公开(公告)号：CN117364054A

公开(公告)日：2024-01-09

申请号：CN202311321949.7

申请日：2023-10-13

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 李栋婵 ,  窦富良 ,  李军 ,  冯志红 ,  李诚达 ,  张伟

IPC: C23C16/26 ,  C23C16/44 ,  C23C16/01 ,  C30B25/18 ,  C30B29/02 ,  C01B32/186

Abstract: 本发明为一种化学气相沉积法制备少层大面积石墨烯及其转移的方法。该方法包括如下步骤：管式炉中放入铜箔，在混合气氛下，将温度升高到1100℃～1200℃下退火，并保持温度退火30～40min，使铜箔为熔融态；保持气氛和温度下，向管式炉通入CH4气体10～90min；然后将CH4气体关闭，自然冷却至室温，在铜箔衬底上可获得的少层石墨烯薄膜。本发明制备得到的石墨烯单晶，并由拉曼光谱测得几乎无缺陷峰，证明生长的石墨烯具有较高的结晶质量和较高的应用价值。

公开(公告)号：CN116926679A

公开(公告)日：2023-10-24

申请号：CN202310938576.1

申请日：2023-07-28

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 张伟 ,  窦富良 ,  李栋婵 ,  李军 ,  李诚达

IPC: C30B29/46 ,  C30B25/02 ,  C30B33/00

Abstract: 本发明为一种化学气相沉积生长多层二硒化钨单晶薄膜的方法。该方法在以硒粉、三氧化钨为前驱体的基础之上加入氯化钠作为辅助生长剂，采用双温区加热可以控制硒粉、三氧化钨与氯化钠混合物各自的温度，制备大面积多层的硒化钨单晶薄膜；同时提供了一种硒化钨薄膜转移的方法，通过湿法转移技术，将二硒化钨薄膜从基底上面剥离下来，转移到更适合特定应用的基底上。本发明生长的硒化钨晶体具有高质量和均匀性，可以实现对硒化钨的形貌和尺寸、材料纯度和成分的控制；转移工艺简单且质量好。