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发明公开
一种可抑制短路振荡的IGBT器件及制备方法审中-实审

公开(公告)号：CN119421425A

公开(公告)日：2025-02-11

申请号：CN202411277160.0

申请日：2024-09-12

Applicant: 江苏芯长征微电子集团股份有限公司 , 芯长征微电子制造(山东)有限公司

Inventor： 苗仲 , 邓小社 , 杨飞

IPC: H10D12/00 , H10D62/10 , H10D12/01

Abstract: 本发明公开了一种可抑制短路振荡的IGBT器件及制备方法，涉及半导体器件领域，包括半导体基板以及制备于所述半导体基板中心区的有源区；所述半导体基板包括第一导电类型漂移区，所述第一导电类型为N型；所述有源区内包括若干并列分布的元胞，对于任一元胞，包括若干个载流子调整单元；所述载流子调整单元位于第一导电类型漂移区内，以使第一导电类型漂移区内的电子浓度减小且空穴浓度增加，该IGBT器件能够有效抑制短路振荡现象。

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