一种基于笼目结构的MgB3超导体材料

    公开(公告)号:CN115417419A

    公开(公告)日:2022-12-02

    申请号:CN202211017509.8

    申请日:2022-08-24

    Abstract: 本发明公开了一种基于笼目结构的MgB3超导体材料,所述MgB3超导体材料是由笼目结构的硼原子层和菱形结构的镁原子层交错堆叠而成的范德华层状材料,该MgB3超导体材料晶格结构信息为:镁原子处于两个笼目结构的硼原子层的六元环的中心位置,晶体空间群为P6/mmm,晶格常数为a=3.465Å,c=3.593Å,B‑B原子键长为1.733Å。本发明所述的基于笼目结构的MgB3超导体材料具有结构简单、质量轻及本征超导转变温度高的特点,是已知的笼目结构超导体中最高的;该基于笼目结构的MgB3超导体材料的超导转变温度可通过外部应力应变微调。

    一种高强度立方织构NiW合金复合基带及其制备方法

    公开(公告)号:CN103498121A

    公开(公告)日:2014-01-08

    申请号:CN201310423870.5

    申请日:2013-09-17

    Abstract: 本发明公开了一种高强度立方织构NiW合金复合基带及其制备方法。本发明的技术方案要点为:一种高强度立方织构NiW合金复合基带,由外层和芯层复合而成,所述的复合基带外层是初始材料为采用真空感应熔炼获得的W原子百分含量为6%~7%的NiW合金,所述的复合基带芯层是初始材料为采用真空感应熔炼获得的W原子百分含量为9%的NiW合金。本发明还公开了该高强度立方织构NiW合金复合基带的制备方法。本发明制得的NiW合金复合基带界面结合良好,具有强立方织构和高的机械强度。

    一种无磁性、高强度的织构Cu基三元合金基带的制备方法

    公开(公告)号:CN103421985A

    公开(公告)日:2013-12-04

    申请号:CN201310412582.X

    申请日:2013-09-11

    Abstract: 本发明公开了一种无磁性、高强度的织构铜Cu基三元合金基带的制备方法,将铜Cu块及镍Ni块采用真空感应熔炼,获得CuNi二元合金铸锭,其中铜Cu的原子百分比为54%~60%,然后将Cu-Ni铸锭与矾V块置于电磁感应真空熔炼炉中熔炼获得Cu-Ni-V三元合金铸锭,矾V的原子百分含量为4%~9%;随后在850~950℃保温1~2h后热锻及热轧成坯锭,对热轧后的坯锭进行冷轧处理;最后将冷轧基带在Ar/H2混合气体保护下采用再结晶热处理,以10~15℃/min的升温速率升温至1000℃~1050℃保温30~60min。所得织构铜Cu基三元合金基带具有高的机械强度及锐利的立方织构,并且在液氮温区没有磁性。

    一种制备铜锌锡硫粉体的方法

    公开(公告)号:CN103373741A

    公开(公告)日:2013-10-30

    申请号:CN201210118674.2

    申请日:2012-04-13

    Abstract: 一种制备铜锌锡硫粉体的方法,属于光伏材料技术领域,其特点是包括以下步骤:将硫化亚铜、硫化锌、锡粉和硫粉混合均匀,在惰性保护气氛下密封加热,等所得样品冷却后,取出研磨得到铜锌锡硫粉体。本发明所提供的制备铜锌锡硫粉体的方法还具有设备需求低、工艺流程简单、原材料便宜、热处理温度低、适合大规模工业生产等特点,所制备的铜锌锡硫粉体可以压制成各种规格的块材或靶材,在太阳能电池科研和生产领域具有很大的应用前景。

    一种压片用的模板
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102529147A

    公开(公告)日:2012-07-04

    申请号:CN201010587364.6

    申请日:2010-12-09

    Abstract: 本发明目的在于提供一种压片用的模板,使用该模板可以在一个模具基础上压制不同形状、不同规格的块体,达到拓宽模具使用范围的目的。其特征是当需要压制不同形状、不同尺寸的块体时,不需要定制特定的模具,在原有的模具基础上,再定制一块特定的模板就可以满足要求,因此实现了定制周期短、成本低、携带方便等特点。所发明的模板在粉体材料压片、靶材的制备等领域具有很大的应用价值。

    OLED显示的像素点的器件结构及其驱动和制备方法

    公开(公告)号:CN105070742B

    公开(公告)日:2018-03-20

    申请号:CN201510570417.6

    申请日:2015-09-09

    Abstract: 本发明公开了一种OLED显示的像素点的器件结构及其驱动和制备方法,器件结构:包括第一正向OLED、反转OLED、电荷产生层和第二正向OLED;所述第一正向OLED依次连接反转OLED、电荷产生层和第二正向OLED。单像素点的结构实现单像素点独立发红蓝绿三基色光及三基色复合光的设计,相比现在的OLED、LCD显示画面的像素分辨率更高可比拟第一代CRT显示的分辨率、颜色更绚丽更多彩;本发明的OLED显示像素的结构及驱动方法,相比现在AMOLED方式的OLED显示像素结构,驱动TFT结构相对简单,可节约TFT相关的成本;本发明的OLED显示各个像素点的结构都相同的制备工艺,相比AMOLED红蓝绿三基色并列分布的制备工艺简单,可以提高生产过程的良品率等,有效的降低成本。

    一种量子点敏化太阳能电池的TiO2光阳极及其制备方法

    公开(公告)号:CN106783183A

    公开(公告)日:2017-05-31

    申请号:CN201611018737.1

    申请日:2016-11-21

    CPC classification number: H01G9/2031

    Abstract: 本发明公开了一种用于量子点敏化太阳能电池的微纳复合孔隙结构TiO2电极及其制备方法。其步骤为:(1)合成聚苯乙烯(PS)微球并分散于乙醇中;(2)将PS微球乙醇悬浊液加入到TiO2浆料中;(3)将TiO2‑PS浆料涂覆在FTO导电玻璃表面,高温烧结去除PS球后形成微纳复合孔隙结构TiO2光阳极。本发明制备的TiO2光阳极有利于胶体量子点在其中的均匀沉积;同时这种光阳极对入射光具有较强的漫反射能力,可以提高量子点对太阳光的吸收率。与传统介孔TiO2纳米晶光阳极相比,基于本发明制备的胶体CdSe量子点敏化电池光电转换效率提高了70%。

    一种无磁性、高强度织构Ni-W合金基带的制备方法

    公开(公告)号:CN103938031A

    公开(公告)日:2014-07-23

    申请号:CN201410183933.9

    申请日:2014-05-05

    Abstract: 本发明公开了一种无磁性、高强度织构Ni-W合金基带的制备方法。本发明采用真空感应熔炼获得Ni-9.6at.%W合金铸锭,对铸锭进行热锻及热轧,通过一道次的冷轧再结合喷丸处理去掉热轧坯料表面的氧化皮;通过一定变形量的温轧、冷轧以及在冷轧过程中引入两次去应力退火并在冷轧过程中进行纵向剪切带材的裂边;最后通过连续再结晶热处理成功获得了无磁性、高强度、强立方织构的百米级Ni-9.6at.%W合金基带,为实现第二代高温超导体的工业化生产奠定了良好的基础。

    一种无磁性、高强度织构Cu基合金复合基带及其制备方法

    公开(公告)号:CN103496205A

    公开(公告)日:2014-01-08

    申请号:CN201310423794.8

    申请日:2013-09-17

    Abstract: 本发明公开了一种无磁性、高强度织构Cu基合金复合基带及其制备方法。本发明的技术方案要点为:一种无磁性、高强度织构Cu基合金复合基带,主要由初始原料为采用真空感应熔炼获得的Ni重量百分含量小于50%的CuNi合金外层和初始原料为采用真空感应熔炼获得的W原子百分含量为9%-12%的NiW合金芯层通过放电等离子烧结技术复合而成,所述的CuNi合金外层与NiW合金芯层之间设有由银粉构成的连接层。本发明还公开了该无磁性、高强度织构Cu基合金复合基带的制备方法。本发明的Cu基合金复合基带界面结合良好,具有强立方织构,在液氮温区无铁磁性并且具有较高的机械强度。

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