公开(公告)号：CN107641837B

公开(公告)日：2020-06-16

申请号：CN201710827866.3

申请日：2017-09-14

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 肖武坤 ,  刘巍 ,  张辉 ,  罗文博 ,  解新建 ,  张雪囡 ,  陈贵锋

IPC: C30B33/02

Abstract: 本发明公开了一种恢复NTD区熔单晶硅真实电阻率的退火方法，包括如下步骤：A、对中子辐照掺杂后的区熔硅单晶进行腐蚀清洗表面；B、将清洗干净的硅单晶进行表面钝化处理；C、将钝化处理后的硅单晶装进通入氮气氛围的退火炉石英管中，进行较快速率的退火处理；D、关闭氮气流量阀，开启氧气流量阀，对单晶进行退火处理；E、关闭氧气流量阀，从石英管中取出硅单晶，酸洗去除氧化层，再喷砂测试单晶电阻率及少子寿命。通过本发明方法退火后的NTD区熔硅单晶，可以有效的反应出电阻率的真实值，并且经过多次退火，单晶电阻率不会发生较明显的改变，并且单晶的少子寿命得到明显的提高。

公开(公告)号：CN109378219B

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN201811200267.X

申请日：2018-10-15

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 陈贵锋 ,  刘巍 ,  马苗苗 ,  张辉 ,  解新建 ,  李媛 ,  陶俊光 ,  刘国栋

IPC: H01G9/20 ,  H01G9/00

Abstract: 本发明公开了一种用于人工光合作用的氮化镓基器件，自下而上有金属衬底(Cu、In、Sn、Ag、Au、Pb、Cd等)、n+‑GaN、InGaN层、其制备步骤如下：在n型重掺的GaN层上利用分子束外延技术生长InGaN层，再将获得的GaN基外延片用物理或者化学方法(如键合、倒装焊、导电胶等)与金属衬底上粘合在一起，使得GaN基电池中的电子可以顺利导入到金属基板上，获得用于人工光合作用的氮化镓器件。本发明的氮化镓器件具有吸收系数高、电子空穴分离效率高、电流均匀性好的优点，可作为光阳极材料用于人工光合作用中，对减少二氧化碳排放以及新能源的开发利用具有非常重要意义。