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公开(公告)号：CN106971922B
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201710272873.1
申请日：2017-04-24
Applicant: 浙江大学
IPC: H01H71/10 , H02J13/00 , G05B19/042
Abstract: 本发明公开了一种低成本低待机功耗的费控断路器控制系统及控制方法。控制系统包括电路部分和非电路部分，电路部分包括功率供电模块、线性供电模块、电机驱动模块、控制器模块和费控信号接收模块，非电路部分包括限位开关/模式选择开关、动作电机以及外壳传动结构。本发明在成本和体积上有相当的优势，同时具有很强的EMC耐受能力，能在浪涌、快变脉冲和静电放电干扰下保证正常的控制逻辑，可以仅使用一个8引脚的51内核单片机作为控制器，配合少量电阻电容等无源器件，实现所有的费控功能。
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公开(公告)号：CN105162463B
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201510620220.9
申请日：2015-09-26
Applicant: 浙江大学
IPC: H03L7/099
Abstract: 本发明公开了一种60 GHz锁相环低相噪自注入型电压控制振荡器及无线收发机。该电压控制振荡器包括：多个相同的LC振荡器，其中由NMOS器件组成负阻对；由累积型变容管和电感组成的谐振腔；由NMOS器件、电感和电容组成的输出缓冲电路；由电容组成的自注入电路；由NMOS器件使LC振荡器寄生电容相同。通过采用相同的振荡器核心，并使其振荡信号相互注入到相应的谐振腔中。通过注入锁定原理，谐振腔电路会锁定在同一工作频率点，输出波形相位也会同步。此时通过波形叠加，输出波形中本振频率功率加强，而噪声通过LC谐振腔的滤波作用并未明显增加，所以电压控制CMOS振荡器输出的相位噪声能得到显著减小，同时降低了电压控制振荡器的FOM值。
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公开(公告)号：CN106788444A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611136237.8
申请日：2016-12-12
Applicant: 浙江大学
IPC: H03M3/00
CPC classification number: H03M3/332
Abstract: 本发明公开了一种同时实现无杂散、高信噪失真比的低通ΣΔ调制器。该ΣΔ调制器包括：由环路滤波器和量化器组成的普通ΣΔ调制器；由dither模块和延时单元Z‑1以及加法器组成的高通滤波dither模块；高通滤波dither模块的输出和环路滤波器的输出之和作为量化器的输入。普通ΣΔ调制器由于输入序列的周期长度有限导致的杂散会从调制器的输入传递到输出，导致输出信号的信噪失真比急剧下降。提出的高通滤波dither模块通过在量化器之前引入白噪声，增加了有效周期长度，消除了杂散，同时该dither经过高通滤波，把dither引入的白噪声整形到高频，减小了低频带内噪声，增加了信噪失真比。
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公开(公告)号：CN105281762A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201510748547.4
申请日：2015-11-07
Applicant: 浙江大学
IPC: H03L7/099
Abstract: 本发明公开了一种60GHz锁相环低电压下抗工艺涨落的电压控制CMOS LC振荡器。该振荡器包括：由NMOS器件N2、N3组成的负阻对电路，累积型变容管C2、C3和电感L2组成的谐振腔，负阻对电路和谐振腔组成LC振荡器；由NMOS器件N1、N5电感L1和电容C1组成的合成和输出缓冲电路；由NMOS器件N4、多晶硅电阻R1组成的体电压调制电路。通过适当增加N1、N5、N2、N3管的体电压，可以降低N管阈值，使电路能在低压下工作。引入体电压调制电路，降低了工艺波动对LC振荡器和合成和输出缓冲电路性能的影响。
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公开(公告)号：CN102306659B
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201110265578.6
申请日：2011-09-08
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种基于体电场调制的LDMOS器件，包括第一导电类型衬底层和设于第一导电类型衬底上的第二导电类型漂移层；第一导电类型衬底层内设有浮空区，浮空区由若干第一导电类型浮空层和若干第二导电类型浮空层在水平方向上交替叠加而成。本发明通过在衬底层中添加交替排列的P/N浮空区，利用电荷补偿的方法，优化了LDMOS器件的纵向电场，得到均匀的纵向电场分布，提高了整体器件的击穿电压，进一步优化了器件的性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102169890A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN201110112647.X
申请日：2011-05-03
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L29/06 , H01L27/092
Abstract: 本发明公开了一种高压功率集成电路隔离结构，包括P型衬底，所述P型衬底上方设有埋氧层，埋氧层上方设有由2m+1个P型硅岛和2m个N型硅岛相互间隔排列构成的顶层硅膜，位于最中心的P型硅岛顶部设有重掺杂P+区，重掺杂P+区两侧的顶层硅膜表面覆有场氧层，其中m为整数。本发明隔离结构易于工艺实现，制造成本低，且消除了衬底对器件的影响，有效地提高了电路发生闩锁效应的难度，大大提高了电路的可靠性。
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公开(公告)号：CN112039492B
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN202010780666.9
申请日：2020-08-06
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种应用于生理信号滤波器中的高线性度跨导放大器，包括差分输入级，差分输出负载，电流抵消晶体管，局部负反馈等效线性电阻，偏置电流晶体管。PMOS器件M1和M2构成了差分输出级，信号从体端输入；NMOS器件M3和M4以电流源的形式作为跨导放大器的输出负载级，电流抵消晶体管和输出对管长度一致，宽度成一定比例关系，抵消输出对管的漏极电流，从而减小跨导；PMOS器件M12和M13构成局部负反馈等效线性电阻，PMOS器件M9和M10用以给该等效电阻提供偏置。本发明采用体驱动和电流抵消的方式，一方面提高了跨导放大器的线性度，另一方面又降低了跨导放大器的跨导值使其更适合应用于生理信号滤波器中。
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公开(公告)号：CN111741236B
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN202010857184.9
申请日：2020-08-24
Applicant: 浙江大学 , 杭州海康威视数字技术股份有限公司
IPC: H04N5/278 , H04N21/488 , H04N21/81 , G06N3/04 , G06N3/08
Abstract: 本发明公开了一种基于共识图表征推理的定位自然图像字幕生成方法和装置。该方法包括如下步骤：S1：以预先提取的视觉场景图及文本场景图作为先验知识，通过结构对抗学习方法从图先验中进行演绎与推理，生成作为共识知识的共识图表征；S2：基于视觉空间图与共识图表征，结合软注意力机制动态选取与上下文环境匹配程度最高的语义信息生成字幕的文本描述；S3：在S2中生成文本描述的同时，根据当前语义环境在视觉空间中实时定位文本中对象单词的空间区域。本发明可利用视觉模态先验与语言模态先验所推理得到的共识表征来维护多模态之间的语义一致性，从而大幅度减少当前自然图像字幕生成模型中存在的对象幻觉问题，并获取更优的字幕生成与对象定位性能。
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公开(公告)号：CN112039492A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN202010780666.9
申请日：2020-08-06
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种应用于生理信号滤波器中的高线性度跨导放大器，包括差分输入级，差分输出负载，电流抵消晶体管，局部负反馈等效线性电阻，偏置电流晶体管。PMOS器件M1和M2构成了差分输出级，信号从体端输入；NMOS器件M3和M4以电流源的形式作为跨导放大器的输出负载级，电流抵消晶体管和输出对管长度一致，宽度成一定比例关系，抵消输出对管的漏极电流，从而减小跨导；PMOS器件M12和M13构成局部负反馈等效线性电阻，PMOS器件M9和M10用以给该等效电阻提供偏置。本发明采用体驱动和电流抵消的方式，一方面提高了跨导放大器的线性度，另一方面又降低了跨导放大器的跨导值使其更适合应用于生理信号滤波器中。
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公开(公告)号：CN107463725A
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201710490322.2
申请日：2017-06-25
Applicant: 浙江大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种适用于模拟及射频集成电路的参数设计方法，采用一种能表示电路中各参数间关系的参数关系图，包括下述5个基本步骤：步骤1，分析待设计的电路拓扑，绘制参数关系图；步骤2，分析所述参数关系图，对每个参数节点进行顺序标注；步骤3，根据步骤2的顺序标注，采用手工计算或扫描仿真的方式确定各个参数的值；步骤4，对于步骤3中确定的参数的值为区间的参数，进一步采用经验估测进行选取；步骤5，对于步骤3中确定的参数的值出现矛盾的，逆向进行回溯纠正，直到所有参数关系不出现矛盾，若无法达到所有参数关系不出现矛盾，则重新进行拓扑设计。本发明能增加参数设计的准确度和设计效率，同时降低设计过程的盲目性。
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