公开(公告)号：CN115267967B

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202210917069.5

申请日：2022-08-01

Applicant: 浙江大学

Inventor： 金潮渊 ,  侯代宝 ,  李晨晖 ,  程晓天

IPC: G02B6/12 ,  G02B6/42

Abstract: 本发明公开了一种强限制的三维光子引线波导实现片上光源互连的方法。本发明利用激光直写透明介质材料的技术，通过利用聚焦的、一定强度的激光，在介质中的某些位置改变介质本身的抗蚀性，其中焦点处的光强为I，介质所能承受的阈值光强Ith，当I>Ith的时候，介质的抗蚀性被改变；继而根据介质属性的差异，利用选择性刻蚀的方法加工高折射率对比度的三维光子引线波导，从而利用光学波导实现空间中任意两点之间的光学互联，因此能够解决硅基光源集成中任意激光器出光位置和任意硅波导位置之间的互联问题。

公开(公告)号：CN118276250A

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202410334295.X

申请日：2024-03-22

Applicant: 浙江大学

Inventor： 刘灿 ,  金潮渊 ,  侯代宝

IPC: G02B6/42 ,  G02B6/124

Abstract: 本发明公开了一种硅基和III‑V激光器混合集成芯片。该混合集成芯片包含硅基无源芯片和III‑V激光器芯片两部分，III‑V激光器芯片倒贴在硅基无源芯片上面，混合集成芯片自上而下包括III‑V材料衬底、DBR反射镜、III‑V材料波导、III‑V材料光栅耦合器、硅基光栅耦合器、硅基波导、金属反射镜。III‑V波导光栅耦合器将光衍射出来后通过硅基光栅耦合器反向耦合进硅基无源波导。该集成芯片的硅基无源芯片的衬底中含有一层金属来提高耦合效率，III‑V激光器芯片中含有分布式布拉格反射镜来提高耦合效率。本发明可以很容易实现III‑V激光器芯片和硅基无源芯片高的耦合效率，应用于大规模混合集成芯片的制作中。

公开(公告)号：CN115267967A

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN202210917069.5

申请日：2022-08-01

Applicant: 浙江大学

Inventor： 金潮渊 ,  侯代宝 ,  李晨晖 ,  程晓天

IPC: G02B6/12 ,  G02B6/42

Abstract: 本发明公开了一种强限制的三维光子引线波导实现片上光源互连的方法。本发明利用激光直写透明介质材料的技术，通过利用聚焦的、一定强度的激光，在介质中的某些位置改变介质本身的抗蚀性，其中焦点处的光强为I，介质所能承受的阈值光强Ith，当I>Ith的时候，介质的抗蚀性被改变；继而根据介质属性的差异，利用选择性刻蚀的方法加工高折射率对比度的三维光子引线波导，从而利用光学波导实现空间中任意两点之间的光学互联，因此能够解决硅基光源集成中任意激光器出光位置和任意硅波导位置之间的互联问题。