半导体热电材料的制造方法及设备

    公开(公告)号:CN1044422C

    公开(公告)日:1999-07-28

    申请号:CN95113361.6

    申请日:1995-12-10

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 一种半导体热电材料的制造方法及设备,其特征是作为半导体热电器件中热电臂用的半导体热电材料为p型和n型半导体晶球,晶球分别以铋、碲、硒和铋、锑、碲为原料,经熔融、熔滴冷凝、热处理制成;其专用设备设有带液滴喷管的石英容器,与石英容器相连接的冷却器,分别与石英容器、冷却器相连接的气体保护装置和真空系统。应用本方案,可明显减小热电臂尺寸,增加热电器件单位制冷量,减少原料损耗,简化操作,提高热电臂的质量和成品率,降低热电器件制造成本。

    一种半导体扩散长度测量仪

    公开(公告)号:CN1029034C

    公开(公告)日:1995-06-21

    申请号:CN92108446.3

    申请日:1992-06-02

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 一种半导体扩散长度测量仪,其特征是光源由恒流脉冲发生器和红外发光二极管构成,用多个干涉滤光片将波长为8500~10500的光谱分离成不同中心波长的单色光,采用Y型光缆将光能耦合到测试样品正面和PIN光电二极管,设有光谱响应度补偿电路,所有测试控制程序,计算公式,校正因子都装入软件包。与现有技术比较,具有光源光强稳定,测试迅速、测量精度高、结构简单、造价低、实现自动测量等优点。

    一种半导体扩散长度测量仪

    公开(公告)号:CN1066730A

    公开(公告)日:1992-12-02

    申请号:CN92108446.3

    申请日:1992-06-02

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 一种半导体扩散长度测量仪,其特征是光源由恒流脉冲发生器和红外发光二极管构成,用多个干涉滤光片将波长为8500~10500的光谱分离成不同中心波长的单色光,采用Y型光缆将光能耦合到测试样品正面和PIN光电二极管,设有光谱响应度补偿电路,所有测试控制程序,计算公式,校正因子都装入软件包。与现有技术比较,具有光源光强稳定、测试迅速、测量精度高、结构简单、造价低、实现自动测量等优点。

    一种制造高纯度超细氮化硅的方法及设备

    公开(公告)号:CN1064024C

    公开(公告)日:2001-04-04

    申请号:CN97121645.2

    申请日:1997-11-20

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 一种制造高纯度超细氮化硅的方法及设备,其特征是硅烷和氨气的气相化学反应是在立式双温区流态反应器3中进行,该反应器流态床底部设有不锈钢制造的分配板31,载体填料32是粒度为0.1~0.5mm的硅晶体,床层外部设有主加热器33,反应器的上部空间为反应区34,反应区外部设有副加热器35。同现有技术比较,本发明的优点是设备投资少,能耗低,收率高,氮化硅颗粒细而均匀,表面光滑,内部结构无气孔,无团聚现象,适宜工业化生产。

    一种制造高纯度超细氮化硅的方法及设备

    公开(公告)号:CN1218002A

    公开(公告)日:1999-06-02

    申请号:CN97121645.2

    申请日:1997-11-20

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 一种制造高纯度超细氮化硅的方法及设备,其特征是硅烷和氨气的气相化学反应是在立式双温区流态反应器3中进行,该反应器流态床底部设有不锈钢制造的分配板31,载体填料32是粒度为0.1~0.5mm的硅晶体,床层外部设有主加热器33,反应器的上部空间为反应区34,反应区外部设有副加热器35。同现有技术比较,本发明的优点是设备投资少,能耗低,收率高,氮化硅颗粒细而均匀,表面光滑,内部结构无气孔,无团聚现象,适宜工业化生产。

    半导体热电器件
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1034199C

    公开(公告)日:1997-03-05

    申请号:CN94112273.5

    申请日:1994-08-20

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 一种半导体热电器件,其特征是热电臂采用p型和n型半导体晶球,应用本方案,可明显减小热电臂尺寸,增加热电器件单位制冷量,减少原料损耗,简化操作,提高热电臂的质量和成品率,降低热电器件制造成本。

    半导体热电材料的制造方法及设备

    公开(公告)号:CN1148735A

    公开(公告)日:1997-04-30

    申请号:CN95113361.6

    申请日:1995-12-10

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 一种半导体热电材料的制造方法及设备,其特征是作为半导体热电器件中热电臂用的半导体热电材料为p型和n型半导体晶球,晶球分别以铋、碲、硒和铋、锑、碲为原料,经熔融、熔滴冷凝、热处理制成;其专用设备设有带液滴喷管的石英容器,与石英容器相连接的冷却器,分别与石英容器、冷却器相连接的气体保护装置和真空系统。应用本方案,可明显减小热电臂尺寸,增加热电器件单位制冷量,减少原料损耗,简化操作,提高热电臂的质量和成品率,降低热电器件制造成本。

    半导体热电器件及其材料的制造方法及设备

    公开(公告)号:CN1104375A

    公开(公告)日:1995-06-28

    申请号:CN94112273.5

    申请日:1994-08-20

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 一种半导体热电器件及其材料的制造方法及设备,其特征是热电臂采用P型和N型半导体晶球;晶球分别以铋、碲、硒和铋、锑、碲为原料,经熔融、熔滴冷凝、热处理制成;其专用设备设有带液滴喷管的石英容器,与石英容器相连接的冷却器,分别与石英容器、冷却器相连接的气体保护装置和真空系统,应用本方案,可明显减小热电臂尺寸,增加热电器件单位制冷量,减少原料损耗,简化操作,提高热电臂的质量和成品率,降低热电器件制造成本。

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