公开(公告)号：CN117935555A

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202410118360.5

申请日：2024-01-29

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 王志忠 ,  张平 ,  郑海飞 ,  张锡洋 ,  吴金广 ,  黄天博 ,  顾军华

IPC: G08G1/01 ,  G06N3/0442 ,  G06N3/0464 ,  G06N3/049 ,  G06N3/084

Abstract: 本发明公开一种基于双向GRU超图卷积模型的交通流量预测方法，该方法使用基于协方差的动态邻接矩阵替代实际情况下的节点之间的邻接矩阵，并且分别从路网动态邻接矩阵和其对应的超图这两个角度提取道路历史数据中节点的空间相关性和异构性，有效的提升模型的预测准确率。采用交通预测网络模型通过历史交通数据及其路网动态邻接矩阵和其对应的超图对目标路段的适配的网络参数进行训练，获取目标路段待预测时刻之前一定时长的交通数据，结合训练好的交通预测网络模型，得到目标路段目标时段的交通预测数据。本发明方法从全局角度捕捉功能空间相关性和从局部角度捕捉时变空间相关性，提高交通预测精度。

公开(公告)号：CN119947141A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202510103869.7

申请日：2025-01-23

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 张紫辉 ,  王志忠 ,  张勇辉

IPC: H10D8/60 ,  H10D62/10

Abstract: 本发明为一种具有部分n+‑GaN盖帽层的AlGaN/GaN异质结肖特基二极管结构。二极管从下到上依次为：衬底、缓冲层、GaN沟道层；AlGaN势垒层位于GaN沟道层上中部，AlGaN势垒层上表面的右侧为n+‑GaN盖帽层；低k介质保护层覆盖在AlGaN势垒层左侧和n+‑GaN盖帽层上，呈二阶阶梯状；低k介质保护层上覆盖有高k介质层；肖特基接触金属覆盖在GaN沟道层左侧以及高k介质层的上表面的左侧，欧姆接触金属覆盖在GaN沟道层右侧部分以及高k介质层的上表面的右侧。本发明得到的二极管结构具有优异的正向导通特性和反向特性。