微小平面单元逼近的方法，将三维受主基底曲面划分，切割后得到平面展开结构；2、按照步骤1得到的近似平面展开结构，设计元件分布图案并制备元件，同时切割折叠可释放胶带得到可释放胶带折‑剪纸；3、使用可释放胶带折‑剪纸将元件从制备基底上拾取；4、将带有元件的可释放胶带折‑剪纸包覆在三维曲面受主基底上；5、触发可释放胶带使其失去粘性，将元件印刷到受主基底上。该方法具有实施过程简单方便、成本低廉、通用性好、可以把平面上制备的元件转印到任意形状的三维复杂曲面上等优点。
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公开(公告)号：CN209904281U
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201920328579.2
申请日：2019-03-13
Applicant: 浙江大学
IPC: B41K1/02
Abstract: 本实用新型公开了一种通用的形状记忆聚合物转印印章，印章本体为形状记忆聚合物块体或者薄膜，所述的形状记忆聚合物块体或薄膜固定在刚性背衬上，在所述的形状记忆聚合物块体或薄膜表面设有微结构和/或低粘附层。本实用新型印章结构简单、加工方便且成本低廉；且通用性好，能够转印任意形状和尺寸的元件；可采用全局载荷驱动实现大规模转印，或采用局部载荷实现选择性的转印。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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