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公开(公告)号:CN118536236A
公开(公告)日:2024-08-23
申请号:CN202410851539.1
申请日:2024-06-28
申请人: 沈阳富创精密设备股份有限公司
IPC分类号: G06F30/17 , G06F30/20 , G06F119/08 , G06F119/06
摘要: 本发明提出了一种新型的晶圆加热器的一维计算模型,包括三个输入参数,分别是加热功率、加热盘直径、加热器直径,三个参数输入该一维计算模型后可以得到关于加热器排布设计的四个关键参数,分别是加热器圈数、加热器圈距、加热器长度、加热器功率密度;仿真输出温度结果。该模型可以大幅度简化设计迭代的次数,缩短设计的周期,提高效率,同时降低人力成本。
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公开(公告)号:CN118173489A
公开(公告)日:2024-06-11
申请号:CN202311712617.1
申请日:2023-12-13
申请人: 沈阳富创精密设备股份有限公司
IPC分类号: H01L21/683
摘要: 本发明涉及半导体核心零部件静电卡盘领域,具体涉及一种提高吸附效果的静电卡盘双电极结构,该双电极结构整体图形结构为两个尺寸一致,平面面积相等,以圆心互成对称排布的两个独立电极结构;两个独立电极结构分别为静电卡盘的正负电极;正负电极沿各自对称中心线以递增螺旋线形式结合构成;电极中心线,即递增螺旋线每180°变更一次半径进行递增;半径以R,R+1*2R,R+2*2R,R+3*2R,……R+(n‑1)*2R进行半径变更。该结构的静电卡盘电极,结构简单、对称性好,极化电荷分布均匀、吸脱附效果良好。
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公开(公告)号:CN221930151U
公开(公告)日:2024-10-29
申请号:CN202420346411.5
申请日:2024-02-26
申请人: 沈阳富创精密设备股份有限公司
摘要: 本实用新型涉及半导体核心零部件加热盘技术领域,特别涉及一种晶圆加热盘结构,包括铝制的上盘、铝制的下盘、非金属加热片和Shaft柱;上盘和下盘中心开设中心孔,通过内螺纹和外螺纹配合连接,非金属加热片安装在上盘和下盘之间;Shaft柱安装在中心孔内,非金属加热片的电源线通过中心孔从电源线出线孔出线,热电偶穿过非金属加热片贴在上盘的金属面上,用于探测晶圆工作面的温度,通过中心孔从热电偶出线孔出线;上盘的表面为晶圆的工作面。本实用新型采用装配工序,有效缩短生产周期。此外,使用非金属电加热片,兼顾良好的密封性,可在真空或大气环境中使用,降低加热盘整体高度,降低成本,提升安装空间。
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公开(公告)号:CN221081576U
公开(公告)日:2024-06-04
申请号:CN202322296855.0
申请日:2023-08-25
申请人: 沈阳富创精密设备股份有限公司
摘要: 本实用新型公开了一种具有冷却功能的双温控加热盘,涉及具有冷却功能的双温控加热盘的制备方法技术领域。该具有冷却功能的双温控加热盘包括铝合金主体,所述铝合金主体的内部分别设置有加热和制冷机构;所述加热和制冷机构包括设置于铝合金主体内部的加热管和冷却管,所述加热管和冷却管的端部延伸至铝合金主体的顶部;所述铝合金主体的内部分别设置有第一电热偶和第二电热偶。通过内外圈热电偶的结构设计确保加热管产生的热量均匀可靠,同时通过热传导使铝合金盘体发热,通过热电偶实时读取控制点温度并反馈到外界温度控制模块,从而实现温度实时控制并得到制程所需的温度。
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