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公开(公告)号：CN117894882A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202410295789.1
申请日：2024-03-15
申请人： 河北大学
摘要： 本发明提供了一种用于硒化锑太阳电池异质结的光退火装置及方法。所述装置包括一个真空腔体，在真空腔体内设有一个样品台，所述样品台设有监测温度的温度计；所述真空腔体两侧设有真空抽气口和进气管路，进气管路配备充气阀；在真空腔体上方设有光源组件。本发明中光退火装置应用于Sb2Se3/CdS异质结上，通过真空腔体上方的光源组件在氩气氛围下进行光退火处理，然后再制备窗口层、顶电极。通过异质结光退火处理，减少了异质结界面的界面缺陷密度和体缺陷密度，促进了光生载流子的传输、收集，使太阳电池在长波段(600nm‑1100nm)内的外量子效率大幅提高，提升了短路电流，进而提升了硒化锑薄膜太阳电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN110819958A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201911186536.6
申请日：2019-11-28
申请人： 河北大学
IPC分类号： C23C14/35 , C23C14/18 , C23C14/24 , C23C14/06 , C23C14/54 , H01L31/032 , H01L31/072 , H01L31/18
摘要： 本发明提供了一种改变硒化锑薄膜电学性质的方法及硒化锑太阳电池，所述方法为通过磁控溅射法或热蒸发镀膜法在衬底上沉积一层金属层，然后利用近空间升华法在所述金属层上进行硒化锑的沉积，在沉积硒化锑时，调控衬底的温度在250~450℃，使金属层中的金属元素向硒化锑层扩散，从而形成硒化锑合金薄膜，实现对硒化锑薄膜电学性质的优化。本发明在薄膜沉积过程中，通过调控衬底温度，来制得结晶情况更优、缺陷密度更小、载流子浓度高的硒化锑合金薄膜，且该工艺方法操作简单，条件可控，其电学性质可调，适宜进一步推广与应用。
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公开(公告)号：CN106531825A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201610936514.7
申请日：2016-10-25
申请人： 河北大学
IPC分类号： H01L31/032 , C01B19/00
CPC分类号： H01L31/032 , C01B19/002
摘要： 本发明公开了一种用于太阳能电池光吸收层的铜锑硒薄膜的制备方法，包括：按预制铜锑硒薄膜的铜锑硒化合物的摩尔比组成称取含有铜源、锑源和硒源的化合物原料，加入到二元混合溶剂中，搅拌，完全溶解，再加入醇类有机溶剂，搅拌均匀，涂抹于电极基板上，干燥，多次涂抹、干燥，在电极基板上沉积了前驱体薄膜；再置于惰性气体或含硒源的气氛中，加热，即得。本发明避免使用了有毒有害的溶剂，可以精准把握铜、锑、硒元素的沉积比例，且制备的薄膜的结晶性能好、均匀性和稳定性好，膜的厚度大，光电转换效率高，成膜温度低，工艺简单，易操作，重复性好，成本低，易于制备大面积高质量的薄膜，在太阳能电池工业中具有非常广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN103278474B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201310163892.2
申请日：2013-05-06
申请人： 河北大学
IPC分类号： G01N21/41
摘要： 本发明公开了一种玻璃折射率的测量方法，其特征在于，它包括以下步骤：①向玻璃组分内添加摩尔分数为0.01-0.1%的硝酸银,再经熔融退火制得玻璃样品a；②所述玻璃样品a经400-500℃退火0.5-1小时,得含银纳米粒子的玻璃样品b；③测试玻璃样品b的吸收光谱，即得到表面等离子体振荡波长λr；④利用下式计算待测玻璃样品的折射率n，其中λp为银纳米粒子等离子体振荡波长，。本发明突破了现有技术中玻璃折射率测试方法中所要求的尺寸要至少大于2cm×2cm（长×宽）且表面平整才能进行测试的条件限制，可以测试任何形状和大小的玻璃样品，且测试误差小于1%。
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公开(公告)号：CN103131412A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201310051102.1
申请日：2013-02-05
申请人： 河北大学
CPC分类号： Y02W10/37
摘要： 本发明公开了一种可见-紫外上转换发光材料BaGd2ZnO5:Er3+，其主体成分为在钡、钆、锌的氧化物中掺加稀土元素铒制得，各元素的摩尔比为钡:钆:锌:铒:氧=1:1.98:1:0.02:5。上述可见-紫外上转换发光材料可以采用液相溶胶凝胶法制备，得到纳米级粉末产品；或者采用固相法，得到微米级粉末产品。纳米级材料制备成水溶性的粒子用于处理水体细菌；固相法或溶胶凝胶法制备的材料涂覆在透明器物内表面，用于器物内部杀菌。本发明针对254nm汞灯穿透能力差，只能处理浅表细菌的缺点，提供了一种在蓝光LED激发下即可产生紫外(UVC)光的上转换发光材料，用于透明容器内部的杀菌或水体的消毒。
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公开(公告)号：CN118051818A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202410183505.X
申请日：2024-02-19
申请人： 河北大学
IPC分类号： G06F18/241 , G06F18/10 , G06F18/213 , G06F18/2113 , G06N3/0442 , G06N3/082 , G06N20/00
摘要： 本发明公开了基于联邦学习和行为分析的物联网设备识别方法，S1.建立联邦学习框架；S2.获取第一原始流量数据，对第一原始流量数据进行预处理；S3.将预处理后的第一原始流量数据转换为数据集，对数据集进行特征提取；S4.根据周期特征和协议特征构造出第一原始流量数据对应的指纹矩阵；S5.将第一原始流量数据对应的指纹矩阵输入LSTM，得到本地模型；S6.获取第二原始流量数据，对第二原始流量数据依次进行预处理、转换为数据集和特征提取，构造出第二原始流量数据对应的指纹矩阵，将指纹矩阵输入本地模型进行识别得到识别结果，并根据识别结果对本地模型进行更新。本发明将联邦学习、周期性特征提取和LSTM算法的结合提供一个鲁棒性和适应性强的设备识别方法。
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公开(公告)号：CN115528175A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202211166918.4
申请日：2022-09-23
申请人： 河北大学
摘要： 本发明提供了一种基于硒化锑纳米棒阵列和N2200的有机无机异质结光电器件及其制备方法。具体是：本发明提供了一种新型的N2200/Sb2Se3NRAs有机无机异质结，通过旋涂工艺，在硒化锑纳米棒阵列上旋涂一层N2200，形成了N2200/Sb2Se3NRAs异质结。N2200的制备方法是在通过手套箱里进行旋涂而制成，硒化锑纳米棒阵列可通过近空间升华工艺制备而成。本发明通过构建一种有机无机杂化异质结，制备出了太阳能电池，同时，基于该结构的光电探测器在可见和红外波段具有超高的响应度和探测度，具有潜在的应用价值。
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公开(公告)号：CN108123000B
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN201711293672.6
申请日：2017-12-08
申请人： 河北大学
IPC分类号： H01L31/032 , H01L31/0216 , H01L31/18 , B82Y30/00 , B82Y40/00
摘要： 本发明提供了一种纳米棒型硒化锑太阳电池及其制备方法。所述纳米棒型硒化锑太阳电池的结构包括位于钼电极层上沿（001）方向生长的纳米棒型硒化锑层；所述硒化锑层是通过近空间升华设备快速沉积而形成，所用源是硒化锑粉末。本发明首次实现了具有（001）高取向的垂直的纳米棒状的硒化锑，该结构的硒化锑对于电流的传输非常有利，可以有效提高太阳电池的传输电流，从而有效的提高器件的光电转换效率。使用近空间设备升华设备制备的硒化锑纳米棒不需要很高的真空度及很高的温度，其设备简易，制备过程简单，适用于工业化生产，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN106531825B
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201610936514.7
申请日：2016-10-25
申请人： 河北大学
IPC分类号： H01L31/032 , C01B19/00
摘要： 本发明公开了一种用于太阳能电池光吸收层的铜锑硒薄膜的制备方法，包括：按预制铜锑硒薄膜的铜锑硒化合物的摩尔比组成称取含有铜源、锑源和硒源的化合物原料，加入到二元混合溶剂中，搅拌，完全溶解，再加入醇类有机溶剂，搅拌均匀，涂抹于电极基板上，干燥，多次涂抹、干燥，在电极基板上沉积了前驱体薄膜；再置于惰性气体或含硒源的气氛中，加热，即得。本发明避免使用了有毒有害的溶剂，可以精准把握铜、锑、硒元素的沉积比例，且制备的薄膜的结晶性能好、均匀性和稳定性好，膜的厚度大，光电转换效率高，成膜温度低，工艺简单，易操作，重复性好，成本低，易于制备大面积高质量的薄膜，在太阳能电池工业中具有非常广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN103146386B
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201310082631.8
申请日：2013-03-15
申请人： 河北大学
IPC分类号： C09K11/79
摘要： 本发明公开了一种铕掺杂镧系硅氧氮化合物，其化学通式为：La5-5xEu5xSi3O12N，其中0＜x＜0.25。其制备方法：（a）按照化学式La5-5xEu5xSi3O12N(0＜x＜0.25)的摩尔配比称量原料：三氧化二镧、二氧化硅、氮化硅、三氧化二铕；（b）将原料球磨后压片；（c）将压片置于高温炉中，在氮氢气氛下，将炉温升至1000～1250℃，烧结3～10h；（d）关掉氢气源，在充入氮气的环境下，高温炉的气压维持在0.5～1MPa下，炉温升至1450～1550℃，将压片继续烧结3～10h；（e）通气使炉内压强降为常压，在氮氢的混合气氛流通下，使高温炉自然降至室温，取出样片，研磨，即得荧光材料。本发明制备的荧光材料物理化学性质稳定、发光性能便于控制、制备方法简单、对环境无污染，适于工业化大规模生产。
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