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公开(公告)号：CN117613140B
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202311574256.9
申请日：2023-11-23
Applicant: 济南大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/09 , H01L31/032
Abstract: 本发明提供了一种氧掺杂二硒化钯材料的制备方法，其特征在于，具体步骤如下：先通过电子束蒸发镀膜仪，在真空腔体内利用电子束加热蒸发的方式使得Pd蒸发到倒置在上方的Si/SiO2衬底上，得到钯薄膜；然后通过化学气相沉积，对钯薄膜进行硒化反应，得到二硒化钯薄膜；最后对二硒化钯薄膜进行O2plasma处理，即得所述的氧掺杂二硒化钯材料。本发明通过O2plasma注入的方式对PdSe2进行O原子掺杂，进而实现对PdSe2性能的调控；通过对O掺杂量的调控，实现基于PdSe2的场效应晶体管转移特性发生p型转变，并且这种变化具有稳定性。
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公开(公告)号：CN117316773B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202311594680.X
申请日：2023-11-28
Applicant: 济南大学
IPC: H01L21/34 , H01L29/24 , H01L29/872
Abstract: 本发明公开了一种钯/二硒化钨肖特基晶体管的制备方法，涉及集成电路制造技术领域。本发明采用电子束蒸发法实现Pd薄膜的构建，采用化学气相沉积法生长，并通过化学生长窗口调节，实现亚厘米级别的WSe2的制备，然后通过湿法转移，将WSe2转移至Pd薄膜上，使得WSe2与Pd形成范德华界面，实现肖特基接触，通过Pd接触构建的Pd/WSe2肖特基晶体管，其转移特性的开/关比提升了100倍，截止电流减小到10‑9 A,展现出更加优异的晶体管性能。
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公开(公告)号：CN117316773A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311594680.X
申请日：2023-11-28
Applicant: 济南大学
IPC: H01L21/34 , H01L29/24 , H01L29/872
Abstract: 本发明公开了一种钯/二硒化钨肖特基晶体管的制备方法，涉及集成电路制造技术领域。本发明采用电子束蒸发法实现Pd薄膜的构建，采用化学气相沉积法生长，并通过化学生长窗口调节，实现亚厘米级别的WSe2的制备，然后通过湿法转移，将WSe2转移至Pd薄膜上，使得WSe2与Pd形成范德华界面，实现肖特基接触，通过Pd接触构建的100倍，截止电流减小到Pd/WSe2肖特基晶体管10‑9 A,展现出更加优异的晶体管性能，其转移特性的开/关比提升了。
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公开(公告)号：CN117613140A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311574256.9
申请日：2023-11-23
Applicant: 济南大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/09 , H01L31/032
Abstract: 本发明提供了一种氧掺杂二硒化钯材料的制备方法，其特征在于，具体步骤如下：先通过电子束蒸发镀膜仪，在真空腔体内利用电子束加热蒸发的方式使得Pd蒸发到倒置在上方的Si/SiO2衬底上，得到钯薄膜；然后通过化学气相沉积，对钯薄膜进行硒化反应，得到二硒化钯薄膜；最后对二硒化钯薄膜进行O2plasma处理，即得所述的氧掺杂二硒化钯材料。本发明通过O2plasma注入的方式对PdSe2进行O原子掺杂，进而实现对PdSe2性能的调控；通过对O掺杂量的调控，实现基于PdSe2的场效应晶体管转移特性发生p型转变，并且这种变化具有稳定性。
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