公开(公告)号：CN115678437B

公开(公告)日：2024-02-27

申请号：CN202211380516.4

申请日：2022-11-04

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 张保国 ,  吴鹏飞 ,  王也 ,  刘世桐 ,  咸文豪 ,  崔德兴 ,  刘敏

IPC: C09G1/02 ,  H01L21/321

Abstract: 本发明为一种基于双氧水体系弱酸性的钼阻挡层化学机械抛光液及其制备方法。该抛光液包括下述组分：纳米级二氧化硅溶胶固体浓度为1.0～10.0wt％；过氧化氢浓度为0.3～5.0wt％；唑类缓蚀剂的浓度为50～500ppm，余量为水，pH值为2.0‑10.0；所述唑类缓蚀剂为2，2'‑{[(甲基‑1H‑苯并三唑‑1‑基)甲基]亚氨基}双乙醇(TT‑LYK)。本发明的低技术节点铜互连钼阻挡层酸性抛光液具有钼阻挡层材料去除速率慢()和静态腐蚀速率慢( 低于 )且成本低廉、使用安全的特点。

公开(公告)号：CN118835250A

公开(公告)日：2024-10-25

申请号：CN202410992866.9

申请日：2024-07-24

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 张保国 ,  王义军 ,  秦思慧 ,  刘扬 ,  刘世桐 ,  咸文豪

IPC: C23F3/06 ,  C09G1/02 ,  H01L21/321

Abstract: 本发明为一种低去除速率铜布线钼阻挡层化学机械抛光液及其制备方法。该抛光液包括下述组分：氧化剂浓度为2.9～3.1mM，抑制剂总浓度为59.7～90.3mM，纳米级二氧化硅固体浓度为0.6～1.8wt.％，额外添加剂浓度为9.9～20.1mM，pH调节剂，pH为3.9～4.1，余量为水；所述氧化剂为碘酸钾(KIO3)；所述抑制剂为2，2'‑{[(甲基‑1H‑苯并三唑‑1‑基)甲基]亚氨基}双乙醇(TT‑LYK)、L‑组氨酸(L‑Histidine)和醋酸铈(Ce(Ac)3)。本发明是低技术节点下铜互连钼阻挡层酸性抛光液，抛光液具有静态腐蚀速率低#imgabs0#电偶腐蚀差小(低于20mV),且可以在低去除速率的条件下，实现钼、铜和TEOS去除速率可调控的特点。

公开(公告)号：CN117070148A

公开(公告)日：2023-11-17

申请号：CN202311056966.2

申请日：2023-08-21

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 刘敏 ,  张保国 ,  咸文豪 ,  崔德兴 ,  刘世桐

IPC: C09G1/02 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明为基于乙酸‑乙酸铵缓冲液体系的高稳定性二氧化铈抛光液。该抛光液包括下述组分：纳米级二氧化铈浓度为1.0wt％～3.0wt％；乙酸浓度为0.1wt％～0.5wt％，乙酸铵浓度为0.05wt％～0.1wt％，余量为水；pH值为3.5～5.0。本发明的抛光液的分散性能、抛光速率和稳定性均有明显改善，大大提高了抛光液的品质和性能。

公开(公告)号：CN115678437A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202211380516.4

申请日：2022-11-04

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 张保国 ,  吴鹏飞 ,  王也 ,  刘世桐 ,  咸文豪 ,  崔德兴 ,  刘敏

IPC: C09G1/02 ,  H01L21/321

Abstract: 本发明为一种基于双氧水体系弱酸性的钼阻挡层化学机械抛光液及其制备方法。该抛光液包括下述组分：纳米级二氧化硅溶胶固体浓度为1.0～10.0wt％；过氧化氢浓度为0.3～5.0wt％；唑类缓蚀剂的浓度为50～500ppm，余量为水，pH值为2.0‑10.0；所述唑类缓蚀剂为2，2'‑{[(甲基‑1H‑苯并三唑‑1‑基)甲基]亚氨基}双乙醇(TT‑LYK)。本发明的低技术节点铜互连钼阻挡层酸性抛光液具有钼阻挡层材料去除速率慢()和静态腐蚀速率慢(低于)且成本低廉、使用安全的特点。