公开(公告)号：CN1064024C

公开(公告)日：2001-04-04

申请号：CN97121645.2

申请日：1997-11-20

Applicant: 浙江大学

Inventor： 姚奎鸿 ,  周晓茹 ,  张焕林 ,  林玉瓶 ,  余京松 ,  沃银花

IPC: C01B21/068

Abstract: 一种制造高纯度超细氮化硅的方法及设备，其特征是硅烷和氨气的气相化学反应是在立式双温区流态反应器3中进行，该反应器流态床底部设有不锈钢制造的分配板31，载体填料32是粒度为0.1～0.5mm的硅晶体，床层外部设有主加热器33，反应器的上部空间为反应区34，反应区外部设有副加热器35。同现有技术比较，本发明的优点是设备投资少，能耗低，收率高，氮化硅颗粒细而均匀，表面光滑，内部结构无气孔，无团聚现象，适宜工业化生产。

公开(公告)号：CN1218002A

公开(公告)日：1999-06-02

申请号：CN97121645.2

申请日：1997-11-20

Applicant: 浙江大学

Inventor： 姚奎鸿 ,  周晓茹 ,  张焕林 ,  林玉瓶 ,  余京松 ,  沃银花

IPC: C01B21/068

Abstract: 一种制造高纯度超细氮化硅的方法及设备,其特征是硅烷和氨气的气相化学反应是在立式双温区流态反应器3中进行,该反应器流态床底部设有不锈钢制造的分配板31,载体填料32是粒度为0.1～0.5mm的硅晶体,床层外部设有主加热器33,反应器的上部空间为反应区34,反应区外部设有副加热器35。同现有技术比较,本发明的优点是设备投资少,能耗低,收率高,氮化硅颗粒细而均匀,表面光滑,内部结构无气孔,无团聚现象,适宜工业化生产。