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公开(公告)号：CN117577692A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311372246.7
申请日：2023-10-23
Applicant: 河南师范大学
IPC: H01L29/861 , H01L29/04 , H01L29/24 , B82Y30/00
Abstract: 本发明公开了一种具有笼目晶格结构Nb3Cl8单层的超薄PN结二极管整流器，属于纳米尺度电子器件技术领域。本发明的技术方案要点为：一种基于具有笼目晶格结构Nb3Cl8单层的超薄PN结二极管整流器，在具有独特笼目晶格结构的Nb3Cl8单层两端分别进行P型掺杂和N型掺杂构造成PN结结构，该PN结结构置于SiO2衬底上，在PN结结构两端分别施加漏极电极和源极电极构造成PN结二极管结构，当在PN结二极管结构两端电极上分别施加正向偏置电压和反向偏置电压时，该PN结二极管结构表现出整流特性、自旋过滤效应和负微分电阻现象。本发明具有结构超薄、尺寸可调、整流特性显著等优点。
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公开(公告)号：CN115417419A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202211017509.8
申请日：2022-08-24
Applicant: 河南师范大学
IPC: C01B35/04
Abstract: 本发明公开了一种基于笼目结构的MgB3超导体材料，所述MgB3超导体材料是由笼目结构的硼原子层和菱形结构的镁原子层交错堆叠而成的范德华层状材料，该MgB3超导体材料晶格结构信息为：镁原子处于两个笼目结构的硼原子层的六元环的中心位置，晶体空间群为P6/mmm，晶格常数为a=3.465Å，c=3.593Å，B‑B原子键长为1.733Å。本发明所述的基于笼目结构的MgB3超导体材料具有结构简单、质量轻及本征超导转变温度高的特点，是已知的笼目结构超导体中最高的；该基于笼目结构的MgB3超导体材料的超导转变温度可通过外部应力应变微调。
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公开(公告)号：CN112002766A
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN202010889708.2
申请日：2020-08-28
Applicant: 河南师范大学
IPC: H01L29/861 , H01L29/24 , B82Y40/00 , B82Y10/00
Abstract: 本发明公开了一种基于MnBi2Te4单层的纳米尺度PN结二极管整流器，属于纳米尺度电子器件技术领域。本发明的技术方案要点为：一种基于MnBi2Te4单层的纳米尺度PN结二极管整流器，其由MnBi2Te4材料的单层结构构成，该MnBi2Te4材料的单层结构一端进行P型掺杂，另一端进行N型掺杂，构成PN结结构，在PN结结构两端分别施加漏极电极和源极电极，并放置于诸如二氧化硅等衬底上，构成二极管结构，在二极管结构两端分别施加正向偏压和反向偏压时，该二极管结构表现出整流特性。本发明具有结构超薄、尺寸可调、整流效果显著等优良特点。
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公开(公告)号：CN112002760A
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN202010888248.1
申请日：2020-08-28
Applicant: 河南师范大学
Abstract: 本发明公开了一种基于MnBi2Te4单层的纳米尺度场效应晶体管结构，属于纳米尺度电子器件技术领域。本发明的技术方案要点为：一种基于MnBi2Te4单层的纳米尺度场效应晶体管，其由MnBi2Te4材料的单层结构构成；该MnBi2Te4材料的单层结构一端进行P型掺杂，另一端进行N型掺杂，中间区为其本征结构，构成一个PIN结结构；再在PIN结结构两端分别施加漏极电极和源极电极，上下两侧一次施加二氧化硅电介质和栅极，构成场效应晶体管，在场效应晶体管两端分别施加正向偏压和反向偏压时，该场效应晶体管表现出整流特性，进一步通过栅极电压来调控其整流作用。本发明具有结构超薄、尺寸可调、性能优良等优点。
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公开(公告)号：CN117577726A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311372334.7
申请日：2023-10-23
Applicant: 河南师范大学
IPC: H01L31/105 , H01L31/032 , H01L31/18 , B82Y30/00
Abstract: 本发明公开了一种基于ScSI单层的纳米尺度光电传感器，属于纳米尺度电子器件技术领域。本发明的技术方案要点为：一种基于ScSI单层的纳米尺度光电传感器，该光电传感器由ScSI材料的单层结构构成，通过元素替换、施加应力或/和施加电场等方法能够有效调控基于ScSI单层的纳米尺度光电传感器产生光电响应的光子能量区域范围以及光电流密度，实现对不同波段光探测的自由转换，能够用作紫光、蓝光、紫外光等不同光的纳米级探测传感器。本发明具有调控效果明显，易于实施特点，能够应用于纳米级光电传感器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115417419B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202211017509.8
申请日：2022-08-24
Applicant: 河南师范大学
IPC: C01B35/04
Abstract: 本发明公开了一种基于笼目结构的MgB3超导体材料，所述MgB3超导体材料是由笼目结构的硼原子层和菱形结构的镁原子层交错堆叠而成的范德华层状材料，该MgB3超导体材料晶格结构信息为：镁原子处于两个笼目结构的硼原子层的六元环的中心位置，晶体空间群为P6/mmm，晶格常数为a=3.465Å，c=3.593Å，B‑B原子键长为1.733Å。本发明所述的基于笼目结构的MgB3超导体材料具有结构简单、质量轻及本征超导转变温度高的特点，是已知的笼目结构超导体中最高的；该基于笼目结构的MgB3超导体材料的超导转变温度可通过外部应力应变微调。
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公开(公告)号：CN112002760B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202010888248.1
申请日：2020-08-28
Applicant: 河南师范大学
Abstract: 本发明公开了一种基于MnBi2Te4单层的纳米尺度场效应晶体管结构，属于纳米尺度电子器件技术领域。本发明的技术方案要点为：一种基于MnBi2Te4单层的纳米尺度场效应晶体管，其由MnBi2Te4材料的单层结构构成；该MnBi2Te4材料的单层结构一端进行P型掺杂，另一端进行N型掺杂，中间区为其本征结构，构成一个PIN结结构；再在PIN结结构两端分别施加漏极电极和源极电极，上下两侧一次施加二氧化硅电介质和栅极，构成场效应晶体管，在场效应晶体管两端分别施加正向偏压和反向偏压时，该场效应晶体管表现出整流特性，进一步通过栅极电压来调控其整流作用。本发明具有结构超薄、尺寸可调、性能优良等优点。
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公开(公告)号：CN115440825A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202211017513.4
申请日：2022-08-24
Applicant: 河南师范大学
IPC: H01L29/861 , H01L29/06 , H01L29/26 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开了一种基于MoSi2N4单层的纳米二极管器件，该纳米二极管器件是基于MoSi2N4材料的单层结构，在其两端分别进行P型半导体掺杂和N型半导体掺杂，并保留中间区为其本征结构，构造成MoSi2N4单层的PN结结构，并在其两端分别施加漏极（D）电极和源极（S）电极，构造成PN结纳米二极管器件。本发明设计的基于MoSi2N4材料的单层PN结纳米二极管器件呈现出强整流效应，且具有高整流比并表现出强的电各向异性。
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公开(公告)号：CN112002782B
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202010888234.X
申请日：2020-08-28
Applicant: 河南师范大学
IPC: H01L31/105 , H01L31/032 , B82Y20/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种基于MnBi2Te4单层的纳米尺度光电传感器，属于纳米尺度光电器件技术领域。本发明的技术方案要点为：一种基于MnBi2Te4单层的纳米尺度光电传感器，其由MnBi2Te4材料的单层结构构成；该MnBi2Te4材料的单层结构一端进行P型掺杂，中间区为MnBi2Te4单层的本征结构，另一端进行N型掺杂，构造成PIN结结构；将该PIN结结构放置于诸如二氧化硅等衬底上，并在其两端施加漏极电极和源极电极，构造成光电传感器，当在光电传感器中间区域施加可见光照射时，该光电传感器发生相应光电响应。本发明具有结构超薄、尺寸可调、能耗低等优点。
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公开(公告)号：CN112002766B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202010889708.2
申请日：2020-08-28
Applicant: 河南师范大学
IPC: H01L29/861 , H01L29/24 , B82Y40/00 , B82Y10/00
Abstract: 本发明公开了一种基于MnBi2Te4单层的纳米尺度PN结二极管整流器，属于纳米尺度电子器件技术领域。本发明的技术方案要点为：一种基于MnBi2Te4单层的纳米尺度PN结二极管整流器，其由MnBi2Te4材料的单层结构构成，该MnBi2Te4材料的单层结构一端进行P型掺杂，另一端进行N型掺杂，构成PN结结构，在PN结结构两端分别施加漏极电极和源极电极，并放置于诸如二氧化硅等衬底上，构成二极管结构，在二极管结构两端分别施加正向偏压和反向偏压时，该二极管结构表现出整流特性。本发明具有结构超薄、尺寸可调、整流效果显著等优良特点。
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