含脂环基的聚N-取代降冰片烯酰亚胺及其制备方法

    公开(公告)号:CN101050254A

    公开(公告)日:2007-10-10

    申请号:CN200710057398.2

    申请日:2007-05-21

    Abstract: 本发明含脂环基的聚N-取代降冰片烯酰亚胺及其制备方法,涉及酰亚胺共聚物,其具有如右的化学结构式,式中,R为脂环基。其制备方法是,将Pd配合物I或Pd配合物II与降冰片烯酰亚胺单体放入事先经过干燥充满氮气的反应器中,Pd配合物I或Pd配合物II与降冰片烯酰亚胺单体的摩尔比为1∶50~1000,然后加入反应溶剂,进行反应。本发明的含脂环基的聚N-取代降冰片烯酰亚胺,是一种介电常数小于2.5的低介电常数材料,可以用作集成电路的电介质和线路基板,也可以用于集成电路中金属线间和多层部线层间绝缘层;本发明含脂环基的聚N-取代降冰片烯酰亚胺的制备方法,在0.5小时就可以使单体的转化率达到90%,单体与催化剂的摩尔比值较大,容易提纯聚合物。

    含脂环基的聚N-取代降冰片烯酰亚胺及其制备方法

    公开(公告)号:CN100545180C

    公开(公告)日:2009-09-30

    申请号:CN200710057398.2

    申请日:2007-05-21

    Abstract: 本发明含脂环基的聚N-取代降冰片烯酰亚胺及其制备方法,涉及酰亚胺共聚物,其具有如下的化学结构式:式中,R为脂环基。其制备方法是,将Pd配合物I或Pd配合物II与N-脂环基降冰片烯酰亚胺单体放入事先经过干燥充满氮气的反应器中,Pd配合物I或Pd配合物II与N-脂环基降冰片烯酰亚胺单体的摩尔比为1∶50~1000,然后加入反应溶剂,进行反应。本发明的含脂环基的聚N-取代降冰片烯酰亚胺,是一种介电常数小于2.5的低介电常数材料,可以用作集成电路的电介质和线路基板,也可以用于集成电路中金属线间和多层部线层间绝缘层;采用本发明方法,在0.5小时就可以使单体的转化率达到90%,单体与催化剂的摩尔比值较大,容易提纯聚合物。

Patent Agency Ranking