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公开(公告)号：CN110165012A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201910574152.5
申请日：2019-06-28
Applicant: 河北工业大学
IPC: H01L31/103 , H01L31/0236
Abstract: 本发明为一种具有弧形增透作用的光电探测器结构及其制备方法。该结构沿着外延生长方向依次包括衬底、P型重掺杂材料层、N型轻掺杂材料层、N型过渡材料层、N型轻掺杂材料层、N型重掺杂材料层和N型欧姆电极；P型欧姆电极位于N型轻掺杂材料层外侧的P型重掺杂材料层上；其中，N型欧姆电极为圆环状，位于N型重掺杂材料层的外缘，其中间显露的N型重掺杂材料层为光敏区，厚度为0.1～1μm，所述的光敏区的上表面含有弧形结构，所述的弧形结构为弧形、叠弧形或凹凸形。本发明制备方法简单，可操作性强，成本低，而且在进一步增强透光率的同时，也会使入射到器件内部的光分布的更加均匀，降低器件自热效应，改善量子效率。
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公开(公告)号：CN117364054A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311321949.7
申请日：2023-10-13
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明为一种化学气相沉积法制备少层大面积石墨烯及其转移的方法。该方法包括如下步骤：管式炉中放入铜箔，在混合气氛下，将温度升高到1100℃～1200℃下退火，并保持温度退火30～40min，使铜箔为熔融态；保持气氛和温度下，向管式炉通入CH4气体10～90min；然后将CH4气体关闭，自然冷却至室温，在铜箔衬底上可获得的少层石墨烯薄膜。本发明制备得到的石墨烯单晶，并由拉曼光谱测得几乎无缺陷峰，证明生长的石墨烯具有较高的结晶质量和较高的应用价值。
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公开(公告)号：CN209880636U
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201920993742.7
申请日：2019-06-28
Applicant: 河北工业大学 , 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L31/103 , H01L31/0236
Abstract: 本实用新型为一种具有弧形增透作用的光电探测器结构。该结构沿着外延生长方向依次包括衬底、P型重掺杂材料层、N型轻掺杂材料层、N型过渡材料层、N型轻掺杂材料层、N型重掺杂材料层和N型欧姆电极；P型欧姆电极位于N型轻掺杂材料层外侧的P型重掺杂材料层上；其中，N型欧姆电极为圆环状，位于N型重掺杂材料层的外缘，其中间显露的N型重掺杂材料层为光敏区，厚度为0.1～1μm，所述的光敏区的上表面含有弧形结构，所述的弧形结构为弧形、叠弧形或凹凸形。本实用新型制备方法简单，可操作性强，成本低，而且在进一步增强透光率的同时，降低器件自热效应，改善量子效率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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