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公开(公告)号：CN104941833A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201510332236.X
申请日：2015-06-16
申请人： 浙江大学
摘要： 本发明公开了一种等离子喷嘴，包括与阴极配合产生等离子体射流的阳极，所述阳极内设有用于流通等离子体射流的喷射通道以及用于向喷射通道注入悬浮液的供料通道，所述阳极内还设有通入雾化气体的气体输入通道，使所述气体输入通道内的压力高于供料通道内的压力，所述气体输入通道与供料通道之间设有使雾化气体注入供料通道泡状雾化悬浮液的连通通道；本发明还公开了一种带有上述喷嘴的喷枪以及喷涂方法；本发明将泡状雾化结构整合在阳极上，结构简单紧凑，等离子体射流内的悬浮液液滴小，分布均匀，提高纳米粒子喷涂效果，且可以在现有的直流等离子喷涂装置进行改造得到，不需要结构更新，改造成本较低。
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公开(公告)号：CN114481003A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202111647589.0
申请日：2021-12-30
申请人： 浙江大学
摘要： 本发明公开了一种热阴级喷枪，包括带锥形发射结构的阴极和呈圆环状的阳极，所述阳极上沿其周向设置有均匀分布、用于连通外界与阳极内腔的弯曲通道；本发明还公开了一种纳米等离子体喷涂装置，包括上述的热阴级喷枪以及与所述热阴级喷枪可拆卸连接、用于提供纳米粒子悬浮液的载入器；所述载入器具有与所述内腔相通且共轴线的喷射通道；本发明还公开一种采用上述纳米等离子体喷涂装置的喷涂方法。本发明装置简单，载入器贴附在喷枪阳极的一侧，围绕射流分布有多个悬浮液喷嘴，即可以高效地将纳米粒子悬浮液射入高温等离子体内部，又能避免因阳极破环而频繁更换载入器。通过引入康达效应的流动控制方法，保护了喷枪阳极免受高温等离子体的烧蚀。
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公开(公告)号：CN101451271A
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200810163362.7
申请日：2008-12-18
申请人： 浙江大学
摘要： 本发明公开了一种用于边缘限定硅膜生长法生产带状多晶硅的装置，包括有中央套管的锥形导向器和支撑在锥形导向器顶面的上层结构，所述的上层结构包括与中央套管同轴设置的内套筒组，同轴设置在内套筒组外围的外套筒组和用于密封内套筒组及外套筒组顶部的顶板，内套筒组底沿带有若干个支脚，通过支脚支撑在锥形导向器的顶面，相邻支脚之间形成排料通道。本发明的装置主要是针对现有技术对上层结构进行改造，将起热屏作用的外套筒垂直放置，径向温度梯度较高，能形成有利于晶体生长的热场；内套筒和排料通道的设计可以起到减速和导向的作用，使得硅粒落入硅液中时能减少硅液溅起，解决了蘑菇状料团中断带状硅生长的问题。
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公开(公告)号：CN104941833B
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201510332236.X
申请日：2015-06-16
申请人： 浙江大学
摘要： 本发明公开了一种等离子喷嘴，包括与阴极配合产生等离子体射流的阳极，所述阳极内设有用于流通等离子体射流的喷射通道以及用于向喷射通道注入悬浮液的供料通道，所述阳极内还设有通入雾化气体的气体输入通道，使所述气体输入通道内的压力高于供料通道内的压力，所述气体输入通道与供料通道之间设有使雾化气体注入供料通道泡状雾化悬浮液的连通通道；本发明还公开了一种带有上述喷嘴的喷枪以及喷涂方法；本发明将泡状雾化结构整合在阳极上，结构简单紧凑，等离子体射流内的悬浮液液滴小，分布均匀，提高纳米粒子喷涂效果，且可以在现有的直流等离子喷涂装置进行改造得到，不需要结构更新，改造成本较低。
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公开(公告)号：CN101451271B
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN200810163362.7
申请日：2008-12-18
申请人： 浙江大学
摘要： 本发明公开了一种用于边缘限定硅膜生长法生产带状多晶硅的装置，包括有中央套管的锥形导向器和支撑在锥形导向器顶面的上层结构，所述的上层结构包括与中央套管同轴设置的内套筒组，同轴设置在内套筒组外围的外套筒组和用于密封内套筒组及外套筒组顶部的顶板，内套筒组底沿带有若干个支脚，通过支脚支撑在锥形导向器的顶面，相邻支脚之间形成排料通道。本发明的装置主要是针对现有技术对上层结构进行改造，将起热屏作用的外套筒垂直放置，径向温度梯度较高，能形成有利于晶体生长的热场；内套筒和排料通道的设计可以起到减速和导向的作用，使得硅粒落入硅液中时能减少硅液溅起，解决了蘑菇状料团中断带状硅生长的问题。
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