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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119789590A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202510274065.3
申请日：2025-03-10
Applicant: 浙江大学
IPC: H10F77/14 , H10F30/282 , H10F71/00
Abstract: 本发明公开了一种基于垂直硅纳米线的全环栅光伏场效应晶体管及其制备方法，所述光伏场效应晶体管以垂直的硅纳米线作为沟道，将横向宽度转换成纵向深度，更易实现大规模阵列中单个器件的物理隔离，同时大幅度提升光伏场效应晶体管的集成度。所述硅纳米线穿过二维材料薄膜，二维材料薄膜以原子层厚度全环绕包裹硅纳米线，形成环栅结构。该环栅结构依赖于二维材料优异的机械柔性和原子力显微镜球探针纳米级的无损修饰。借助原子力显微镜球探针界面处理技术，本发明提出了一种制备具有亚纳米尺寸栅极的晶体管的新方法，这种光伏晶体管结构不仅有效地抑制了短沟道效应，还显著提高了二维材料与硅基CMOS器件的高效集成能力。
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公开(公告)号：CN119355301A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411520666.X
申请日：2024-10-29
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种分析器件电极接触情况的方法，该方法利用器件工作中电阻分布不均带来的发热差异评估接触质量，步骤S1、通过显微镜得到平面器件工作时的高分辨率温度分布图；步骤S2、通过对比非接触区域和接触区域的温度分布确定接触电阻对器件的影响；步骤S3、对接触区域放大后，测试其表面形貌图和温度分布图，对比形貌和温度分布情况，获得缺陷、气泡和污染物信息；步骤S4、在步骤S3测得的温度分布图中用温度分布的方差/平均值评估接触均匀性。本发明分析方法方便并且不会破坏器件，无需复杂的测试流程，针对复杂的器件结构也能有较好的效果，除此之外可以额外同时获得气泡、污染物的分布、材料缺陷的分布和接触面积的信息并提供优化路线。
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公开(公告)号：CN113582129B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202110850450.X
申请日：2021-07-27
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种基于金属辅助化学蚀刻方法的大高宽比探针，该探针由一体化制造的基底、悬臂梁和大高宽比针尖组成。本发明采用光刻、刻蚀等常规微纳加工工艺结合金属辅助的化学湿法刻蚀制作得到。本发明利用金属辅助化学蚀刻技术，对硅进行各向异性的湿法蚀刻，得到大高宽比的针尖，且制备的针尖拥有侧面光滑、横截面形状变化小的优势。本发明基于传统微加工工艺，引进了金属辅助化学蚀刻技术，相对RIE、ICP等深硅刻蚀技术，具备低成本、可控性强等优点。
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公开(公告)号：CN116902910A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310608577.X
申请日：2023-05-27
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了硅纳米球探针制造高性能纳米线器件和界面提升方法，包括转移二维材料；对二维材料进行热退火，原子力显微镜接触模式扫描等；转移一维材料纳米线；原子力显微镜非接触模式定位纳米线位置；原子力显微镜控制模式旋转移动纳米线，使纳米线和二维材料特定区域接触；原子力显微镜力曲线模式依次扫描纳米线/二维材料接触区域；同时，该纳米球探针通过聚焦离子束仪器的高能氦离子束注入单晶硅表面，通过调节氦离子的注入电压、开关阀门的开启时间定量调控注入的离子剂量；本发明不会引入额外的污染物，并且可以定点、快速、精准处理材料表面，具有在纳米尺度的高度的可行性和可控性，对材料表面的损伤小，可以兼容于不同的器件制备工艺。
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公开(公告)号：CN113582129A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110850450.X
申请日：2021-07-27
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种基于金属辅助化学蚀刻方法的大高宽比探针，该探针由一体化制造的基底、悬臂梁和大高宽比针尖组成。本发明采用光刻、刻蚀等常规微纳加工工艺结合金属辅助的化学湿法刻蚀制作得到。本发明利用金属辅助化学蚀刻技术，对硅进行各向异性的湿法蚀刻，得到大高宽比的针尖，且制备的针尖拥有侧面光滑、横截面形状变化小的优势。本发明基于传统微加工工艺，引进了金属辅助化学蚀刻技术，相对RIE、ICP等深硅刻蚀技术，具备低成本、可控性强等优点。
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