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公开(公告)号:CN106082314B
公开(公告)日:2017-08-25
申请号:CN201610400837.4
申请日:2016-06-08
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明公开了一种在导电基底上基于原位自刻蚀模板机理制备一维多孔二氧化锡纳米管的方法,属于无机化学和材料合成领域。本方法包括以下步骤:清洗导电玻璃‑配制ZnO前驱体溶液‑生长ZnO/导电玻璃‑配制SnO2前驱体溶液‑生长SnO2纳米管。本方法的特点在于实现了两步模板法基于自产生的碱性环境原位刻蚀模板无需加入强酸/碱制备SnO2纳米管,简化了实验步骤,并且产物尺寸均一,成本低,更加节能环保。该方法操作简单,为大批量制备SnO2纳米管提供了一个新思路,同时所制备的氧化锡具有大的比表面积,在光催化和太阳能电池等领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号:CN109879821A
公开(公告)日:2019-06-14
申请号:CN201910203441.4
申请日:2019-03-18
Applicant: 济南大学
IPC: C07D239/91 , C09K11/06 , G01N21/64
Abstract: 本发明公开了一种基于激发态分子内质子转移的荧光探针精确测量细胞中的单胺氧化酶B的制备方法和应用。该探针基于激发态分子内质子转移的荧光染料2-(2'-羟基苯基)4(3H)喹唑啉酮与N-Boc-3-氨基丙基溴连接。优势在于,不仅克服了传统检测单胺氧化酶B荧光探针生物相容性差、背景荧光强、易扩散等缺点,还具备了2-(2'-羟基苯基)4(3H)喹唑啉酮的良好的光稳定性、强烈的荧光等优点。为神经系统健康和疾病提供了早期监测手段。
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公开(公告)号:CN106082314A
公开(公告)日:2016-11-09
申请号:CN201610400837.4
申请日:2016-06-08
Applicant: 济南大学
CPC classification number: C01G19/02 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01P2004/04 , C01P2004/13 , C01P2004/62
Abstract: 本发明公开了一种在导电基底上基于原位自刻蚀模板机理制备一维多孔二氧化锡纳米管的方法,属于无机化学和材料合成领域。本方法包括以下步骤:清洗导电玻璃‑配制ZnO前驱体溶液‑生长ZnO/导电玻璃‑配制SnO2前驱体溶液‑生长SnO2纳米管。本方法的特点在于实现了两步模板法基于自产生的碱性环境原位刻蚀模板无需加入强酸/碱制备SnO2纳米管,简化了实验步骤,并且产物尺寸均一,成本低,更加节能环保。该方法操作简单,为大批量制备SnO2纳米管提供了一个新思路,同时所制备的氧化锡具有大的比表面积,在光催化和太阳能电池等领域具有广泛的应用前景。
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