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公开(公告)号：CN111341859A
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN202010166441.4
申请日：2020-03-11
Applicant: 浙江大学 , 龙焱能源科技(杭州)有限公司
IPC: H01L31/0296 , H01L31/073 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种碲化镉薄膜太阳能电池，包括依次设置的衬底层、透明导电氧化物薄膜层、高阻缓冲层、电池窗口层、电池层、背接触层与背电极；所述电池窗口层包括掺氧的CdSe层；所述掺氧的CdSe层中氧原子的含量为氧原子与Se原子总含量的0.1％～75％。与现有技术相比，本发明提供的碲化镉薄膜太阳能电池的窗口层包含掺氧的CdSe层，既提高了窗口层的均匀性，并通过掺氧提高了太阳能电池的电池效率。
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公开(公告)号：CN101239515B
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN200810059996.8
申请日：2008-03-07
Applicant: 浙江大学
IPC: B32B9/00 , B32B33/00 , B32B17/06 , H01L21/28 , H01L29/00 , C23C28/04 , C23C16/42 , C23C14/35 , C23C14/08 , C23C14/58 , B05D1/18
Abstract: 本发明公开的基于植入式纳米线电极的介电可调薄膜，在基板上自下而上依次沉积有硅化钛导电薄膜层，硅化钛导电纳米线层和电介质薄膜层。该薄膜可以采用磁控溅射沉积法或溶胶-凝胶法制备。本发明的基于植入式纳米线电极的介电可调薄膜将硅化钛导电纳米线植入介质薄膜内部，充分利用纳米线电极的巨大边缘电场，可在极低的调制电压下获得很高的可调性，比没有纳米线电极的介电可调薄膜的调制电压有了大大下降，仅为一般情况下的1/6～1/10以下。本发明的基于植入式纳米线电极的介电可调薄膜致密性好，缺陷少，损耗小。植入硅化钛导电纳米电极后的介电薄膜是一种高可调低损耗的高性能介电可调薄膜，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN101239515A
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200810059996.8
申请日：2008-03-07
Applicant: 浙江大学
IPC: B32B9/00 , B32B33/00 , B32B17/06 , H01L21/28 , H01L29/00 , C23C28/04 , C23C16/42 , C23C14/35 , C23C14/08 , C23C14/58 , B05D1/18
Abstract: 本发明公开的基于植入式纳米线电极的介电可调薄膜，在基板上自下而上依次沉积有硅化钛导电薄膜层，硅化钛导电纳米线层和电介质薄膜层。该薄膜可以采用磁控溅射沉积法或溶胶－凝胶法制备。本发明的基于植入式纳米线电极的介电可调薄膜将硅化钛导电纳米线植入介质薄膜内部，充分利用纳米线电极的巨大边缘电场，可在极低的调制电压下获得很高的可调性，比没有纳米线电极的介电可调薄膜的调制电压有了大大下降，仅为一般情况下的1/6～1/10以下。本发明的基于植入式纳米线电极的介电可调薄膜致密性好，缺陷少，损耗小。植入硅化钛导电纳米电极后的介电薄膜是一种高可调低损耗的高性能介电可调薄膜，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN111341859B
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202010166441.4
申请日：2020-03-11
Applicant: 浙江大学 , 龙焱能源科技(杭州)有限公司
IPC: H01L31/0296 , H01L31/073 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种碲化镉薄膜太阳能电池，包括依次设置的衬底层、透明导电氧化物薄膜层、高阻缓冲层、电池窗口层、电池层、背接触层与背电极；所述电池窗口层包括掺氧的CdSe层；所述掺氧的CdSe层中氧原子的含量为氧原子与Se原子总含量的0.1％～75％。与现有技术相比，本发明提供的碲化镉薄膜太阳能电池的窗口层包含掺氧的CdSe层，既提高了窗口层的均匀性，并通过掺氧提高了太阳能电池的电池效率。
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