一种Cu合金导磁涂层及其制备方法

    公开(公告)号:CN112877684B

    公开(公告)日:2023-02-03

    申请号:CN202110034855.6

    申请日:2021-01-12

    IPC分类号: C23C24/04 C22C9/00 B22F9/08

    摘要: 本发明提供了一种Cu合金导磁涂层及其制备方法。该技术方案首先设计了铜和铁的配比,然后通过熔炼,气雾化制粉获得近球形的Cu‑Fe合金粉体,选择合适粒径的Cu‑Fe合金粉,在真空或惰性气体保护下进行时效处理后,采用冷喷涂工艺在基材上喷涂制备Cu‑Fe合金涂层。本发明同时结合了铜的高热导率和铁的高磁导率,且铜和铁在合金中原位结合,具有优异的导热导磁性能。时效处理促进了Cu基体中固溶Fe原子的弥散析出,提高了合金粉的热导率和磁导率,并改善粉末塑性。冷喷涂工艺可以使Fe相形成类纤维结构,增大比表面面积,提高导磁效果。而且冷喷涂工艺在金属和非金属基材上均可实现有效的涂层制备,具有涂层结合强度高、涂层组织致密、生产效率高等技术优势。

    一种氧化铜膜/硅晶片复合结构及其制备方法

    公开(公告)号:CN112030109A

    公开(公告)日:2020-12-04

    申请号:CN202010927732.0

    申请日:2020-09-07

    IPC分类号: C23C14/16 C23C14/35 C23C14/58

    摘要: 本发明提供了一种氧化铜膜/硅晶片复合结构及其制备方法,涉及纳米薄膜材料制备技术领域。本发明以磁控溅射的方法在硅晶片上沉积铜,使铜膜均匀的沉积在硅晶片上;所述铜膜/硅晶片结构在臭氧条件下进行氧化反应,能够将铜膜中的铜氧化成为氧化铜;再经后续的热处理,使得氧化铜膜与硅晶片基底之间的结合强度变强。本发明提供的氧化铜膜/硅晶片复合结构的氧化铜膜为纳米尺寸氧化铜堆积而成,所述纳米尺寸氧化铜的结构为纳米片状结构或颗粒状结构,且纳米片状结构的厚度为100~200nm,纳米颗粒结构的尺寸为200~300nm。在本发明中,所述氧化铜膜与硅晶片的膜基结合力大于100μN,结合稳定、不脱落不分离。

    一种铜铬合金及其制备方法
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115125406A

    公开(公告)日:2022-09-30

    申请号:CN202210804525.5

    申请日:2022-07-08

    IPC分类号: C22C1/02 C22C9/00 C22F1/08

    摘要: 本发明提供了一种铜铬合金及其制备方法,属于合金材料技术领域,包括以下步骤:(1)将合金原料进行熔炼后浇铸,得到铸锭;所述浇铸为水冷铜模浇铸;(2)将所述步骤(1)得到的铸锭依次进行热轧、固溶处理、淬火、冷轧、时效处理和终轧,得到铜铬合金;所述铜铬合金中铬的质量含量大于5%。本发明在铜铬合金熔炼后采用水冷铜模浇铸,其冷却速度较快,可有效减少或者消除宏观偏析现象,使晶粒细化,获得较好的铸态组织,在经后续处理后提高合金的抗拉强度和导电性。实施例的结果显示,本发明制备的铜铬合金的抗拉强度为610MPa,导电率为54.8%IACS。

    一种Cu合金导磁涂层及其制备方法

    公开(公告)号:CN112877684A

    公开(公告)日:2021-06-01

    申请号:CN202110034855.6

    申请日:2021-01-12

    IPC分类号: C23C24/04 C22C9/00 B22F9/08

    摘要: 本发明提供了一种Cu合金导磁涂层及其制备方法。该技术方案首先设计了铜和铁的配比,然后通过熔炼,气雾化制粉获得近球形的Cu‑Fe合金粉体,选择合适粒径的Cu‑Fe合金粉,在真空或惰性气体保护下进行时效处理后,采用冷喷涂工艺在基材上喷涂制备Cu‑Fe合金涂层。本发明同时结合了铜的高热导率和铁的高磁导率,且铜和铁在合金中原位结合,具有优异的导热导磁性能。时效处理促进了Cu基体中固溶Fe原子的弥散析出,提高了合金粉的热导率和磁导率,并改善粉末塑性。冷喷涂工艺可以使Fe相形成类纤维结构,增大比表面面积,提高导磁效果。而且冷喷涂工艺在金属和非金属基材上均可实现有效的涂层制备,具有涂层结合强度高、涂层组织致密、生产效率高等技术优势。

    一种电解铜箔生箔机用阴极钛辊表面凹坑修复方法

    公开(公告)号:CN112553618A

    公开(公告)日:2021-03-26

    申请号:CN202011401820.3

    申请日:2020-12-02

    摘要: 本发明涉及电解铜箔生产关键零部件的修复再制造技术领域,公开了一种用于电解铜箔生箔机阴极钛辊表面凹坑修复的粉末材料,按照质量百分比粉末组成:Ce为0.1~1%,TiB2为0.5~2%,Ti为余量。本发明还公开了一种应用上述粉末材料对电解铜箔生箔机阴极钛辊表面凹坑进行激光熔覆修复方法:先将凹坑击伤应力层或电击伤氧化层钻铣去除,随后进行喷砂处理和脱脂冲洗吹干,再经过同步送粉、激光扫描熔覆就可以使凹坑得到修补。利用本发明技术可获得晶粒大小、表面电化学活性与基体一致的钛辊表面凹坑修复层。

    一种稀土铜铁合金的金相腐蚀剂及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN117187809A

    公开(公告)日:2023-12-08

    申请号:CN202311169197.7

    申请日:2023-09-12

    IPC分类号: C23F1/18

    摘要: 本发明提供了一种稀土铜铁合金的金相腐蚀剂及其制备方法和应用,属于金相样品制备技术领域。本发明提供的稀土铜铁合金的金相腐蚀剂,制备所述金相腐蚀剂的原料包括乙醇、水、氯化铁和盐酸;所述乙醇和水的体积比为(20~60):(5~20);所述乙醇的体积和氯化铁的质量比为(20~60)mL:(1~3)g;所述乙醇和盐酸的体积比为(20~60):(10~30)。实施例的结果显示,本发明提供的金相腐蚀剂腐蚀过程易控,对环境污染小,可以清楚、完整显示稀土铜铁合金晶界结构和晶粒内部组织特征。

    一种调控高速钢中碳化物析出的方法及一种高性能高速钢

    公开(公告)号:CN115109987A

    公开(公告)日:2022-09-27

    申请号:CN202210889186.5

    申请日:2022-07-27

    IPC分类号: C22C33/06 C22B9/18 C21C7/00

    摘要: 本发明提供了一种调控高速钢中碳化物析出的方法及一种高性能高速钢,属于高性能合金制造技术领域。本发明提供的调控高速钢中碳化物析出的方法,包括以下步骤:将高速钢的原料混合后进行熔炼,得到钢液;向所述钢液中加入稀土变质剂,进行变质处理,然后进行浇注成型,得到高速钢自耗电极;对所述高速钢自耗电极进行电渣重熔,得到高性能高速钢;所述电渣重熔在抽锭式结晶器中进行;所述抽锭式结晶器的内径为100~160mm,抽锭式结晶器的熔池深度为40~60mm,抽锭式结晶器的抽锭速度为10~12mm/min。实施例的结果显示,本发明制备的高速钢的硬度≥60HRC,冲击强度≥9MPa,抗弯强度≥1690MPa。

    一种氧化铜膜/硅晶片复合结构及其制备方法

    公开(公告)号:CN112030109B

    公开(公告)日:2022-07-29

    申请号:CN202010927732.0

    申请日:2020-09-07

    IPC分类号: C23C14/16 C23C14/35 C23C14/58

    摘要: 本发明提供了一种氧化铜膜/硅晶片复合结构及其制备方法,涉及纳米薄膜材料制备技术领域。本发明以磁控溅射的方法在硅晶片上沉积铜,使铜膜均匀的沉积在硅晶片上;所述铜膜/硅晶片结构在臭氧条件下进行氧化反应,能够将铜膜中的铜氧化成为氧化铜;再经后续的热处理,使得氧化铜膜与硅晶片基底之间的结合强度变强。本发明提供的氧化铜膜/硅晶片复合结构的氧化铜膜为纳米尺寸氧化铜堆积而成,所述纳米尺寸氧化铜的结构为纳米片状结构或颗粒状结构,且纳米片状结构的厚度为100~200nm,纳米颗粒结构的尺寸为200~300nm。在本发明中,所述氧化铜膜与硅晶片的膜基结合力大于100μN,结合稳定、不脱落不分离。