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公开(公告)号：CN117855322A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202311461470.3
申请日：2023-11-06
Applicant: 济南大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/109 , H01L31/032
Abstract: 本发明公开了基于二硒化钯二硒化钨异质结的光探测器的制备方法，具体涉及光探测器技术领域，该制备方法的步骤包括：采用Si/SiO2作为材料生长的衬底并处理衬底，在Si/SiO2衬底上制备Pd薄膜，对得到的Pd薄膜进行硒化处理制备PdSe2薄膜，将Si/SiO2衬底用WO2.9溶液预埋，再进行硒化处理，制备大晶畴的WSe2，将制备的WSe2利用旋涂PMMA辅助法从Si/SiO2衬底上剥离。本发明将构建基于PdSe2/WSe2垂直范德华异质结器件的光电响应时间与本征PdSe2器件进行比较，响应速度得到极大提升，且在光电探测应用上具有优良特性。
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公开(公告)号：CN117316773B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202311594680.X
申请日：2023-11-28
Applicant: 济南大学
IPC: H01L21/34 , H01L29/24 , H01L29/872
Abstract: 本发明公开了一种钯/二硒化钨肖特基晶体管的制备方法，涉及集成电路制造技术领域。本发明采用电子束蒸发法实现Pd薄膜的构建，采用化学气相沉积法生长，并通过化学生长窗口调节，实现亚厘米级别的WSe2的制备，然后通过湿法转移，将WSe2转移至Pd薄膜上，使得WSe2与Pd形成范德华界面，实现肖特基接触，通过Pd接触构建的Pd/WSe2肖特基晶体管，其转移特性的开/关比提升了100倍，截止电流减小到10‑9 A,展现出更加优异的晶体管性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117316773A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311594680.X
申请日：2023-11-28
Applicant: 济南大学
IPC: H01L21/34 , H01L29/24 , H01L29/872
Abstract: 本发明公开了一种钯/二硒化钨肖特基晶体管的制备方法，涉及集成电路制造技术领域。本发明采用电子束蒸发法实现Pd薄膜的构建，采用化学气相沉积法生长，并通过化学生长窗口调节，实现亚厘米级别的WSe2的制备，然后通过湿法转移，将WSe2转移至Pd薄膜上，使得WSe2与Pd形成范德华界面，实现肖特基接触，通过Pd接触构建的100倍，截止电流减小到Pd/WSe2肖特基晶体管10‑9 A,展现出更加优异的晶体管性能，其转移特性的开/关比提升了。
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公开(公告)号：CN117613140B
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202311574256.9
申请日：2023-11-23
Applicant: 济南大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/09 , H01L31/032
Abstract: 本发明提供了一种氧掺杂二硒化钯材料的制备方法，其特征在于，具体步骤如下：先通过电子束蒸发镀膜仪，在真空腔体内利用电子束加热蒸发的方式使得Pd蒸发到倒置在上方的Si/SiO2衬底上，得到钯薄膜；然后通过化学气相沉积，对钯薄膜进行硒化反应，得到二硒化钯薄膜；最后对二硒化钯薄膜进行O2plasma处理，即得所述的氧掺杂二硒化钯材料。本发明通过O2plasma注入的方式对PdSe2进行O原子掺杂，进而实现对PdSe2性能的调控；通过对O掺杂量的调控，实现基于PdSe2的场效应晶体管转移特性发生p型转变，并且这种变化具有稳定性。
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公开(公告)号：CN117855322B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202311461470.3
申请日：2023-11-06
Applicant: 济南大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/109 , H01L31/032
Abstract: 本发明公开了基于二硒化钯二硒化钨异质结的光探测器的制备方法，具体涉及光探测器技术领域，该制备方法的步骤包括：采用Si/SiO2作为材料生长的衬底并处理衬底，在Si/SiO2衬底上制备Pd薄膜，对得到的Pd薄膜进行硒化处理制备PdSe2薄膜，将Si/SiO2衬底用WO2.9溶液预埋，再进行硒化处理，制备大晶畴的WSe2，将制备的WSe2利用旋涂PMMA辅助法从Si/SiO2衬底上剥离。本发明将构建基于PdSe2/WSe2垂直范德华异质结器件的光电响应时间与本征PdSe2器件进行比较，响应速度得到极大提升，且在光电探测应用上具有优良特性。
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公开(公告)号：CN116913609A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310692299.0
申请日：2023-06-13
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明公开了一种纸基铜双极电极的制备方法，包括以下制备步骤：设计打印纸基铜双极电极、利用壳聚糖对工作电极板亲水区域进行功能化处理、滴加四氯钯酸钠溶液、配制生长液、制备纸基铜电极并进行打磨处理、笔绘驱动电极以及导电桥、折叠组装。采用本发明方案制备的纸基铜电极具有比表面积大、导电性好的特点，为其应用在电化学发光等领域中电子的高效传输奠定了良好的基础。
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公开(公告)号：CN117613140A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311574256.9
申请日：2023-11-23
Applicant: 济南大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/09 , H01L31/032
Abstract: 本发明提供了一种氧掺杂二硒化钯材料的制备方法，其特征在于，具体步骤如下：先通过电子束蒸发镀膜仪，在真空腔体内利用电子束加热蒸发的方式使得Pd蒸发到倒置在上方的Si/SiO2衬底上，得到钯薄膜；然后通过化学气相沉积，对钯薄膜进行硒化反应，得到二硒化钯薄膜；最后对二硒化钯薄膜进行O2plasma处理，即得所述的氧掺杂二硒化钯材料。本发明通过O2plasma注入的方式对PdSe2进行O原子掺杂，进而实现对PdSe2性能的调控；通过对O掺杂量的调控，实现基于PdSe2的场效应晶体管转移特性发生p型转变，并且这种变化具有稳定性。
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