公开(公告)号：CN105097456B

公开(公告)日：2018-09-11

申请号：CN201510522447.X

申请日：2015-08-24

申请人： 泰科天润半导体科技(北京)有限公司

发明人： 何钧 ,  韩超 ,  田红林 ,  吴海雷 ,  梁卫华 ,  高怡瑞

IPC分类号： H01L21/04 ,  H01L21/02

摘要： 本发明公开一种用于碳化硅器件的自对准方法，包括如下步骤：在晶圆上制备裸露的沟道和沟槽；在沟槽的底部和侧壁以及沟道表面沉积一层第一介质层，且第一介质层的材质中含有干法刻蚀的终点检测指示元素；在第一介质层表面沉积一层第二介质层，以覆盖沟槽的底部和侧壁以及沟道表面；在对应沟槽处的第二介质层表面覆盖光刻胶，以填充沟槽内的空隙，使得光刻胶裸露的表面与对应沟道处的第二介质层表面齐平；采用干法刻蚀去除对应沟道处的第二介质层和第一介质层，使得沟道表面裸露；在裸露的沟道表面形成一层上表面金属电极。所述自对准方法能够避免在第一介质层表面沉积厚度较大的第二介质层；不受化学机械研磨方法或干法刻蚀的专门设备的限制。

公开(公告)号：CN105097456A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201510522447.X

申请日：2015-08-24

申请人： 泰科天润半导体科技(北京)有限公司

发明人： 何钧 ,  韩超 ,  田红林 ,  吴海雷 ,  梁卫华 ,  高怡瑞

IPC分类号： H01L21/04 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L29/66053 ,  H01L21/02 ,  H01L21/04

摘要： 本发明公开一种用于碳化硅器件的自对准方法，包括如下步骤：在晶圆上制备裸露的沟道和沟槽；在沟槽的底部和侧壁以及沟道表面沉积一层第一介质层，且第一介质层的材质中含有干法刻蚀的终点检测指示元素；在第一介质层表面沉积一层第二介质层，以覆盖沟槽的底部和侧壁以及沟道表面；在对应沟槽处的第二介质层表面覆盖光刻胶，以填充沟槽内的空隙，使得光刻胶裸露的表面与对应沟道处的第二介质层表面齐平；采用干法刻蚀去除对应沟道处的第二介质层和第一介质层，使得沟道表面裸露；在裸露的沟道表面形成一层上表面金属电极。所述自对准方法能够避免在第一介质层表面沉积厚度较大的第二介质层；不受化学机械研磨方法或干法刻蚀的专门设备的限制。