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公开(公告)号：CN105679928A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201610058234.0
申请日：2016-01-28
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明涉及一种适用于p型Cu2SnSe3基热电材料相匹配的合金电极及该Cu2SnSe3基热电元件的制备工艺，该合金电极为Ti-Ni合金，不仅电导率和热导率高，本发明提供的Ti-Ni合金与Cu2SnSe3基热电材料具有非常接近的热膨胀系数。Cu2SnSe3基热电元件的制备是利用快速热压烧结 (RHPS)技术直接将Cu2SnSe3基热电材料于Ti-Ni合金电极烧制而成，不需要中间过渡连接层。烧结完毕后的电极界面结合非常稳定，且Cu2SnSe3/电极界面无明显的电阻跃迁。该制备工艺简单，非常适用于Cu2SnSe3基热电发电器件的制备，可用于大批量生产制备。
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公开(公告)号：CN106531879B
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201611168970.8
申请日：2016-12-16
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米复合结构的Mg2Ge/Mg3Sb2热电材料及其制备方法，该热电材料由Mg3Sb2基体相和Mg2Ge纳米相构成，其中Mg2Ge纳米相分散在Mg3Sb2基体相中，Mg2Ge的尺寸为10‑20nm。本发明通过熔融、熔体旋甩并结合放电等离子烧结的方法制备热电材料，所得热电材料热电材料属于p型热电材料，增加了声子散射，大大降低了热导率，提高了赛贝克系数，具有较好的热电性能。
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公开(公告)号：CN106684236A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201611155280.9
申请日：2016-12-14
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明涉及一种高性能的Cu2GeTe3热电材料的制备方法。Cu粉、Ge粒、Te粒为原料按照2:1:3化学计量比配称取并混匀得到混合物。将以上混合物利用高温真空熔融法在900‑1000℃反应12‑24小时；分别采用自然随炉冷却、淬火以及淬火后退火处理后获得块锭，对其进行洗涤，烘干处理，在玛瑙研钵中研磨成细粉。对得到的细粉进行放电等离子烧结，得到高性能Cu2GeTe3热电材料。其中采用熔融淬火并退火制备得高性能的Cu2GeTe3热电材料相对传统熔融自然随炉冷却制备得Cu2GeTe3热电材料性能提高了38%。该制备工艺简单，可控性高，成本低，稳定性好等优点，适用于高性能Cu2GeTe3热电材料的制备。
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公开(公告)号：CN105679928B
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201610058234.0
申请日：2016-01-28
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明涉及一种适用于p型Cu2SnSe3基热电材料相匹配的合金电极及该Cu2SnSe3基热电元件的制备工艺，该合金电极为Ti‑Ni合金，不仅电导率和热导率高，本发明提供的Ti‑Ni合金与Cu2SnSe3基热电材料具有非常接近的热膨胀系数。Cu2SnSe3基热电元件的制备是利用快速热压烧结(RHPS)技术直接将Cu2SnSe3基热电材料于Ti‑Ni合金电极烧制而成，不需要中间过渡连接层。烧结完毕后的电极界面结合非常稳定，且Cu2SnSe3/电极界面无明显的电阻跃迁。该制备工艺简单，非常适用于Cu2SnSe3基热电发电器件的制备，可用于大批量生产制备。
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公开(公告)号：CN106531879A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201611168970.8
申请日：2016-12-16
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米复合结构的Mg2Ge/Mg3Sb2热电材料及其制备方法，该热电材料由Mg3Sb2基体相和Mg2Ge纳米相构成，其中Mg2Ge纳米相分散在Mg3Sb2基体相中，Mg2Ge的尺寸为10-20nm。本发明通过熔融、熔体旋甩并结合放电等离子烧结的方法制备热电材料，所得热电材料热电材料属于p型热电材料，增加了声子散射，大大降低了热导率，提高了赛贝克系数，具有较好的热电性能。
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