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公开(公告)号：CN102508962A
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201110341221.1
申请日：2011-11-02
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种用矢量化参数确定规则插入散射条配方的方法。本发明方法包括光刻模型、光学邻近校正、散射条参数初始化，载入一维图形，计算工艺窗口得到一维向量最优解，载入二维图形，计算工艺窗口得到二维向量最优。本发明能快速确定配方，减小边放置误差，改善工艺窗口，避免散射条刻出的现象出现，提高了集成电路的生产成品率和缩短了生产周期。
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公开(公告)号：CN102508962B
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201110341221.1
申请日：2011-11-02
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种用矢量化参数确定规则插入散射条配方的方法。本发明方法包括光刻模型、光学邻近校正、散射条参数初始化，载入一维图形，计算工艺窗口得到一维向量最优解，载入二维图形，计算工艺窗口得到二维向量最优。本发明能快速确定配方，减小边放置误差，改善工艺窗口，避免散射条刻出的现象出现，提高了集成电路的生产成品率和缩短了生产周期。
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公开(公告)号：CN101976017B
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201010268773.X
申请日：2010-08-27
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种用于光学邻近校正的区别化层次管理方法。包括如下步骤：1)建立光学仿真模型以及数据初始化；2)由光学仿真模型和版图相关信息确定图形相互影响的距离；3)对版图各个区域进行识别，区分相似区域和非相似区域，并做不同的处理；4)对相似区域的单元进行环境识别，找出完全相同的单元；5)对每个独特单元的图形进行光学邻近校正，之后把光学邻近校正的结果放回原来的单元中，得到整个版图的光学邻近校正的结果。本发明有利于提高版图中层次化结构信息的利用率，降低光学邻近校正过程的冗余计算，提高光学邻近校正的运算效率，降低集成电路的生产成本，缩短生产周期。
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公开(公告)号：CN101976017A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN201010268773.X
申请日：2010-08-27
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种用于光学邻近校正的区别化层次管理方法。包括如下步骤：1)建立光学仿真模型以及数据初始化；2)由光学仿真模型和版图相关信息确定图形相互影响的距离；3)对版图各个区域进行识别，区分相似区域和非相似区域，并做不同的处理；4)对相似区域的单元进行环境识别，找出完全相同的单元；5)对每个独特单元的图形进行光学邻近校正，之后把光学邻近校正的结果放回原来的单元中，得到整个版图的光学邻近校正的结果。本发明有利于提高版图中层次化结构信息的利用率，降低光学邻近校正过程的冗余计算，提高光学邻近校正的运算效率，降低集成电路的生产成本，缩短生产周期。
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