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公开(公告)号：CN113184801B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202110466336.7
申请日：2021-04-28
Applicant: 河南大学
IPC: B81C1/00 , H01L21/329 , B82Y40/00
Abstract: 本发明涉及一种基于冲量差颗粒脱附的微纳结构与器件直写方法，包括：在衬底上固定材料源；将所述衬底和材料源放入电子束设备；对所述电子束设备进行抽真空处理；控制电子束斜入射到所述材料源表面；控制所述电子束以光栅式振荡扫描场做空间扫描，并按照预定的结构形状逐步移动，直至得到完整的微纳结构。本发明能够提高微纳结构构筑效率。
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公开(公告)号：CN112599419A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN202011489384.X
申请日：2020-12-16
Applicant: 河南大学
IPC: H01L21/34 , H01L29/775 , H01L29/872 , B82Y10/00
Abstract: 本发明公开了一种微纳半导体器件的打印式构筑方法：(1)在衬底上沉积材料源和栅极金属材料；(2)在材料源表面施加纳米级的强电场，并控制强电场进行移动，强电场附近的材料源在焦点强场效应及小团簇自身属性作用下，会在沿强电场空间运动轨迹上，形成相应的稳定纳米结构；(3)根据需要构筑的微纳半导体器件的形状重复步骤(2)，使强电场诱导生长的纳米结构空间接触，形成异质结或同质结；(4)在异质结或同质结上沉积栅极电介质材料；(5)在栅极金属材料表面施加强电场，并控制强电场进行移动，在沿强电场空间运动轨迹上形成与栅极电介质材料接触的栅极电极结构；(6)沉积电极。本发明降低了3D微纳结构器件的构筑成本。
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公开(公告)号：CN113184801A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202110466336.7
申请日：2021-04-28
Applicant: 河南大学
IPC: B81C1/00 , H01L21/329 , B82Y40/00
Abstract: 本发明涉及一种基于冲量差颗粒脱附的微纳结构与器件直写方法，包括：在衬底上固定材料源；将所述衬底和材料源放入电子束设备；对所述电子束设备进行抽真空处理；控制电子束斜入射到所述材料源表面；控制所述电子束以光栅式振荡扫描场做空间扫描，并按照预定的结构形状逐步移动，直至得到完整的微纳结构。本发明能够提高微纳结构构筑效率。
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公开(公告)号：CN112599419B
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202011489384.X
申请日：2020-12-16
Applicant: 河南大学
IPC: H01L21/34 , H01L29/775 , H01L29/872 , B82Y10/00
Abstract: 本发明公开了一种微纳半导体器件的打印式构筑方法：(1)在衬底上沉积材料源和栅极金属材料；(2)在材料源表面施加纳米级的强电场，并控制强电场进行移动，强电场附近的材料源在焦点强场效应及小团簇自身属性作用下，会在沿强电场空间运动轨迹上，形成相应的稳定纳米结构；(3)根据需要构筑的微纳半导体器件的形状重复步骤(2)，使强电场诱导生长的纳米结构空间接触，形成异质结或同质结；(4)在异质结或同质结上沉积栅极电介质材料；(5)在栅极金属材料表面施加强电场，并控制强电场进行移动，在沿强电场空间运动轨迹上形成与栅极电介质材料接触的栅极电极结构；(6)沉积电极。本发明降低了3D微纳结构器件的构筑成本。
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公开(公告)号：CN115101398A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202210704210.3
申请日：2022-06-21
Applicant: 河南大学
IPC: H01J37/302 , H01J37/317 , B82Y40/00
Abstract: 本发明涉及微纳米技术领域，特别是涉及一种基于空间电势限域的3D微纳结构直写系统，包括：模型构建模块，基于待构筑微纳结构的形态和特点，构建3D结构模型，并生成数字控制信号及直写过程中电子束的驻留时间和扫描速率；数模转换模块，对数字控制信号进行数模转换和放大，得到模拟控制信号；工作台模块，用于承载待写材料，并调整待写材料的角度；电子束模块，用于发射电子束并聚焦在待写材料的上方，并控制电子束的焦点按照设定路径进行扫描，对待写材料进行直写，得到待构筑微纳结构；束闸模块，进行打开和关闭，以控制电子束是否聚焦在待写材料的上方。本发明能够灵活便捷、低成本地实现微纳结构及纳米器件的直写构筑，材料普适性宽。
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